压电传感器的基片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种构成压电传感器压电片的基片，其包括基片，基片为金属基片，该基片与压电晶片相粘合的部位上均布有照相腐蚀孔，照相腐蚀孔的加工精度≥０．１ｍｍ，照相腐蚀孔的面积Ｓ≤１０（ｍｍ）↑［２］。本实用新型专利技术解决了背景技术中刚性差、抗横向干扰能力差，或弹性滞后大，而导致传感器信号品质差的技术问题。本实用新型专利技术照相腐蚀孔整体分布的均匀性好，加工精度高，照相腐蚀孔可以设置成密度非常大的孔，基片的平整度好，基片在加工至非常薄时仍可确保良好的刚性。基片的弹性、柔韧性以及抗疲劳性均较好。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种压电传感器的部件，具体涉及一种构成压电传感器压电 片的基片。技术背景压电传感器是一种物性传感器，其灵敏度取决于压电片的弹性柔顺系数。压 电片一般由基片和粘合于基片两面的压电晶片构成，压电片的弹性柔顺系数主要 取决于基片的材质、几何尺寸以及几何形状等。目前，提高压电片基片弹性柔顺 系数的措施主要有以下几种1. 通过减薄基片厚度提高压电片弹性柔顺系数。由于基片减薄，刚性变差， 而且基片自身的假频以及抗横向干扰的能力变低，因此，传感器采集有效纵波信 号的质量随之降低。2. 非金属材质的"井字型"网孔基片，虽然可以提高压电片的弹性柔顺系数， 但由于随着变形量的增大，其弹性滞后和蠕变会随之增大，使漂移度增大，导致 传感器信号的质量变差。3. 铜丝编织的网状基片，其压电片的弹性柔顺系数较高，但铜丝网结构的基 片不仅弹性滞后较大，而且难以均匀固定，故迄今未实施应用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种压电传感器的基片，其解决了
技术介绍
中刚 性差、抗横向干扰能力差，或弹性滞后大，而导致传感器信号质量差的技术问题。 本技术的技术解决方案是一种压电传感器的基片，包括基片1，其特殊之处在于所述的基片1为金 属基片，该基片1与压电晶片相粘合的部位上均布有照相腐蚀孔2，所述照相腐 蚀孔2的加工精度》0. lmm，所述照相腐蚀孔2的面积S《10(mm)2。上述照相腐蚀孔2的面积S可《1 (mm)2。 上述照相腐蚀孔2的孔径D根据设计需要还可《0. lmm。上述照相腐蚀孔2的形状可为圆形、三至多边形、梅花形等。上述基片1的厚度h可《0. lmm。上述基片1的厚度h根据设计需要还可《0. Olmm。上述照相腐蚀孔2的加工精度可X). Olmm。上述照相腐蚀孔2的加工精度根据设计需要还可X). OOlmm。上述基片1以采用为高弹金属基片为佳。上述基片1可采用恒性合金、铍青铜，以钛合金为佳。本技术具有以下优点1. 照相腐蚀孔整体分布的均匀性好，加工精度高，形成孔的毛刺微小。基片 自身的假频高，抗横向干扰能力强，弹性柔顺系数高。2. 基片的平整度好，基片与压电晶片相粘合的施胶厚度可为O.Olmm，且施胶易于均匀。3. 照相腐蚀孔可以设置成密度非常大的孔，基片在加工至非常薄时仍可确保良好的刚性。4. 基片的弹性以及柔韧性好，抗疲劳性好。弹性滞后和蠕变小，漂移度小， 传感器信号的品质优良。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式压电片一般由基片1和粘合于基片1两面的压电晶片构成，压电片的弹性柔 顺系数主要取决于基片1的材质、几何尺寸以及几何形状等。压电片做弹性振动 时，基片l上的网孔可消除内应力。参见图1，本技术的基片1为金属基片，基片1以采用为高弹金属基片 为宜。