一种提升容值的补偿电容结构及制作方法技术

本发明专利技术提供一种提升容值的补偿电容结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在基板上制作第一极板金属和第一栅极金属；制作第一绝缘层；制作第二半导体层；制作第二绝缘层；制作第二极板金属和第二极板金属；制作第三绝缘层；在第三绝缘层上制作连通第一极板金属的第二过孔，在第三绝缘层上制作连通第二半导体层的第三过孔；制作第三极板金属和源漏极金属。上述技术方案制作第三极板金属、第二极板金属和第一极板金属形成两个电容，分别为第一极板金属与第二极板金属、第二极板金属与第三极板金属。两个电容可以为器件带来更大的电容值，在电容值增大后，可以有效改善画面均一性，提升显示质量。

【技术实现步骤摘要】
一种提升容值的补偿电容结构及制作方法
本专利技术涉及OLED器件领域，尤其涉及一种提升容值的补偿电容结构及制作方法。
技术介绍
有机发光二极管显示器由于其具有自发光，对比度高，是较广，可应用于目前新型柔性显示器，且构造及制程简单，已成为市场上新一代平板显示技术DualGata(双栅)结构的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)显示出对漏极电流和阈值电压Vth的更精确和有效的控制，表现出更优的器件特性。请参阅图1和图2，以现有AM-OLED器件最简单的2T1C为例(两个电晶体管夹着一个储存电容)结构，存储电容C是维持像素点位的主要手段，DualGata(双栅)结构的薄膜晶体管区为第一栅极金属、第二半导体层、第二极板金属、源漏极金属，电容区为第一极板金属、第一绝缘层、第二绝缘层和第二极板金属。其中，第一极板金属和第二极板金属组成一个电容，该电容的容值较小。增大储存电容可以有效改善画面均一性，但增大存储电容的方法一般为增大电极板的面积，但增大电极的面积导致器件尺寸无法缩小，影响显示分辨率。
技术实现思路
为此，需要提供一种提升容值的补偿电容结构及制作方法，解决电容容值不足的问题。为实现上述目的，专利技术人提供了一种提升容值的补偿电容结构制作方法，包括如下步骤：在基板上制作第一极板金属和第一栅极金属，第一栅极金属位于第一极板金属的一侧，第一极板金属用于作为电容的组成部分；制作第一绝缘层；制作第二半导体层，第二半导体层位于第一栅极金属区域的第一绝缘层上；制作第二绝缘层；制作第二极板金属和第二极板金属，第二极板金属位于第一极板金属的区域的第二绝缘层上，第二极板金属位于第二半导体层区域的第二绝缘层上，第二极板金属用于作为电容的组成部分；制作第三绝缘层；在第三绝缘层上制作连通第一极板金属的第二过孔，第二过孔位于第二极板金属的一侧，在第三绝缘层上制作连通第二半导体层的第三过孔，第三过孔位于第二极板金属的外侧；制作第三极板金属和源漏极金属，第三极板金属通过第二过孔连接第一极板金属，源漏极金属通过第三过孔连接第二半导体层，第三极板金属用于作为电容的组成部分。进一步地，在制作第二半导体层时，还包括如下步骤：制作第一半导体层，第一半导体层位于第一极板金属区域的第一绝缘层上，用于连接第二极板金属；在制作第二绝缘层后，在制作第二极板金属和第二极板金属前，还包括如下步骤：在第一极板金属区域的第二绝缘层上制作连通第一半导体层的第一过孔。专利技术人提供一种提升容值的补偿电容结构，包括：在基板上设置有第一极板金属和第一栅极金属，第一栅极金属位于第一极板金属的一侧，第一极板金属用于作为电容的组成部分；在第一极板金属和第一栅极金属上设置有第一绝缘层；在第一栅极金属区域的第一绝缘层上设置有第二半导体层；在第二半导体层和第一绝缘层上设置有第二绝缘层；在第二绝缘层上设置有第二极板金属和第二极板金属，第二极板金属位于第一极板金属的区域的第二绝缘层上，第二极板金属位于第二半导体层区域的第二绝缘层上，第二极板金属用于作为电容的组成部分；在第二绝缘层、第二极板金属和第二极板金属上设置有第三绝缘层；在第三绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔，第二过孔的底部为第一极板金属并位于第二极板金属的一侧，第三过孔的底部为第二半导体层并位于第二极板金属的外侧；在第三绝缘层上设置有第三极板金属和源漏极金属，第三极板金属通过第二过孔连接第一极板金属，第三极板金属用于作为电容的组成部分，源漏极金属通过第三过孔连接第二半导体层。进一步地，还包括：在第一极板金属区域的第一绝缘层上设置有第一半导体层，第二极板金属通过第二绝缘层上的第一过孔与第一半导体层连接。区别于现有技术，上述技术方案制作第三极板金属、第二极板金属和第一极板金属形成两个电容，分别为第一极板金属与第二极板金属、第二极板金属与第三极板金属。两个电容可以为器件带来更大的电容值，在电容值增大后，可以有效改善画面均一性，提升显示质量。附图说明图1为
技术介绍
所述DualGata结构的电容的剖面结构示意图；图2为
技术介绍
