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本发明提供一种碳化硅生长方法，其包括以下步骤：S1，将碳化硅粉料、碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料以及碳化硅粉料依次填入石墨坩埚中，以在石墨坩埚中自下而上形成第一碳化硅粉料层、碳化硅粉料和含铈化合物粉料的混合粉料层以及第二碳化硅粉料层；...
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