一种钛酸盐基无铅化银电极浆料及其制备与使用方法技术

技术编号:25348260 阅读:27 留言:0更新日期:2020-08-21 17:07
本发明专利技术公开了一种钛酸盐基无铅化银电极浆料及其制备与使用方法,属于微电子元器件制备技术领域。所述银浆的组分及含量为:高活性银粉70‑85%、玻璃粉1‑5%、有机载体10‑25%、无机添加剂1‑5%、浆料改性剂1‑5%。本发明专利技术所研制出的银浆料利用V‑B‑Si‑Zn‑Bi‑Ti玻璃料实现了浆料的无铅化,且浆料含铅量小于100ppm,其它有害物质如Hg、Cd、Cr等的含量均满足RoHS环保指标的要求。将银浆应用于钛酸盐基5G微波陶瓷滤波器的电极,不同粘度的银浆可满足印刷、浸涂或喷涂工艺,烧结后附着力大于10N/mm

【技术实现步骤摘要】
一种钛酸盐基无铅化银电极浆料及其制备与使用方法
本专利技术属于微电子元器件制备
,涉及一种钛酸盐基无铅化银电极浆料及其制备与使用方法,具体涉及一种用于钛酸盐基5G微波陶瓷滤波器的银电极浆料,该浆料可通过浸涂、印刷或喷涂方法涂敷于微波陶瓷的表面,经800℃~850℃烧结后在陶瓷表面形成导电电极,电极的附着力强、导电性好,并可直接焊接使用。
技术介绍
随着5G通讯和物联网技术的发展和应用,微波通讯陶瓷滤波器的市场需求日益增加。微波陶瓷滤波器具有体积小、损耗低和性能稳定可靠等优点,是5G通讯的关键器件之一。钛酸盐基微波陶瓷材料是微波陶瓷的主要材料之一,如:MgCaTiO3、BaTiO3等微波材料,通过材料组分的调整可以实现低介、中介和高介微波材料。微波陶瓷滤波器是一种介质材料,必需在陶瓷的表面形成金属电极才能实现滤波器的功能。利用银浆料和涂敷工艺经烧结后形成银电极在工艺和性能方面相比于电镀和其他方法形成金属电极的工艺都有明显的优势。银浆料是微波陶瓷滤波器的主要关键材料,对滤波器的性能和可靠性都有直接的影响。银浆料主要由导电金属银粉、玻璃粉、有机载体和添加剂等原料配制而成,其中因为铅玻璃有较好的熔化和流动特性,对大多数陶瓷表面的浸润性好,电极的附着力强,所以,银电极浆料所用的玻璃粉一般会含铅或镉等不利于环境保护的元素。同时微波陶瓷除要求很高的电极附着力外,还必需降低滤波器的高频损耗,这就对银电极的致密性、导电性和玻璃的成分提出了特殊的要求。现阶段公开制备的银浆料中无铅化环保要求与用于5G微波陶瓷滤波器的银浆料产品性能要求不能同时满足,其制约了银浆料在微电子元器件中的应用。因此,如何提供一种环保无铅化、性能优异并可用于5G微波陶瓷滤波器的钛酸盐基银电极浆料是本领域技术人员现阶段亟需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的是针对现有技术中存在的问题,提供一种钛酸盐基无铅化银电极浆料,该浆料通过浸涂、喷涂或印刷等工艺后在微波陶瓷表面形成膜层,烧结后形成附着力牢固的导电膜,使滤波器的损耗小(品质因数高)、性能稳定可靠。为了实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:本专利技术公开保护一种无铅玻璃粉,所述无铅玻璃粉为V-B-Si-Zn-Bi-Ti系玻璃材料,且所述无铅玻璃粉的主成分为V2O5,B2O3,SiO2,ZnO,Bi2O3和TiO2,及5种所述主成分的总含量为80~90%;所述无铅玻璃粉按照质量百分比计,还包括以下原料:优选的,所述稀土和过渡金属氧化物是由Sm2O3、Nd2O3和CuO组成,按照质量百分比计为:Sm2O30.5~5%;Nd2O30.5~5%;CuO0.5~5%。优选的,所述碱金属氧化物为Na2O,Li2O、K2O中的一种或几种组合。本专利技术还请求保护上述无铅玻璃粉的制备方法,具体制备工艺如下:将原料按质量百分比称量,混合均匀后放于高铝坩埚中,在高温硅碳棒炉里加热熔化,随后将熔化的玻璃淬火处理得到玻璃颗粒,并将玻璃颗粒球磨、粉碎得到粒径D50<3μm的无铅玻璃粉;其中加热熔化的温度范围为1200℃~1300℃,保温时间为60~90min。