所述DualGata结构的等效电路图；图3为本实施例在基板上制作第一极板金属和第一栅极金属的剖面结构示意图；图4为本实施例在基板上制作第一绝缘层的剖面结构示意图；图5为本实施例在基板上制作第一半导体层和第二半导体层的剖面结构示意图；图6为本实施例在基板上制作第二极板金属、第二极板金属、第二绝缘层和第一过孔的剖面结构示意图；图7为本实施例在基板上制作第三绝缘层的剖面结构示意图；图8为本实施例在基板上制作第二过孔和第三过孔的剖面结构示意图；图9为本实施例在基板上制作第三极板金属和源漏极金属的剖面结构示意图。附图标记说明：1、基板；2、电容区；21、第一极板金属；22、第一半导体层；23、第二极板金属；24、第三极板金属；3、薄膜晶体管区；31、第一栅极金属；32、第二半导体层；33、第二极板金属；34、源漏极金属；4、第一绝缘层；5、第二绝缘层；51、第一过孔；6、第三绝缘层；61、第二过孔；62、第三过孔。具体实施方式为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。请参阅图1至图9，本实施例提供一种提升容值的补偿电容结构制作方法，该制作方法可以在基板上制作，基板可以为现有制程工艺中常用的玻璃基板、塑料基板和金属箔等。该制作方法在基板1上进行制作AM-OLED器件的电容区2和薄膜晶体管区3，电容区2为电容结构，薄膜晶体管区3则为现有的2T1C(两个电晶体管夹着一个储存电容)结构。包括如下步骤：在基板上制作电容区的第一极板金属和薄膜晶体管区的第一栅极金属；请参阅图3，具体的，在基板1上涂布光阻，而后图形化光阻，即对光阻进行曝光与显影，使得待制作第一极板金属和待制作第一栅极金属的区域开口。然后镀上金属层材料，金属层材料如铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金。从而在基板1上的一侧形成一个第一极板金属21，作为电容区2的极板一，在基板1上的另一侧形成一个第一栅极金属31，作为薄膜晶体管区3的栅极。第一极板金属21和第一栅极金属31制作完毕后，清除光阻。为了实现对金属层的保护，避免其它结构与金属层的接触，在第一极板金属和第一栅极金属上制作一层绝缘层；请参阅图4，具体的，在基板1采用化学气相沉积法镀上氮化硅、氧化硅、二氧化硅或其他保护层材料(保护层材料为绝缘性的材料)，在第一极板金属21和第一栅极金属31上形成覆盖二者的第一绝缘层4。在电容区2的第一绝缘层4覆盖住第一极板金属21，起到避免第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提升容值的补偿电容结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在基板上制作第一极板金属和第一栅极金属，第一栅极金属位于第一极板金属的一侧，第一极板金属用于作为电容的组成部分；/n制作第一绝缘层；/n制作第二半导体层，第二半导体层位于第一栅极金属区域的第一绝缘层上；/n制作第二绝缘层；/n制作第二极板金属和第二极板金属，第二极板金属位于第一极板金属的区域的第二绝缘层上，第二极板金属位于第二半导体层区域的第二绝缘层上，第二极板金属用于作为电容的组成部分；/n制作第三绝缘层；/n在第三绝缘层上制作连通第一极板金属的第二过孔，第二过孔位于第二极板金属的一侧，在第三绝缘层上制作连通第二半导体层的第三过孔，第三过孔位于第二极板金属的外侧；/n制作第三极板金属和源漏极金属，第三极板金属通过第二过孔连接第一极板金属，源漏极金属通过第三过孔连接第二半导体层，第三极板金属用于作为电容的组成部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种提升容值的补偿电容结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上制作第一极板金属和第一栅极金属，第一栅极金属位于第一极板金属的一侧，第一极板金属用于作为电容的组成部分；
制作第一绝缘层；
制作第二半导体层，第二半导体层位于第一栅极金属区域的第一绝缘层上；
制作第二绝缘层；
制作第二极板金属和第二极板金属，第二极板金属位于第一极板金属的区域的第二绝缘层上，第二极板金属位于第二半导体层区域的第二绝缘层上，第二极板金属用于作为电容的组成部分；
制作第三绝缘层；
在第三绝缘层上制作连通第一极板金属的第二过孔，第二过孔位于第二极板金属的一侧，在第三绝缘层上制作连通第二半导体层的第三过孔，第三过孔位于第二极板金属的外侧；
制作第三极板金属和源漏极金属，第三极板金属通过第二过孔连接第一极板金属，源漏极金属通过第三过孔连接第二半导体层，第三极板金属用于作为电容的组成部分。


2.根据权利要求1所述的一种提升容值的补偿电容结构制作方法，其特征在于，在制作第二半导体层时，还包括如下步骤：
制作第一半导体层，第一半导体层位于第一极板金属区域的第一绝缘层上，用于连接第二极板金属；
在制作第二绝缘层后，在制作第二极板金属和第二极板金属前，还包括如下步骤：
在第一极板金属区域的第二绝缘层上制作连通第...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋爽，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35