半导体装置的制造方法制造方法及图纸

根据一个实施方式，本实施方式的半导体装置的制造方法如下。在衬底的第1面形成半导体元件。在半导体元件的上方形成第1绝缘膜。在第1绝缘膜上形成第1布线层。在第1布线层上形成第2绝缘膜。在第2绝缘膜上形成第2布线层。在第2布线层上形成第1电极。涂布覆盖第1电极及第2布线层的保护粘接剂。将支撑衬底粘接于保护粘接剂上。研磨与第1面为相反侧的衬底的第2面。将支撑衬底从保护粘接剂取下。研削保护粘接剂直到第1电极露出为止。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法相关申请案本申请案以2019年2月13日提出申请的先行的日本专利申请案第2019-023766号的优先权的利益为基础，且要求该利益，其全部内容通过引用包含于此。
这里所要说明的多个实施方式全部涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
具有多层重布线构造(RDL(RedistributionLayer，重布层))的半导体芯片会由于布线密度差而在表面出现凹凸。如果这种表面的凹凸变大，那么在将半导体芯片积层于其他半导体芯片上时，树脂膜或树脂浆会无法填埋半导体芯片之间的间隙，从而容易产生孔隙。这将导致半导体封装件的可靠性及良率降低。
技术实现思路
本专利技术的实施方式制造一种能够在半导体芯片之间充分地填充树脂，从而可靠性较高的半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法如下。在衬底的第1面形成半导体元件。在半导体元件的上方形成第1绝缘膜。在第1绝缘膜上形成第1布线层。在第1布线层上形成第2绝缘膜。在第2绝缘膜上形成第2布线层。在第2布线层上形成第1电极。涂布覆盖第1电极及第2布线层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包含如下步骤：/n在衬底的第1面形成半导体元件，/n在所述半导体元件的上方形成第1绝缘膜，/n在所述第1绝缘膜上形成第1布线层，/n在所述第1布线层上形成第2绝缘膜，/n在所述第2绝缘膜上形成第2布线层，/n在所述第2布线层上形成第1电极，/n涂布覆盖所述第1电极及所述第2布线层的保护粘接剂，/n将支撑衬底粘接于所述保护粘接剂上，/n研磨与所述第1面为相反侧的所述衬底的第2面，/n将所述支撑衬底从所述保护粘接剂取下，/n去除所述保护粘接剂直到所述第1电极露出为止。/n

【技术特征摘要】
20190213 JP 2019-0237661.一种半导体装置的制造方法，包含如下步骤：
在衬底的第1面形成半导体元件，
在所述半导体元件的上方形成第1绝缘膜，
在所述第1绝缘膜上形成第1布线层，
在所述第1布线层上形成第2绝缘膜，
在所述第2绝缘膜上形成第2布线层，
在所述第2布线层上形成第1电极，
涂布覆盖所述第1电极及所述第2布线层的保护粘接剂，
将支撑衬底粘接于所述保护粘接剂上，
研磨与所述第1面为相反侧的所述衬底的第2面，
将所述支撑衬底从所述保护粘接剂取下，
去除所述保护粘接剂直到所述第1电极露出为止。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中
所述保护粘接剂的去除是通过研削进行的。


3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包含如下步骤：
在研磨所述第2面之后，形成从所述第1面的相反侧也就是第2面侧贯通所述衬底而连接于所述半导体元件的第2电极。


4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中
所述第1及所述第2绝缘膜是具有感光性的聚酰亚胺，...

【专利技术属性】
技术研发人员：志摩真也，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP