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根据一个实施方式，本实施方式的半导体装置的制造方法如下。在衬底的第1面形成半导体元件。在半导体元件的上方形成第1绝缘膜。在第1绝缘膜上形成第1布线层。在第1布线层上形成第2绝缘膜。在第2绝缘膜上形成第2布线层。在第2布线层上形成第1电极。涂...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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