半导体装置的制造方法制造方法及图纸

根据一个实施方式，本实施方式的半导体装置的制造方法如下。在衬底的第1面形成半导体元件。在半导体元件的上方形成第1绝缘膜。在第1绝缘膜上形成第1布线层。在第1布线层上形成第2绝缘膜。在第2绝缘膜上形成第2布线层。在第2布线层上形成第1电极。涂布覆盖第1电极及第2布线层的保护粘接剂。将支撑衬底粘接于保护粘接剂上。研磨与第1面为相反侧的衬底的第2面。将支撑衬底从保护粘接剂取下。研削保护粘接剂直到第1电极露出为止。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法相关申请案本申请案以2019年2月13日提出申请的先行的日本专利申请案第2019-023766号的优先权的利益为基础，且要求该利益，其全部内容通过引用包含于此。
这里所要说明的多个实施方式全部涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
具有多层重布线构造(RDL(RedistributionLayer，重布层))的半导体芯片会由于布线密度差而在表面出现凹凸。如果这种表面的凹凸变大，那么在将半导体芯片积层于其他半导体芯片上时，树脂膜或树脂浆会无法填埋半导体芯片之间的间隙，从而容易产生孔隙。这将导致半导体封装件的可靠性及良率降低。
技术实现思路
本专利技术的实施方式制造一种能够在半导体芯片之间充分地填充树脂，从而可靠性较高的半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法如下。在衬底的第1面形成半导体元件。在半导体元件的上方形成第1绝缘膜。在第1绝缘膜上形成第1布线层。在第1布线层上形成第2绝缘膜。在第2绝缘膜上形成第2布线层。在第2布线层上形成第1电极。涂布覆盖第1电极及第2布线层的保护粘接剂。将支撑衬底粘接于保护粘接剂上。研磨与第1面为相反侧的衬底的第2面。将支撑衬底从保护粘接剂取下。研削保护粘接剂直到第1电极露出为止。根据所述构成，可以制造一种能够在半导体芯片之间充分地填充树脂，从而可靠性较高的半导体装置。附图说明图1(A)、(B)是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。图2(A)、(B)是接着图1，表示半导体装置的制造方法的剖视图。图3(A)、(B)是接着图2，表示半导体装置的制造方法的剖视图。图4是接着图3，表示半导体装置的制造方法的剖视图。具体实施方式下面，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本专利技术。在以下的实施方式中，半导体衬底的上下方向表示设置半导体元件的面朝上的情况下的相对方向，有时与遵从重力加速度而规定的上下方向不同。附图是示意性或概念性的，各部分的比例等未必与现实相同。在说明书及附图中，对于与围绕已经列出的附图而在上文叙述过的要素相同的要素，标注相同的符号，并适当省略详细的说明。(半导体装置的制造方法)图1(A)到图4是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的一个例子的剖视图。首先，在半导体衬底10的第1面F1上形成半导体元件(未图示)。半导体衬底例如可以为硅衬底等。半导体元件例如可以为存储单元阵列、晶体管、二极管、电阻元件、电容器等。半导体装置例如可以为NAND型闪速存储器等半导体芯片、或将多个半导体芯片倒装芯片连接而成的半导体封装件。接着，在半导体衬底10及半导体元件的上方形成布线20。布线20经由接触插塞(未图示)电连接于半导体元件的至少一部分。布线20例如由铝等导电性金属形成。接着，在布线20上形成钝化膜30。对于钝化膜30，例如使用SiO2等绝缘材料。接着，利用光刻技术及蚀刻技术，加工钝化膜30，使布线20的表面的一部分露出。接着，在半导体元件的上方，形成覆盖布线20及钝化膜30的作为第1绝缘膜的层间绝缘膜40。对于层间绝缘膜40，例如使用聚酰亚胺等绝缘膜。接着，利用光刻技术及蚀刻技术，加工层间绝缘膜40。由此，使布线20的表面的一部分露出。在层间绝缘膜40为感光性聚酰亚胺的情况下，光刻步骤中不需要光阻剂。接着，在层间绝缘膜40上形成第1布线层50。第1布线层50是所谓的RDL(RedistributionLayer，重布层)。对于第1布线层50，例如使用铝、铜、钨等导电性金属。接着，利用光刻技术及蚀刻技术，加工第1布线层50。接着，在第1布线层50及层间绝缘膜40上，形成作为第2绝缘膜的层间绝缘膜60。对于层间绝缘膜60，例如使用聚酰亚胺等绝缘膜。层间绝缘膜60的材料也可以与层间绝缘膜40的材料相同。接着，利用光刻技术及蚀刻技术，加工层间绝缘膜60。由此，使第1布线层50的表面的一部分露出。在层间绝缘膜60为感光性聚酰亚胺的情况下，光刻步骤中不需要光阻剂。接着，在层间绝缘膜60上形成第2布线层70。