碳化硅生长方法技术

本发明专利技术提供一种碳化硅生长方法，其包括以下步骤：S1，将碳化硅粉料、碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料以及碳化硅粉料依次填入石墨坩埚中，以在石墨坩埚中自下而上形成第一碳化硅粉料层、碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料层以及第二碳化硅粉料层；S2，将粘有4H‑SiC籽晶层的石墨盖盖在石墨坩埚的顶部；S3，将盖有石墨盖的石墨坩埚装入生长炉的腔室中进行物理气相传输工艺，以获得4H‑SiC晶体。本发明专利技术提供的碳化硅生长方法，其可以在保证晶体生长速率和晶体质量的前提下，将晶体稳定在4H晶型。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅生长方法
本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种碳化硅生长方法。
技术介绍
碳化硅作为第三代宽带隙半导体材料，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、化学性能稳定、高硬度、抗磨损等的优点，碳化硅器件在航空、航天探测、核能开发、石油、地热钻井勘探、汽车发动机等的领域有着重要的应用。碳化硅目前已经被发现的晶型超过了200多种，最常见的晶型有3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC和15R-SiC。其中，4H-SiC由于其具有诸如更宽的带隙和更高的电子迁移率等的优异的电学性能，被广泛地应用于电子工业。在碳化硅单晶生长技术方面，目前主要采用物理气相传输(PhysicalVaporTransport，简称PVT)法生长碳化硅单晶。在采用PVT法生长碳化硅晶体的过程中，碳化硅晶型的稳定与生长环境密切相关。其中，在2000℃-2300℃的温度范围条件下，4H-SiC晶体与6H-SiC晶体相比，4H-SiC晶体的生长窗口更窄，这使得4H-SiC晶体很不稳定，容易发生相变，转变为6H-SiC晶体或者15R-SiC晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅生长方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，将碳化硅粉料、碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料以及碳化硅粉料依次填入石墨坩埚中，以在所述石墨坩埚中自下而上形成第一碳化硅粉料层、碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料层以及第二碳化硅粉料层；/nS2，将粘有4H-SiC籽晶层的石墨盖盖在所述石墨坩埚的顶部；/nS3，将盖有所述石墨盖的石墨坩埚装入生长炉的腔室中进行物理气相传输工艺，以获得4H-SiC晶体。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，将碳化硅粉料、碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料以及碳化硅粉料依次填入石墨坩埚中，以在所述石墨坩埚中自下而上形成第一碳化硅粉料层、碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料层以及第二碳化硅粉料层；
S2，将粘有4H-SiC籽晶层的石墨盖盖在所述石墨坩埚的顶部；
S3，将盖有所述石墨盖的石墨坩埚装入生长炉的腔室中进行物理气相传输工艺，以获得4H-SiC晶体。


2.根据权利要求1所述的碳化硅生长方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料层的上表面与所述第二碳化硅粉料层的上表面之间的间距为40mm-60mm。


3.根据权利要求1所述的碳化硅生长方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料层中的所述含铈化合物粉料的重量占所有碳化硅粉料的总重量的万分之一到万分之五。


4.根据权利要求3所述的碳化硅生长方法，其特征在于，所述碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料层中的所述含铈化合物粉料的重量占所有碳化...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴周礼，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11