带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置制造方法及图纸

一种带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置，实施方式所涉及的带电粒子束描绘方法一边使基板移动一边对其照射带电粒子束，对将上述基板的描绘区域以宽度W分割而成的多个条带的每个依次描绘图案。在该方法中，将针对每个条带一边以设定的条带偏移量在上述条带的宽度方向上使上述条带的基准点偏移并且切换上述基板的移动方向、一边以多重度2n描绘上述多个条带的处理设为1次行程，进行S次上述行程的描绘处理，在上述行程的每个，以设定的行程偏移量在上述条带的宽度方向上使上述行程中的上述条带的基准点偏移而进行描绘，其中，n为1以上的整数，S为2以上的整数。

【技术实现步骤摘要】
带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置
本专利技术涉及带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置。
技术介绍
伴随着LSI的高集成化，半导体器件的电路线宽进一步微细化。作为形成用于在这些半导体器件形成电路图案的曝光用掩模(在步进式曝光装置或扫描式曝光装置中使用的掩模也被称为中间掩模)的方法，使用具有优异的清晰度的电子束描绘技术。作为电子束描绘装置的一个方式，存在可变成形方式。在可变成形方式中，利用例如通过使其在第1成形光阑的开口和第2成形光阑的开口通过而成形的电子束而在载置于可动工作台的基板上描绘图形。在电子束描绘装置中，将朝装置输入的设计数据转换成用于朝基板描绘电子束的描绘数据。描绘数据被分割成被称为条带(stripe)的长条状。各条带使用由主偏向器和副偏向器进行位置控制的成为描绘的单位的一次曝光(shot)描绘。条带的宽度由主偏向区域的宽度规定。因主偏向器的偏向的偏斜，存在在条带的边界部分描绘的图形的连接精度或所描绘的图形的位置精度劣化的顾虑。作为改善图形的连接精度或位置精度的方法，公知有一边使条带偏移一边反复地重叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带电粒子束描绘方法，一边使基板移动一边对其照射带电粒子束，对将上述基板的描绘区域以宽度W分割而成的多个条带的每个依次描绘图案，其特征在于，/n将针对每个条带一边以设定的条带偏移量在上述条带的宽度方向上使上述条带的基准点偏移并且切换上述基板的移动方向、一边以多重度2n描绘上述多个条带的处理设为1次行程，进行S次上述行程的描绘处理，/n在上述行程的每个，以设定的行程偏移量在上述条带的宽度方向上使上述行程中的上述条带的基准点偏移而进行描绘，/n其中，n为1以上的整数，S为2以上的整数。/n

【技术特征摘要】
20190227 JP 2019-0345591.一种带电粒子束描绘方法，一边使基板移动一边对其照射带电粒子束，对将上述基板的描绘区域以宽度W分割而成的多个条带的每个依次描绘图案，其特征在于，
将针对每个条带一边以设定的条带偏移量在上述条带的宽度方向上使上述条带的基准点偏移并且切换上述基板的移动方向、一边以多重度2n描绘上述多个条带的处理设为1次行程，进行S次上述行程的描绘处理，
在上述行程的每个，以设定的行程偏移量在上述条带的宽度方向上使上述行程中的上述条带的基准点偏移而进行描绘，
其中，n为1以上的整数，S为2以上的整数。


2.根据权利要求1所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
当以多重度N描绘图案的情况下，S＝N－(2n－1)，
其中，N为2n+1以上的整数。


3.根据权利要求2所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
当设条带宽度为W、n＝1的情况下，描绘第k个条带后的上述设定的条带偏移量比W小，
描绘第k+1个条带后的上述设定的条带偏移量为W以上，
其中，k为1以上的奇数。


4.根据权利要求3所述的带电粒子束描绘方法，其特征在于，
第k个条带的描绘处理后的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：松井秀树，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP