气体流量检验单元制造技术

一种能提高气体流量检验可靠性的气体流量检验单元。该气体流量检验单元具有：第一截止阀（１２），其连接至流量控制装置（１０）并被输入有气体；第二截止阀（１３），用于排出气体；连通件（１８），用于使第一截止阀（１２）和第二截止阀（１３）相互连通；压力传感器（１４），用于检测在第一截止阀（１２）和第二截止阀（１３）之间供应的气体的压力；温度检测器（１５），用于检测在第一截止阀（１２）和第二截止阀（１３）之间供应的气体的温度；以及控制装置（１６），用于检验在流量控制装置（１０）内流动的气体的流动，检验是通过利用压力传感器（１４）检测到的压力结果和温度检测器（１５）检测到的温度结果而进行的。第一截止阀（１２）的阀座（２２）与第二截止阀（１３）的阀座（２８）之间的体积（Ｖｋ）等于或小于流量控制装置（１０）的出口与第一截止阀（１２）的阀座（２２）之间的体积（Ｖｅ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种对半导体制造工艺中的气体系统内使用的流量控 制装置的流量进行检验的气体流量检验单元。
技术介绍
在半导体制造工艺的膜沉积装置或干蚀刻装置中采用诸如硅烷或 磷化氢的特殊气体、诸如含氯气体的腐蚀性气体、诸如氢气的可燃烧 气体等等。应严格地控制这些气体的流量。其原因在于，气体流量直接影响到工艺的质量。具体而言，气体 流量极大地影响膜沉积工艺中的膜质量或蚀刻工艺中的电路加工的质 量，从而气体流量的精确度决定了半导体产品的产率。另一个原因在于，这些气体中的大多数对人体和环境是有害的， 或者具有爆炸性。这些气体在使用后不能直接处理到大气中，从而半 导体制造工艺中采用的装置应根据气体的种类而设有去毒装置。然而， 上述去毒装置通常只具有有限的处理能力。因此，当超过容许值的流 量流动时，去毒装置不能理想地处理气体，从而会有有害气体流出到 大气中，或者去毒装置可能会被破坏。而且，因为这些气体、特别是能在半导体制造工艺中使用的高纯 度无尘气体比较昂贵，并且因为某些气体由于自然变质而在其使用上 受到限制，从而不能大量储存这些气体。有鉴于此，传统上在半导体制造工艺回路中安装有用作流量控制 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于安装在流量控制装置的下游的气体流量检验单元，该气体流量检验单元包括：　第一截止阀，其连接至所述流量控制装置，用于输入气体；　第二截止阀，其用于输出所述气体；　连通件，其用于将所述第一截止阀和所述第二截止阀相互连通；　压力检测器，其用于检测在所述第一截止阀和所述第二截止阀之间供应的气体的压力；　温度检测器，其用于检测在所述第一截止阀和所述第二截止阀之间供应的气体的温度；以及　控制装置，其用于通过利用所述压力检测器检测到的压力结果和所述温度检测器检测到的温度结果而检验流过所述流量控制装置的气体的流量，其中　从所述第一截止阀到所述第二截止阀的气体的体积不大于从所述流量控制装置的出口到所述第一...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小泽幸生，伊藤稔，土居广树，中田明子，
申请(专利权)人：喜开理株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]