一种铸锭单晶用底部高纯度免喷涂层制备方法技术

一种铸锭单晶用底部高纯度免喷涂层制备方法，将熔融石英颗粒和去离子水置于球磨机中磨制，取出后置于分散机中，再加入硅溶胶、熔融石英粉料、熔融石英粉料、高纯陶瓷粘结剂搅拌后形成浆料A；将熔融石英颗粒、去离子水置于球磨机中磨制，取出后置于搅拌机中，再加入硅溶胶、熔融石英粉料搅拌形成浆料B；将熔融石英颗粒、结晶态石英置于球磨机中磨制，取出后将石英浆料、硅溶胶、粘结剂和水混合后形成浆料C；将氮化硅、去离子水置于搅拌机中，再加入氮化硅助烧剂、硅溶胶、高纯粘结剂充分搅拌后形成浆料D；依次制作底部衬平层、粗糙疏松层、石英致密隔离层和氮化硅致密隔离层。该方法可以有效降低铸锭单晶底部红区，并可降低位错等缺陷的增殖。

【技术实现步骤摘要】
一种铸锭单晶用底部高纯度免喷涂层制备方法
本专利技术涉及坩埚加工领域，具体涉及一种铸锭单晶用底部高纯度免喷涂层制备方法。
技术介绍
光伏行业中，为了追求铸造技术的低成本、低能耗和大尺寸优势，同时，为了将单晶的高效率、高质量优势结合到多晶生产过程中，以提高多晶铸锭企业生产效率和竞争力，多采用铸锭单晶技术。在铸锭单晶技术中，先为坩埚本体制作完成后制作一层0.5～1mm厚度的高纯隔离层，铸锭前对坩埚进行氮化硅涂层喷涂，氮化硅涂层非常疏松，不能有效阻隔坩埚杂质进入硅锭，造成铸锭单晶底部红区≥50mm，直接影响铸锭单晶成品率，同时由于坩埚平整度不能满足要求，影响仔晶的安装及长晶界面易造成硅块位错、孪晶界等缺陷的产生。因而，现有技术中的铸锭单晶技术存在如下缺陷：1、铸造单晶底部红区长，降低了铸造单晶成品率，2、铸造单晶硅块位错等缺陷增殖很快；
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题，本专利技术提供一种铸锭单晶用底部高纯度免喷涂层制备方法，该方法可以有效降低铸锭单晶底部红区，能优化底部平整度、优化仔晶的拼接摆放，可降低位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铸锭单晶用底部高纯度免喷涂层制备方法，其特征在于，包括以下方法：/n步骤一：浆料A制备；/n按照重量份数计，称取75～85份100～200目熔融石英颗粒、10～20份的去离子水置于球磨机中磨制成粒径D50为3.5～8.0um的石英浆料，取出后置于高速分散机中搅拌，并向高速分散机中依次加入10～30份的硅溶胶、20～50份的D50为50～100um熔融石英粉料、40～80份的D50为100～300um熔融石英粉料、10～25份的高纯陶瓷粘结剂，充分搅拌后形成浆料A，备用；/n步骤二：浆料B制备；/n按照重量份数计，称取60～70份的熔融石英颗粒、20～40份的去离子水置于球磨机中磨制成粒...

【技术特征摘要】
1.一种铸锭单晶用底部高纯度免喷涂层制备方法，其特征在于，包括以下方法：
步骤一：浆料A制备；
按照重量份数计，称取75～85份100～200目熔融石英颗粒、10～20份的去离子水置于球磨机中磨制成粒径D50为3.5～8.0um的石英浆料，取出后置于高速分散机中搅拌，并向高速分散机中依次加入10～30份的硅溶胶、20～50份的D50为50～100um熔融石英粉料、40～80份的D50为100～300um熔融石英粉料、10～25份的高纯陶瓷粘结剂，充分搅拌后形成浆料A，备用；
步骤二：浆料B制备；
按照重量份数计，称取60～70份的熔融石英颗粒、20～40份的去离子水置于球磨机中磨制成粒径D50为8～20um的石英浆料，取出后置于搅拌机中，并向搅拌机中依次加入10～20份的硅溶胶，20～40份的D50为50～100um的熔融石英粉料，充分搅拌后形成浆料B，备用；
步骤三：浆料C制备；
按照重量份数计，称取30～100份的熔融石英颗粒、20～80份的结晶态石英置于球磨机中磨制成粒径D50为5～30um的石英浆料，取出后将石英浆料：硅溶胶：粘结剂：水按照100:10～30:1～5:10～30的比例配置后形成浆料C，备用；
步骤四：浆料D制备；
按照重量份数计，称取100份粒径D50为1～5um的氮化硅、60～100份的去离子水置于搅拌机搅拌均匀，再依次加入0.5～3份的氮化硅助烧剂、10～50份的硅溶胶、1～5份的高纯粘结剂充分搅拌后形成浆料D，备用；
步骤五：制作底部衬平层；
将坩埚基体处理干净，使用压缩空气进行吹扫，并对坩埚底部进行补水500～1000g/㎡，称取2000～3000g浆料A后再使用塑料铲将浆料A刮附于坩埚底面形成底部衬平层，涂覆完成后置于温度50～80℃的养护窑中养护5～12h；
步骤六：制作粗糙疏松层；
养护完成后使用称取600～800g浆料B置于高压气动喷枪中，使用隔膜将坩埚内部的四面进行保护，调节气压为0.25...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏成，邓亮亮，邢夫龙，孙春浩，王晨，王海果，
申请(专利权)人：徐州协鑫太阳能材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32