采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程MOL制造的集成电路IC及相关方法技术

本公开涉及采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程(MOL)制造的集成电路(IC)及相关方法。公开了采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程(MOL)制造的集成电路(IC)。还公开了相关的方法。具体而言，金属层中的不同金属线可能需要在IC的MOL工艺期间被电互连。为了允许金属线被电互连而无需在金属线上方提供可能难以在例如印刷工艺中提供的此类互连，在一示例性方面中，延长或展开的通孔被提供在IC中的MOL层中。延长通孔被提供在MOL层中在该MOL层中的金属层下方并跨该MOL层的金属层中的两个或更多个毗邻金属层延伸。将互连移动到MOL层上方可简化IC的制造，特别是在低纳米(nm)节点尺寸下。

【技术实现步骤摘要】
采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程MOL制造的集成电路IC及相关方法本专利技术专利申请是国际申请号为PCT/US2015/046518，国际申请日为2015年8月24日，进入中国国家阶段的申请号为201580048484.X，名称为“采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程(MOL)制造的集成电路(IC)及相关方法”的专利技术专利申请的分案申请。优先权要求本申请要求于2014年9月12日提交且题为“MIDDLE-OF-LINE(MOL)MANUFACTUREDINTEGRATEDCIRCUITS(ICS)EMPLOYINGLOCALINTERCONNECTSOFMETALLINESUSINGANELONGATEDVIA,ANDRELATEDMETHODS(采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程(MOL)制造的集成电路(IC)及相关方法)”的美国专利申请序列号14/484,366的优先权，其内容被整体纳入于此。
本公开的技术一般涉及集成电路(IC)的中段制程(middle-of-line，MOL)制造工艺，且尤其涉及促成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路IC，包括：/n包括有源元件的基板，其中所述有源元件中的至少一个包括栅极；/n置于所述基板上方的中段制程MOL层；/n置于所述MOL层上方的金属互连层，所述金属互连层包括导电元件，其中所述导电元件垂直于所述栅极；以及/n置于所述MOL层内的延长通孔，其中所述延长通孔平行于所述栅极延伸。/n

【技术特征摘要】
20140912 US 14/484,3661.一种集成电路IC，包括：
包括有源元件的基板，其中所述有源元件中的至少一个包括栅极；
置于所述基板上方的中段制程MOL层；
置于所述MOL层上方的金属互连层，所述金属互连层包括导电元件，其中所述导电元件垂直于所述栅极；以及
置于所述MOL层内的延长通孔，其中所述延长通孔平行于所述栅极延伸。


2.如权利要求1所述的IC，其特征在于，进一步包括虚设金属层或虚设焊盘，作为所述延长通孔的着陆焊盘。


3.如权利要求1所述的IC，其特征在于，进一步包括位于所述基板和所述MOL层之间的层间电介质，所述层间电介质与所述MOL层不同且有区别。


4.如权利要求1所述的IC，其特征在于，所述MOL层包括介电层。


5.如权利要求1所述的IC，其特征在于，所述导电元件包括金属线。


6.如权利要求1所述的IC，其特征在于，所述导电元件彼此平行。


7.如权利要求1所述的IC，其特征在于，进一步包括置于金属结构下方的绝缘体，所述绝缘体将所述金属结构与关联于所述基板的所述有源元件隔离。


8.如权利要求1所述的IC，其特征在于，所述IC是三维3DIC。


9.如权利要求4所述的IC，其特征在于，所述介电层包括氮化硅SiN。


10.如权利要求1所述的IC，其特征在于，所述延长通孔包括钨工艺通孔。


11.如权利要求1所述的IC，其特征在于，所述延长通孔包括延长的穿硅通孔TSV。


12.如权利要求1所述的IC，其特征在于，所述IC被集成到半导体管芯中。


13.如权利要求1所述的IC，其特征在于，所述IC被集成到选自由以下各项组成的组的设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·朱，K·利姆，S·S·宋，J·J·徐，D·杨，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US