蚀刻方法技术

提供蚀刻方法，能够准确且容易地检测被加工物的金属薄膜的一部分被去除规定的厚度的时机。该蚀刻方法通过蚀刻将设置有第1导电层的被加工物的第1导电层的一部分去除规定的厚度，其中，该蚀刻方法具有如下的步骤：准备步骤，准备具有基材、第2导电层以及一对导线部的试验片，该第2导电层设置于基材上并具有与规定的厚度对应的厚度，该一对导线部分别连接于第2导电层；蚀刻步骤，通过蚀刻将位于一对导线部间的第2导电层的一部分去除规定的厚度，并且将被加工物的第1导电层的一部分去除；以及检测步骤，根据一对导线部间的电阻，将第2导电层的一部分被去除的时机检测为第1导电层被去除规定的厚度的时机。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法
本专利技术涉及蚀刻方法，在通过蚀刻而将被加工物的导电层的一部分去除规定的厚度的情况下，能够检测到导电层被去除规定的厚度的时机。
技术介绍
在构成半导体装置、液晶显示装置等的一部分的基板等被加工物上设置有微细布线图案。该微细布线图案例如是在被加工物的一个面侧形成金属薄膜之后通过蚀刻将该金属薄膜部分地去除而形成的。作为金属薄膜的蚀刻的方法，广泛利用湿蚀刻。为了通过湿蚀刻而将金属薄膜的一部分去除规定的厚度，例如在金属薄膜上形成具有规定的图案形状且由光致抗蚀剂构成的掩模层之后，将被加工物浸渍于蚀刻液中。例如为了利用湿蚀刻对由金或金合金构成的金属薄膜进行处理，使用含有碘等的蚀刻液(参照专利文献1)。另外，为了将浸渍于蚀刻液的金属薄膜去除规定的厚度，有时在金属薄膜的基底层形成蚀刻阻挡层。在该情况下，金属薄膜主要在其厚度方向上被去除，直至蚀刻液到达蚀刻阻挡层为止。但是，与形成蚀刻阻挡层相应地，存在制造成本增加的问题。因此，为了将浸渍于蚀刻液的金属薄膜去除规定的厚度，有时不使用蚀刻阻挡层，而是对将形成有规定厚度的金属薄膜的被加工物浸渍于蚀刻液的时间进行管理。具体而言，首先根据作用于金属薄膜的蚀刻液的蚀刻速率而估计将金属薄膜去除规定的厚度所需的加工时间。然后，将被加工物浸渍于蚀刻液中，在经过上述的加工时间时，将被加工物从蚀刻液中取出。但是，金属薄膜的蚀刻未必在所估计的加工时间内完成。因此，考虑按照比所估计的加工时间更长的时间将被加工物浸渍于蚀刻液中。专利文献1：日本特开2003-224116号公报但是，在湿蚀刻中，各向同性地进行金属薄膜的蚀刻，因此当按照比所估计的加工时间更长的时间将被加工物浸渍于蚀刻液时，会产生所谓的底切(undercut)：位于掩模层的端部区域的下部的金属薄膜朝向比掩模层的端部靠内侧的位置而被去除。为了防止过度的底切，考虑在经过所估计的加工时间之前将被加工物从蚀刻液中取出而确认金属薄膜的厚度方向的去除量，但在去除量不足的情况下，需要再次将被加工物浸渍于蚀刻液中。因此，在一边防止过度的底切一边利用时间来管理蚀刻结束的时机的情况下，需要多次的浸渍和取出，因此花费工夫。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供蚀刻方法，能够准确且容易地检测到被加工物的金属薄膜的一部分被去除规定的厚度的时机。根据本专利技术的一个方式，提供蚀刻方法，通过蚀刻将设置有第1导电层的被加工物的该第1导电层的一部分去除规定的厚度，其中，该蚀刻方法具有如下的步骤：准备步骤，准备具有基材、第2导电层以及一对导线部的试验片，该第2导电层设置于该基材上并具有与该规定的厚度对应的厚度，该一对导线部按照相互分离的方式分别连接于该第2导电层；蚀刻步骤，通过蚀刻将位于该一对导线部间的该第2导电层的一部分去除该规定的厚度，并且将该被加工物的该第1导电层的一部分去除；以及检测步骤，根据该一对导线部间的电阻，将该第2导电层的一部分被去除的时机检测为该被加工物的该第1导电层被去除该规定的厚度的时机。优选在该蚀刻步骤中，将该被加工物和该试验片浸渍于蚀刻液中。另外，优选在该蚀刻步骤中，将该被加工物和该试验片浸渍于被该蚀刻液充满至规定的深度的一个容器的该蚀刻液中。在本专利技术的一个方式的准备步骤中，为了通过蚀刻将被加工物的第1导电层去除规定的厚度，准备具有第2导电层的试验片，该第2导电层具有与该规定的厚度对应的厚度。并且，在蚀刻步骤中，将位于一对导线部之间的第2导电层的一部分去除规定的厚度，并且将被加工物的第1导电层的至少一部分去除规定的厚度。此时，位于一对导线部之间的第2导电层的一部分和第1导电层的一部分被除去相同的规定的厚度。一对导线部按照相互分离的方式分别连接于第2导电层，通过位于一对导线部间的第2导电层而形成短路路径。但是，当第2导电层被去除至位于一对导线部间的短路路径消失时，一对导线部间的电阻急剧增加。因此，能够根据一对导线部间的电阻而检测到被加工物的第1导电层被去除规定的厚度的时机。因此，通过利用试验片，能够准确且容易地检测应将被加工物从蚀刻液中取出的时机。附图说明图1的(A)是被加工物的剖视图，图1的(B)是区域A的放大图。图2的(A)是第1实施方式的基材等的立体图，图2的(B)是第1实施方式的基材等的局部剖视侧视图。图3的(A)是第1实施方式的试验片的立体图，图3的(B)是第1实施方式的试验片的局部剖视侧视图。图4是示出蚀刻步骤的局部剖视侧视图。图5的(A)是示出电阻值相对于浸渍时间的变化的例子的曲线图，图5的(B)是蚀刻结束时的被加工物的一部分的剖视图。图6是第1实施方式的蚀刻方法的流程图。图7的(A)是第2实施方式的试验片的立体图，图7的(B)是第2实施方式的试验片的局部剖视侧视图。标号说明1：被加工物；2：晶片；4：氧化膜；5：导电层(第1导电层)；6：掩模层；12：基材；14：氧化膜；15：导电层(第2导电层)；16：布线；16a：导线部；16b：包覆部；16c：带片；16d：端子部；16e：短路路径；17：试验片；18：连接线；20：电阻测量器；30：容器；32：蚀刻液；A：区域。具体实施方式参照附图，对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。首先，对被加工物1进行说明。图1的(A)是被加工物1的剖视图，图1的(B)是区域A的放大图。被加工物1具有厚度600μm至700μm的圆盘状的晶片2。另外，晶片2的形状不限于圆盘状，也可以为矩形状。另外，晶片2由硅(Si)形成。不过，晶片2也可以由砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、钽酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、各种玻璃等材料形成。各种玻璃例如包含石英玻璃、硼硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、无碱玻璃。在晶片2的一个面上例如形成有厚度数nm的氧化膜4。氧化膜4例如是氧化硅膜。在与晶片2和氧化膜4的接合界面相反的一侧形成有由金(Au)或金合金构成的导电层(第1导电层)5。导电层5按照与氧化膜4接触的方式覆盖氧化膜4的整个正面。导电层5具有规定的厚度(例如10nm的厚度)，通过氧化膜4而与晶片2电绝缘。导电层5按照后述的蚀刻步骤而被图案化为规定的形状，能够作为形成于晶片2的布线层的一部分发挥功能。为了对导电层5进行图案化，在位于与氧化膜4和导电层5的接合界面相反的一侧的导电层5的正面上形成有通过平板印刷技术等加工为规定的形状的由光致抗蚀剂材料构成的掩模层6。导电层5在掩模层6的开口区域露出。接着，对与被加工物1一起实施蚀刻处理的试验片17进行说明。试验片17具有基材12。图2的(A)是第1实施方式的基材12等的立体图，图2的(B)是第1实施方式的基材12等的局部剖视侧视图。基材12例如由与晶片2的材料相同的材料形成。另外，基材12具有与晶片2的厚度对应的厚度(例如与晶片2相同的厚度)。基材12是长方形、正方形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，通过蚀刻将设置有第1导电层的被加工物的该第1导电层的一部分去除规定的厚度，其特征在于，/n该蚀刻方法具有如下的步骤：/n准备步骤，准备具有基材、第2导电层以及一对导线部的试验片，该第2导电层设置于该基材上并具有与该规定的厚度对应的厚度，该一对导线部按照相互分离的方式分别连接于该第2导电层；/n蚀刻步骤，通过蚀刻将位于该一对导线部间的该第2导电层的一部分去除该规定的厚度，并且将该被加工物的该第1导电层的一部分去除；以及/n检测步骤，根据该一对导线部间的电阻，将该第2导电层的一部分被去除的时机检测为该被加工物的该第1导电层被去除该规定的厚度的时机。/n

【技术特征摘要】
20190214 JP 2019-0241881.一种蚀刻方法，通过蚀刻将设置有第1导电层的被加工物的该第1导电层的一部分去除规定的厚度，其特征在于，
该蚀刻方法具有如下的步骤：
准备步骤，准备具有基材、第2导电层以及一对导线部的试验片，该第2导电层设置于该基材上并具有与该规定的厚度对应的厚度，该一对导线部按照相互分离的方式分别连接于该第2导电层；
蚀刻步骤，通过蚀刻将位于该一对导线部间的该第2导电层的一部分去除该规定的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：松崎荣，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP