超高纯铝/铝合金样品的预处理方法及氧含量检测方法技术

本发明专利技术提供了一种超高纯铝/铝合金样品的预处理方法及氧含量检测方法。所述预处理方法包括：将块状的超高纯铝/铝合金样品置于氢氟酸中进行清洗；然后依次进行水洗、丙酮清洗和烘烤，完成预处理。所述氧含量检测方法包括：按照上述预处理方法对块状的超高纯铝/铝合金样品进行预处理，然后将预处理后的样品放入石墨坩埚中，在通有氦气的气体分析检测仪中高温熔融，以未加样品的石墨坩埚为对照，分别检测生成的二氧化碳气体量，计算出样品中的氧含量。本发明专利技术通过选择块状样品、合适的酸液和清洗方法，减少了因样品氧化或燃烧不充分引起的检测误差，提高了检测结果的准确度。

【技术实现步骤摘要】
超高纯铝/铝合金样品的预处理方法及氧含量检测方法
本专利技术属于超高纯金属成分分析
，具体涉及一种超高纯铝/铝合金样品的预处理方法及氧含量检测方法。
技术介绍
目前，平板显示(FPD)(包括液晶显示器TFT-LCD、等离子显示器PDP和触摸屏TP等)已经成为显示器的主流。TFT-LCD生产最关键的工艺为物理气相沉积(PVD)，PVD用溅射金属靶材是半导体芯片生产以及TFT-LCD制备加工过程中的重要原料之一。靶材溅射沉积薄膜工艺是生产功能薄膜的常用方法，溅射法是采用高能粒子轰击靶材表面，使靶材表面的原子或分子喷射在衬底表面，形成一层致密薄膜的过程。超高纯铝是指铝纯度在99.999％以上的铝。超高纯铝和超高纯铝合金因为具有极高的纯度、优良的导电性、易刻蚀性和抗电迁移性，而成为最常用的溅射金属靶材。磁控溅射镀膜工艺对靶材所含的气体和夹杂异常敏感，因为气体和夹杂会导致等离子体异常放电和显微颗粒的喷射，破坏和降低溅射薄膜质量，导致薄膜缺陷增加。这就需要对靶材中的元素含量严格把控，使得对超高纯铝和超高纯铝合金中的元素含量分析格外重要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.超高纯铝/铝合金样品的预处理方法，其特征在于，所述预处理方法包括如下步骤：/n(1)将块状的超高纯铝/铝合金样品置于氢氟酸中进行清洗，所述氢氟酸的浓度为30-50wt％；/n(2)将酸洗后的样品水洗，去除残留的酸液；/n(3)将水洗后的样品用丙酮清洗，去除残留的水分；/n(4)对丙酮清洗后的样品进行烘烤，去除残留的丙酮，完成预处理。/n

【技术特征摘要】
1.超高纯铝/铝合金样品的预处理方法，其特征在于，所述预处理方法包括如下步骤：
(1)将块状的超高纯铝/铝合金样品置于氢氟酸中进行清洗，所述氢氟酸的浓度为30-50wt％；
(2)将酸洗后的样品水洗，去除残留的酸液；
(3)将水洗后的样品用丙酮清洗，去除残留的水分；
(4)对丙酮清洗后的样品进行烘烤，去除残留的丙酮，完成预处理。


2.根据权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，步骤(1)中所述酸洗的温度为18-30℃；
优选地，所述酸洗的时间为10s～30s；
优选地，所述步骤(1)中所述酸洗是在超声条件下进行；
优选地，所述超声的功率为100～200W。


3.根据权利要求1或2所述的预处理方法，其特征在于，步骤(2)中所述水洗的次数为3～5次；
优选地，步骤(2)中每次水洗的时间为30s～50s。


4.根据权利要求1-3任一项所述的预处理方法，其特征在于，步骤(3)中所述丙酮清洗的次数为2～4次；
优选地，步骤(3)中每次丙酮清洗的时间为10s～30s。


5.根据权利要求1-4任一项所述的预处理方法，其特征在于，步骤(4)中所述烘烤的温度为30℃～50℃；
优选地，步骤(4)中所述烘烤的时间为60s～120s。


6.根据权利要求1-5任一项所述的预处理方法，其特征在于，所述预处理方法包括如下步骤：
(1)将块状的超高纯铝/铝合金样品置于18-30℃，30-50wt％的氢氟酸中，在10...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，边逸军，周佳焕，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33