第2布线层70与第1布线层50同样地，为RDL。对于第2布线层70，例如使用铝、铜、钨等导电性金属。第2布线层70的材料可以与第1布线层50的材料相同。接着，利用光刻技术及蚀刻技术，加工第2布线层70。接着，在第2布线层70上形成作为第1电极的凸块80。将凸块80的材料堆积在第2布线层70上，并利用光刻技术及蚀刻技术，加工凸块80的材料。由此，凸块80形成于第2布线层70上。对于凸块80的材料，例如使用铜、镍、金、锡、钨等导电性金属。由此，得到图1(A)所示的构造。接着，如图1(B)所示，以覆盖凸块80、第2布线层70及层间绝缘膜60的方式，涂布保护粘接剂90。保护粘接剂90形成到凸块80的上表面的上方为止，将凸块80整体掩埋。这时，保护粘接剂90的上表面位于比凸块80的上表面更靠上方的位置。保护粘接剂90保护凸块80、第2布线层70及层间绝缘膜60，并且兼具作为粘接支撑衬底110的粘接剂的功能。对于保护粘接剂90，例如使用聚酰亚胺等绝缘材料。保护粘接剂90不需要利用光刻技术来加工。更确切地说，由于感光基会成为产生无用气体的原因，因此理想的是，保护粘接剂90为非感光性材料。这样一来，在本实施方式中，理想的是，层间绝缘膜40、60为具有感光性的聚酰亚胺，保护粘接剂90为不具有感光性的聚酰亚胺。这里，保护粘接剂90是通过旋转等而涂布的，或者是呈片状贴附的。由此，保护粘接剂90以大致平坦的状态覆盖具有凹凸的凸块80、第2布线层70及层间绝缘膜60的表面。通过使保护粘接剂90的表面大致平坦，能够容易地将支撑衬底110毫无间隙地贴合于保护粘接剂90。接着，在保护粘接剂90之上形成剥离层100。对于剥离层100，例如使用如硅酮般具有柔软性的树脂材料。剥离层100设置于保护粘接剂90与支撑衬底110之间，以便使贴合于保护粘接剂90的支撑衬底110容易剥除。接着，将支撑衬底110贴附于剥离层100上。支撑衬底110是具有刚性的材料，例如可以为硅衬底等。由此，得到图1(B)所示的构造。接着，保持支撑衬底110并使之旋转，研磨与第1面F1为相反侧的半导体衬底10的第2面F2。由此，如图2(A)所示，半导体衬底10被薄化。接着，形成贯通半导体衬底10而与半导体元件的至少一部分相连的通孔，并在该通孔内埋入导电性金属。由此，如图2(B)所示，形成与半导体元件的至少一部分连接的作为第2电极的贯通电极(TSV(Through-SiliconVia，硅通孔)120。贯通电极120具有贯通部分121及连接部分122。对于贯通部分121，例如使用铜。对于连接部分122，例如使用焊料(Sn)。此外，在本实施方式中，贯通电极120是在半导体衬底10被薄化之后形成的。但是，贯通电极120也可以是在半导体衬底10被薄化之前形成的。例如，贯通电极120也可以是在半导体元件的形成之前、或半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包含如下步骤：/n在衬底的第1面形成半导体元件，/n在所述半导体元件的上方形成第1绝缘膜，/n在所述第1绝缘膜上形成第1布线层，/n在所述第1布线层上形成第2绝缘膜，/n在所述第2绝缘膜上形成第2布线层，/n在所述第2布线层上形成第1电极，/n涂布覆盖所述第1电极及所述第2布线层的保护粘接剂，/n将支撑衬底粘接于所述保护粘接剂上，/n研磨与所述第1面为相反侧的所述衬底的第2面，/n将所述支撑衬底从所述保护粘接剂取下，/n去除所述保护粘接剂直到所述第1电极露出为止。/n

【技术特征摘要】
20190213 JP 2019-0237661.一种半导体装置的制造方法，包含如下步骤：
在衬底的第1面形成半导体元件，
在所述半导体元件的上方形成第1绝缘膜，
在所述第1绝缘膜上形成第1布线层，
在所述第1布线层上形成第2绝缘膜，
在所述第2绝缘膜上形成第2布线层，
在所述第2布线层上形成第1电极，
涂布覆盖所述第1电极及所述第2布线层的保护粘接剂，
将支撑衬底粘接于所述保护粘接剂上，
研磨与所述第1面为相反侧的所述衬底的第2面，
将所述支撑衬底从所述保护粘接剂取下，
去除所述保护粘接剂直到所述第1电极露出为止。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中
所述保护粘接剂的去除是通过研削进行的。


3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包含如下步骤：
在研磨所述第2面之后，形成从所述第1面的相反侧也就是第2面侧贯通所述衬底而连接于所述半导体元件的第2电极。


4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中
所述第1及所述第2绝缘膜是具有感光性的聚酰亚胺，...

【专利技术属性】
技术研发人员：志摩真也，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP