带隙基准电路、带隙基准电压修调方法及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种带隙基准电路、带隙基准电压修调方法及电子装置，所述带隙基准电路包括带隙基准核心模块、自适应控制模块、预失调控制模块以及修调模块。本发明专利技术的技术方案电路结构和方法简单，能够通过遍历所有预设的预失调控制方式来对带隙基准电压进行预失调尝试，以找到期望的中心频率或期望的电压值，进而在修调阶段，可以对带隙基准电压进行自适应修调，让修调后的带隙基准电压或其对应的频率达到或最接近期望值，即本发明专利技术的方案能够通过自适应的方法来消除带隙基准电路中的随机偏差，降低修调带隙基准电压的成本并提高带隙基准电压的精度。

【技术实现步骤摘要】
带隙基准电路、带隙基准电压修调方法及电子装置
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种带隙基准电路、带隙基准电压修调方法及电子装置。
技术介绍
由于带隙基准电路(bandgapreference)可以产生与电源电压、工艺参数和温度关系很小的参考电压，因此它广泛应用于模拟集成电路中，并做为一种稳定的参考源。由于工艺制造的原因，各种工艺制造随机因素，例如：光刻精度，掺杂不均匀，杂质扩散浓度梯度分布等，都会造成带隙基准电路中需要匹配的关键电路和模块的匹配精度下降。这种匹配精度的下降，会导致带隙基准电路产生的参考电压呈现随机的分布。图1所示为一种常见的带隙基准电路的核心电路结构。请参考图1所示，该带隙基准电路包括PMOS管M0~M2、运算放大器OP0、BJT三极管Q0~Q2以及电阻R0~R1。Vbg是带隙基准电路所产生的带隙基准电压（即输出参考电压），且Vbg可以由以下公式表示：上式中，Vbe2为BJT三极管Q2的发射极-基极的结电压，R1、R0为电阻R1、R0的电阻值，K1为PMOS管M2与PMOS管M1的沟道宽、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：/n带隙基准核心模块，用于输出带隙基准电压；/n自适应控制模块，用于针对所述带隙基准核心模块中的不同失配情况预设不同的预失调控制方式，并在预失调尝试阶段遍历所有的预失调控制方式，以找到期望的中心频率或期望的电压值，以及，在修调控制阶段，选定其中一种所述预失调控制方式并根据所述带隙基准电压产生修调控制信号；/n预失调控制模块，用于根据所述自适应控制模块输出的预失调控制方式，对所述带隙基准核心模块所输出的带隙基准电压进行相应的预失调调节；/n修调模块，用于在所述修调控制信号的控制下，对所述带隙基准核心模块所输出的带隙基准电压进行修调，使得所述带隙基准电压所对...

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：
带隙基准核心模块，用于输出带隙基准电压；
自适应控制模块，用于针对所述带隙基准核心模块中的不同失配情况预设不同的预失调控制方式，并在预失调尝试阶段遍历所有的预失调控制方式，以找到期望的中心频率或期望的电压值，以及，在修调控制阶段，选定其中一种所述预失调控制方式并根据所述带隙基准电压产生修调控制信号；
预失调控制模块，用于根据所述自适应控制模块输出的预失调控制方式，对所述带隙基准核心模块所输出的带隙基准电压进行相应的预失调调节；
修调模块，用于在所述修调控制信号的控制下，对所述带隙基准核心模块所输出的带隙基准电压进行修调，使得所述带隙基准电压所对应的频率达到或者最接近所述中心频率，或者，使得所述带隙基准电压达到或最接近所述期望的电压值。


2.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，还包括：
压控振荡器，用于产生与所述带隙基准电压相对应的一稳定频率信号；
基准频率产生模块，用于产生基准频率；
计数器，用于在所述基准频率下对所述稳定频率信号进行计数，以得到相应的计数值；
所述自适应控制模块在所述预失调尝试阶段根据所有的预失调控制方式所对应的计数值，找到期望的中心频率，并在所述修调控制阶段根据所述计数器的计数值产生相应的修调控制信号，所述修调模块调节所述带隙基准核心模块所输出的带隙基准电压，使得所述压控振荡器输出的稳定频率信号的频率达到或者最接近所述中心频率。


3.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准核心模块包括至少两条用于产生相应电流的电流产生支路，且其中一条所述电流产生支路还用于输出所述带隙基准电压；所述预失调控制模块包括第一预失调控制开关，所述第一预失调控制开关连接各条所述电流产生支路，并连接所述自适应控制模块的相应输出端，且在不同的预失调控制方式的控制下，输送到所述第一预失调控制开关的每个输出节点的电流枝总数不变，但是构成每个输出节点的电流枝总数的电流来源不同。


4.如权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，每条所述电流产生支路分别包括一个第一电流源，每个所述第一电流源的输出端连接所述第一预失调控制开关相应的输入节点。


5.如权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，用于输出所述带隙基准电压的所述电流产生支路具有带隙基准电压节点，所述修调模块包括第二电流源和修调开关，所述修调开关的第一输入端连接所述第二电流源的输出端，所述修调开关的第二输入端连接所述第一预失调控制开关的相应的输出节点，所述修调开关的第三输入端接入所述修调控制信号，所述修调开关的输出端连接所述带隙基准电压节点，以输出修调后的带隙基准电压。


6.如权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准核心模块还包括至少一个运算放大器，所述运算放大器的同相输入端和反相输入端分别耦接所述第一预失调控制开关的相应的两个输出节点，所述运算放大器的输出端耦接相应的所述电流产生支路的控制端，以控制所述电流产生支路所产生的电流大小。


7.如权利要求6所述的带隙基准电路，其特征在于，所述运算放大器包括输入级电路，所述输入级电路具有两个差分输入端；所述预失调控制模块还包括第二预失调控制开关，所述第二预失调控制开关连接在所述运算放大器的同相输入端、反相输入端与所述输入级电路的两个差分输入端之间，所述第二预失调控制开关用于在所述预失调控制方式的控制下，互换所述第一预失调控制开关的相应的两个输出节点向所述两个差分输入端的输入。


8.如权利要求7所述的带隙基准电路，其特征在于，所述输入级电路包括输入对管和第三电流源，所述第二预失调控制开关包括第一二选一开关和第二二选一开关；所述输入对管的一个栅极作为所述输入级电路的一个差分输入端，连接所述第一二选一开关的输出端，所述输入对管的另一个栅极作为所述输入级电路的另一个差分输入端，连接所述第二二选一开关的输出端，所述输入对管的两个源极连接所述第三电流源的输出端，所述输入对管的两个漏极作为所述输入级电路的输出端，所述第一二选一开关的控制端和所述第二二选一开关的控制端均接入所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴启明，林晓志，
申请(专利权)人：广东高云半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44