用于红外焦平面阵列的背景电流抑制读出电路制造技术

用于红外焦平面阵列的背景电流抑制读出电路，该电路包括：缓冲直接注入结构、背景电流和暗电流的电流存储器及相关双采样电路，其改进在于背景电流和暗电流存储器１００的控制端即ＮＭＯＳ管１０６的栅极，依次连接ＰＭＯＳ管１０８、模数＼数模转换器１０９和非易失性存储器１１０，从而构成存储和自动刷新所保存的背景电流和暗电流的电路。本实用新型专利技术的电路利用电流存储器进行背景电流自动抑制，并采用模数和数模转换器以及非易失性存储器来保持电流存储器中的电容上的电压不会衰减，克服了现有高背景电流抑制读出电路在使用中需要用机械电子装置定期校正的缺点，而且该电路具有很高的电荷处理能力。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及红外探测器的背景抑制电路，具体涉及一种新型的用于红外焦平面阵列背景电流抑制读出电路，属于红外探测

技术介绍
目前，高背景电流的红外探测器的性能主要取决于读出电路的电荷处理能力。由于红外探测器的背景电流和暗电流相当大(如QWIP的暗电流有上百纳安)，需要一个大的积分电容来存储这些电荷。但实际上，为了能够在一个尺寸有限的像素内实现单元电路，积分电容只可能做得比较小，而大的背景电流使得读出电路中的积分电容很快就会饱和；并且，目标信号远远小于背景信号(比如QWIP的目标电流仅仅是背景电流的0.01％-0.1％)，因此，要求其读出电路具有低噪声和能够放大大信号的能力，实现的难度很大。对背景电流进行抑制是克服该问题的一个很好的方法，抑制了背景电流再积分，就能够在像元内使用较小的积分电容并避免其饱和，同时增大探测灵敏度、提高动态范围和信噪比。目前有BGMI结构(文献1，Chih-Cheng Hsieh，et al，High-performance CMOS Bufferedgate modulation input(BGMI) readout circuits for IR 本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于红外焦平面阵列的背景电流抑制读出电路，该电路包括：缓冲直接注入结构、背景电流和暗电流的电流存储器及相关双采样电路，其特征在于：缓冲直接注入结构电路的输出端接背景电流和暗电流存储器（１００），并经ＰＭＯＳ管（１１１）到积分电路、缓冲器（１１４）、相关双采样电路（１１５）接输出Ｖｏｕｔ；背景电流和暗电流存储器（１００）的控制端即ＮＭＯＳ管（１０６）的栅极，依次连接ＰＭＯＳ管（１０８）、模数＼数模转换器（１０９）和非易失性存储器（１１０），从而构成存储和自动刷新所保存的背景电流和暗电流的电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁祥辉，孟丽娅，黄友恕，吕果林，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：实用新型
国别省市：85[中国|重庆]