另外,本专利技术请求保护一种钛酸盐基无铅化银电极浆料,所述银电极浆料包括上述无铅玻璃粉,还包括高活性银粉、有机载体、无机添加剂和浆料改性剂;按照质量百分比计,所述银电极浆料主要由以下原料制成:高活性银粉70~85%;无铅玻璃粉1~5%;有机载体10~25%;无机添加剂1~5%;浆料改性剂1~5%。优选的,所述高活性银粉的形状为球形或亚球形,且所述高活性银粉的D50粒径为0.5~2.0μm。需要说明的是,所述高活性银粉是由湿化学硝酸银法制得的有较高烧结活性的微米银粉。优选的,所述无机添加剂为Bi、Zn、Sn、Ga元素的氧化物或化合物的一种或几种组合。例如所述无机添加剂为Bi、Zn、Sn、Ga元素的碳酸盐或硝酸盐中的一种或几种组合。优选的,所述浆料改性剂是由触变剂、表面活性剂和消泡剂按照质量比1:1:1组成;其中所述触变剂为气相二氧化硅或氢化蓖麻油,所述表面活性剂为卵磷脂或硅烷偶联剂;所述消泡剂为正丁醇、丁基卡必醇或磷酸三丁酯。优选的,所述有机载体为溶剂和树脂按照质量比(80~90):(20~10)进行熬制而成的混合物;所述溶剂为中低熔点溶剂或中高沸点溶剂,其中,所述中低熔点溶剂为乙二醇丁醚、DBE或二甲基甲酰胺,所述中高沸点溶剂为松油醇、二乙二醇丁醚醋酸酯或TXIB;所述树脂为乙基纤维素、松香树脂、丙烯酸树脂、PVB中的一种或多种组合。值得说明的是,因常规银浆料是由导电金属银粉、玻璃粉、有机载体和添加剂等原料配制而成,其中金属银粉在高温时可在熔化的玻璃粉作用下生长为致密的导电银层;玻璃粉将金属银粉附着在硅片表面,形成致密均匀且厚度为10-25μm的导电膜;有机载体使浆料呈一种比较稳定的悬浮体,便于浸涂或印刷,且可以较长时间放置而不产生沉淀;浆料改性剂主要是改善浆料的工艺性能,使浆料具有一定的流动性和触变性。具体的,本专利技术通过创造性优选出如上所述的浆料原料配方,所述原料配方具有的优异效果,如下所述:本专利技术的浆料是一种高固含银浆料,通过银粉反应活性和玻璃材料的性能设计,使烧结后银层导电性好,银层与瓷体的附着力强,同时,银层的可焊性好。由于玻璃的熔点和高温润湿瓷体的性能经过调配,使滤波器在表现出附着力牢固的同时,器件的高频损耗小,Q值高。此外,本专利技术申请还请求保护上述钛酸盐基无铅化银电极浆料的制备方法,所述方法具体保护以下步骤:(1)配制无铅玻璃粉:按照上述公开的配方称取原料,待混合均匀后,于1200℃~1300℃下高温熔化60~90min,随后淬火、球磨至粒径D50<3μm,得到无铅玻璃粉,备用;(2)制备高活性银粉:选用湿化学硝酸银还原法制备粒径D50为0.5~2.0μm的高活性银粉,备用;(3)配制有机载体:按照公开的配方称取溶剂和树脂,并在110℃-140℃工艺条件下熬制2h后过滤得到有机载体,备用;(4)混合、研磨轧制:将步骤(1)配制的无铅玻璃粉、步骤(2)制备的高活性银粉、步骤(3)配制的有机载体与无机添加剂、浆料改性剂按原料配方称取并混合均匀,随后经三辊研磨工艺轧制至少3次,最终得到所述的钛酸盐基无铅化银电极浆料。进一步的,本专利技术公开制备的钛酸盐基无铅化银电极浆料的使用方法,具体包括如下步骤:浆料通过浸涂、印刷或喷涂方法涂敷于微波陶瓷的表面,随后经800℃~850℃烧结后在所述微波陶瓷表面形成导电电极。需要说明的是,在浆料使用过程中,需要保证浆料的细度小于10μm,并根据浆料的涂敷工艺要求调节浆料的粘度,如印刷工艺时浆料粘度为大于20Pa·s,浸涂工艺时需保证浆料粘度小于10Pa·s.与现有技术相比,本专利技术公开提供的一种钛酸盐基无铅化银电极浆料及其制备与使用方法,具有如下优异效果:1.根据钛酸盐基微波陶瓷本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种无铅玻璃粉,其特征在于,所述无铅玻璃粉为V-B-Si-Zn-Bi-Ti系玻璃材料,且所述无铅玻璃粉的主成分为V

