【技术实现步骤摘要】
拆键合装置及其拆键合的方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种拆键合装置及其拆键合的方法。
技术介绍
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是在VDMOS的基础上，在其承受高压的N型衬底背面增加一层P型薄层，引入了电导调制效应，从而大大提高了器件的电流处理能力。为了实现耐高压的需求，一般需要执行背面工艺，即在完成IGBT的正面工艺后，对晶圆的背面进行减薄，然后，对晶圆的背面做相关处理。现有技术中，考虑到减薄后的晶圆的稳定性不好，故在此基础上引入了临时键合和拆键合工艺。在拆键合工艺时，需要将玻璃（glass）和键合胶（glue）去除。通常的，通过激光去除玻璃较为容易，而键合胶需要利用专用胶带（tape）粘附在键合胶表面后，通过撕专用胶带将键合胶去除。但因键合胶也会存在于晶圆的边缘，而机台上的滚轴在向专用胶带施加压力时，专用胶带并没有与晶圆的边缘接触而粘附键合胶，导致撕膜失败，机台频繁报警，降低生产效率。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种拆键合装置及其拆键合的方法，能够增...
【技术保护点】
1.一种拆键合装置，用于对去除第二片体后的临时键合体上的键合胶执行拆键合处理，所述临时键合体包括第一片体和第二片体，以及设置于所述第一片体和所述第二片体之间的键合胶，其特征在于，所述拆键合装置包括：/n加压机构，包括能够绕旋转轴转动的滚轴，所述滚轴被配置为能够受压变形；/n第一运动机构，用于驱使所述加压机构做水平运动；以及，/n第二运动机构，用于驱使所述加压机构做竖直运动；/n所述加压机构用于在所述第二运动机构驱动下通过所述滚轴对所述键合胶上的胶带施加压力至压力预设值，并通过所述滚轴的变形促使所述胶带与边缘的键合胶接触，然后在所述第一运动机构驱动下在所述胶带上沿水平方向运动。/n
【技术特征摘要】
1.一种拆键合装置，用于对去除第二片体后的临时键合体上的键合胶执行拆键合处理，所述临时键合体包括第一片体和第二片体，以及设置于所述第一片体和所述第二片体之间的键合胶，其特征在于，所述拆键合装置包括：
加压机构，包括能够绕旋转轴转动的滚轴，所述滚轴被配置为能够受压变形；
第一运动机构，用于驱使所述加压机构做水平运动；以及，
第二运动机构，用于驱使所述加压机构做竖直运动；
所述加压机构用于在所述第二运动机构驱动下通过所述滚轴对所述键合胶上的胶带施加压力至压力预设值，并通过所述滚轴的变形促使所述胶带与边缘的键合胶接触，然后在所述第一运动机构驱动下在所述胶带上沿水平方向运动。
2.根据权利要求1所述的拆键合装置，其特征在于，所述滚轴的布氏硬度为35N/mm2~45N/mm2。
3.根据权利要求2所述的拆键合装置，其特征在于，所述滚轴的布氏硬度为40N/mm2。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的拆键合装置，其特征在于，所述滚轴的材料为特氟龙。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的拆键合装置，其特征在于，所述滚轴的轴向长度为250mm~300mm，所述滚轴的直径为50mm~80mm。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的拆键合装置，其特征在于，还包括通信连接的控制器和压力传感器；所述压力...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐金辉，张希山，周立超，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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