基片1的弹性以及柔韧性好，抗疲劳性好，弹性滞后和蠕变小，漂移度小， 传感器信号的品质优良。基片l具体可采用钛合金、恒性合金或铍青铜等，以钛 合金为佳。基片1与压电晶片相粘合的部位上均布有照相腐蚀孔2。照相腐蚀孔2的形状可为圆形、三至多边形、梅花形等。本技术照相腐蚀孔2整体分布的均匀性好，加工精度高，形成孔的毛刺 微小，基片l自身的假频高，抗横向干扰能力强，弹性柔顺系数高。照相腐蚀孔2的加工精度根据设计需要一般可》0. lmm，或》0.01mm。本技术的照相腐 蚀孔2的加工精度可达到》0. 001mm。照相腐蚀孔2可以设置成密度非常大的孔， 且基片l在加工至非常薄时仍可确保良好的刚性。基片l的平整度好，基片l与 压电晶片相粘合的施胶厚度可为0. Olmm。照相腐蚀孔2的面积S根据设计需要 一般《10(mm)2，较多的《l(mm)2，本技术照相腐蚀孔2的孔径D根据设计 需要可《0. lmm。本技术基片1的厚度h可《0. lmm，根据设计需要还可《 0. Olmm。权利要求1.一种压电传感器的基片，包括基片(1)，其特征在于所述的基片(1)为金属基片，该基片(1)与压电晶片相粘合的部位上均布有照相腐蚀孔(2)，所述照相腐蚀孔(2)的加工精度≥0.1mm，所述照相腐蚀孔(2)的面积S≤10(mm)2。2. 根据权利要求1所述的压电传感器的基片，其特征在于所述照相腐蚀孔 (2)的面积S《l(mm)2。3. 根据权利要求1所述的压电传感器的基片，其特征在于所述照相腐蚀孔 (2)的孔径D《0. lmm。4. 根据权利要求1或2或3所述的压电传感器的基片，其特征在于所述照 相腐蚀孔(2)的形状为圆形、三至多边形、梅花形。5. 根据权利要求4所述的压电传感器的基片，其特征在于所述基片(1) 的厚度h《0. lmm。6. 根据权利要求5所述的压电传感器的基片，其特征在于所述基片(1) 的厚度h《0. Olmm。7. 根据权利要求6所述的压电传感器的基片，其特征在于所述照相腐蚀孔 (2)的加工精度》0.01mm。8. 根据权利要求7所述的压电传感器的基片，其特征在于所述照相腐蚀孔 (2)的加工精度》0.001mm。9. 根据权利要求8所述的压电传感器的基片，其特征在于所述的基片(1) 为高弹金属基片。10. 根据权利要求9所述的压电传感器的基片，其特征在于所述的基片(1)为恒件合金、铍青铜或钛合金。专利摘要本技术涉及一种构成压电传感器压电片的基片，其包括基片，基片为金属基片，该基片与压电晶片相粘合的部位上均布有照相腐蚀孔，照相腐蚀孔的加工精度≥0.1mm，照相腐蚀孔的面积S≤10(mm)²。本技术解决了
技术介绍
中刚性差、抗横向干扰能力差，或弹性滞后大，而导致传感器信号品质差的技术问题。本技术照相腐蚀孔整体分布的均匀性好，加工精度高，照相腐蚀孔可以设置成密度非常大的孔，基片的平整度好，基片在加工至非常薄时仍可确保良好的刚性。基片的弹性、柔韧性以及抗疲劳性均较好。文档编号G01D5/12GK201045581SQ200720031970公开日2008年4月9日 申请日期2007年6月7日 优先权日2007年6月7日专利技术者军 朱 申请人:军 朱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电传感器的基片，包括基片（１），其特征在于：所述的基片（１）为金属基片，该基片（１）与压电晶片相粘合的部位上均布有照相腐蚀孔（２），所述照相腐蚀孔（２）的加工精度≥０．１ｍｍ，所述照相腐蚀孔（２）的面积Ｓ≤１０（ｍｍ）↑［２］。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱军，
申请(专利权)人：朱军，
类型：实用新型
国别省市：87[中国|西安]