【技术特征摘要】
1.一种无铅玻璃粉,其特征在于,所述无铅玻璃粉为V-B-Si-Zn-Bi-Ti系玻璃材料,且所述无铅玻璃粉的主成分为V2O5,B2O3,SiO2,ZnO,Bi2O3和TiO2,及5种所述主成分的总含量为80~90%;所述无铅玻璃粉按照质量百分比计,还包括以下原料:





2.根据权利要求1所述的一种无铅玻璃粉,其特征在于,所述稀土和过渡金属氧化物是由Sm2O3、Nd2O3和CuO组成,按照质量百分比计为:
Sm2O30.5~5%;
Nd2O30.5~5%;
CuO0.5~5%。


3.根据权利要求1所述的一种无铅玻璃粉,其特征在于,所述碱金属氧化物为Na2O,Li2O、K2O中的一种或几种组合。


4.一种如权利要求1~3任一所述无铅玻璃粉的制备方法,其特征在于,所述方法具体包括如下步骤:
将权利要求1中的原料按质量百分比称量,混合均匀后放于高铝坩埚中,在高温硅碳棒炉里加热熔化,随后将熔化的玻璃淬火处理得到玻璃颗粒,并将玻璃颗粒球磨、粉碎得到粒径D50<3μm的无铅玻璃粉;其中加热熔化的温度范围为1200℃~1300℃,保温时间为60~90min。


5.一种钛酸盐基无铅化银电极浆料,其特征在于,所述银电极浆料包括如权利要求1~3任一所述无铅玻璃粉,还包括高活性银粉、有机载体、无机添加剂和浆料改性剂;按照质量百分比计,所述银电极浆料主要由以下原料制成:
高活性银粉70~85%;
无铅玻璃粉1~5%;
有机载体10~25%;
无机添加剂1~5%;
浆料改性剂1~5%。


6.根据权利要求5所述的一种钛酸盐基无铅化银电极浆料,其特征在于,所述高活性银粉的形状为球形或亚球形,且所述高活性银粉的D50粒径为0.5~2.0μm;所述无机添加剂为Bi、Zn、Sn、Ga元素的氧化物或化合物的一种或几种组合。


7.根据权利要求5所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:范琳范迎辉高乐许佳陈栋
申请(专利权)人:武汉硕美特电子材料有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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