晶圆边缘处理方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆边缘处理方法，包括：对所述第一晶圆的边缘区域修边，修边后的所述第一晶圆呈凸台状，包括基底部和从所述基底部延伸出的凸起部。形成保护层，所述保护层至少覆盖所述凸起部的上表面边缘区域和所述凸起部的侧面。形成图形化的光阻层，所述图形化的光阻层与所述保护层接触共同覆盖所述凸起部的上表面。所述保护层保护所述凸起部的上表面边缘区域不受后续刻蚀开孔工艺的损伤。第一晶圆可与另一晶圆很好的键合，提高键合晶圆边缘的良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆边缘处理方法
本专利技术属于集成电路制造
，具体涉及一种晶圆边缘处理方法。
技术介绍
随着3D集成工艺技术的不断发展，现有的键合晶圆数量越来越多。如图1所示，在对相邻的两片晶圆(顶部晶圆和底部晶圆)进行键合之前，需要先对顶部晶圆进行修边处理，修边区域为T，顶部晶圆与底部晶圆相接触的边缘区域A(位于修边附近)存在不平整或者凹凸不平现象，顶部晶圆边缘的不平整或者凹凸不平的界面易导致晶圆键合过程中边缘键合不够紧密，从而在后续的对顶部晶圆研磨减薄工艺中易产生劈裂或碎片(例如从B处碎片)，导致键合晶圆边缘的低良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆边缘处理方法，提高晶圆键合面的平整度，提高键合晶圆边缘的良率。本专利技术提供一种晶圆边缘处理方法，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括介质层和嵌设于所述介质层中的金属层；对所述第一晶圆的边缘区域修边，修边后的所述第一晶圆呈凸台状，包括基底部和从所述基底部延伸出的凸起部；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述凸起部的上表面边缘区域；形成图形化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆边缘处理方法，其特征在于，包括：/n提供第一晶圆，所述第一晶圆包括介质层和嵌设于所述介质层中的金属层；对所述第一晶圆的边缘区域修边，修边后的所述第一晶圆呈凸台状，包括基底部和从所述基底部延伸出的凸起部；/n形成保护层，所述保护层至少覆盖所述凸起部的上表面边缘区域；/n形成图形化的光阻层，所述图形化的光阻层与所述保护层接触共同覆盖所述凸起部的上表面，所述图形化的光阻层具有位于所述金属层上方的窗口；/n以所述图形化的光阻层为掩膜，刻蚀所述介质层形成开孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆边缘处理方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆，所述第一晶圆包括介质层和嵌设于所述介质层中的金属层；对所述第一晶圆的边缘区域修边，修边后的所述第一晶圆呈凸台状，包括基底部和从所述基底部延伸出的凸起部；
形成保护层，所述保护层至少覆盖所述凸起部的上表面边缘区域；
形成图形化的光阻层，所述图形化的光阻层与所述保护层接触共同覆盖所述凸起部的上表面，所述图形化的光阻层具有位于所述金属层上方的窗口；
以所述图形化的光阻层为掩膜，刻蚀所述介质层形成开孔。


2.如权利要求1所述的晶圆边缘处理方法，其特征在于，所述保护层的材质包括：氮化硅或氮氧化硅。


3.如权利要求1所述的晶圆边缘处理方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺包括物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积中任意一种或两种以上的组合。


4.如权利要求3所述的晶圆边缘处理方法，其特征在于，采用化学气相沉积形成所述保护层时，反应气体包括含氮气体，所述含氮气体的流量约为50～1000sccm，反应腔室压强为0.1torr至3torr。


5.如权利要求1所述的晶圆边缘处理方法，其特征在于，所述保护层还覆盖所述凸起部的侧面以及修边露出的所述基底部的上表面。


6.如权利要求1至5任意一项所述的晶圆边缘处理方法，其特征在于，刻蚀所述介质层形成开孔采用各向异性等离子体刻蚀工艺，采用的刻蚀气体为CF4、C4F8、CH2F2、CHF3、...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋保英，谢岩，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42