蚀刻方法技术

提供蚀刻方法，能够准确且容易地检测被加工物的金属薄膜的一部分被去除规定的厚度的时机。该蚀刻方法通过蚀刻将设置有第1导电层的被加工物的第1导电层的一部分去除规定的厚度，其中，该蚀刻方法具有如下的步骤：准备步骤，准备具有基材、第2导电层以及一对导线部的试验片，该第2导电层设置于基材上并具有与规定的厚度对应的厚度，该一对导线部分别连接于第2导电层；蚀刻步骤，通过蚀刻将位于一对导线部间的第2导电层的一部分去除规定的厚度，并且将被加工物的第1导电层的一部分去除；以及检测步骤，根据一对导线部间的电阻，将第2导电层的一部分被去除的时机检测为第1导电层被去除规定的厚度的时机。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法
本专利技术涉及蚀刻方法，在通过蚀刻而将被加工物的导电层的一部分去除规定的厚度的情况下，能够检测到导电层被去除规定的厚度的时机。
技术介绍
在构成半导体装置、液晶显示装置等的一部分的基板等被加工物上设置有微细布线图案。该微细布线图案例如是在被加工物的一个面侧形成金属薄膜之后通过蚀刻将该金属薄膜部分地去除而形成的。作为金属薄膜的蚀刻的方法，广泛利用湿蚀刻。为了通过湿蚀刻而将金属薄膜的一部分去除规定的厚度，例如在金属薄膜上形成具有规定的图案形状且由光致抗蚀剂构成的掩模层之后，将被加工物浸渍于蚀刻液中。例如为了利用湿蚀刻对由金或金合金构成的金属薄膜进行处理，使用含有碘等的蚀刻液(参照专利文献1)。另外，为了将浸渍于蚀刻液的金属薄膜去除规定的厚度，有时在金属薄膜的基底层形成蚀刻阻挡层。在该情况下，金属薄膜主要在其厚度方向上被去除，直至蚀刻液到达蚀刻阻挡层为止。但是，与形成蚀刻阻挡层相应地，存在制造成本增加的问题。因此，为了将浸渍于蚀刻液的金属薄膜去除规定的厚度，有时不使用蚀刻阻挡层，而是对将形成有规定厚度的金属薄膜的被加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，通过蚀刻将设置有第1导电层的被加工物的该第1导电层的一部分去除规定的厚度，其特征在于，/n该蚀刻方法具有如下的步骤：/n准备步骤，准备具有基材、第2导电层以及一对导线部的试验片，该第2导电层设置于该基材上并具有与该规定的厚度对应的厚度，该一对导线部按照相互分离的方式分别连接于该第2导电层；/n蚀刻步骤，通过蚀刻将位于该一对导线部间的该第2导电层的一部分去除该规定的厚度，并且将该被加工物的该第1导电层的一部分去除；以及/n检测步骤，根据该一对导线部间的电阻，将该第2导电层的一部分被去除的时机检测为该被加工物的该第1导电层被去除该规定的厚度的时机。/n

【技术特征摘要】
20190214 JP 2019-0241881.一种蚀刻方法，通过蚀刻将设置有第1导电层的被加工物的该第1导电层的一部分去除规定的厚度，其特征在于，
该蚀刻方法具有如下的步骤：
准备步骤，准备具有基材、第2导电层以及一对导线部的试验片，该第2导电层设置于该基材上并具有与该规定的厚度对应的厚度，该一对导线部按照相互分离的方式分别连接于该第2导电层；
蚀刻步骤，通过蚀刻将位于该一对导线部间的该第2导电层的一部分去除该规定的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：松崎荣，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP