一种太赫兹行波管用磁场发生装置制造方法及图纸

技术编号:25311934 阅读:78 留言:0更新日期:2020-08-18 22:30
本发明专利技术公开了一种太赫兹行波管用磁场发生装置,属于永磁装置领域,由磁轭、永磁体和保护套组成,其中,所述磁轭为薄壁圆环结构,分为对称的左磁轭(2)和右磁轭(6)两部分;所述永磁体为异形磁环结构,所述异形磁环分为左异形磁环(1)和右异形磁环(5),所述保护套分为左保护套和右保护套;所述左保护套分为左外保护套(3)和左内保护套(4);所述右保护套分为右外保护套(7)和右内保护套(8);本发明专利技术提供了一种太赫兹行波管用磁场发生装置,在其中心轴线产生具有高磁感应强度、长均匀区长度、较短抬升区、高均匀性的磁场分布,同时其结构紧凑轻便,利于真空电子器件的小型化发展。

【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹行波管用磁场发生装置
本专利技术涉及永磁组件装置领域,尤其涉及一种一种太赫兹行波管用磁场发生装置。
技术介绍
行波管作为一种重要的电真空器件,兼有宽频带和高增益两个优势。行波管的应用非常广泛,几乎所有的卫星通信都使用行波管作为末级功率放大器。在大多数雷达系统中都要使用一支或若干支行波管作为产生高频发射脉冲的大功率放大器。信息技术快速发展,对信息的传输提出了更高的要求,要提高通信系统信息传输量,就需要发射机有更高的带宽和功率。全球学者将研究方向着眼于更高频率的频谱资源—太赫兹波。作为极其重要的电真空器件,太赫兹行波管应运而生。太赫兹行波管由于其输出功率高、频带宽、紧凑轻便等优点引起国内外学者的广泛关注。但由于其高频部件尺寸太小,难于加工。近年来,曲折波导这样的可用微加工技术加工的慢波结构的突破式发展,难加工的问题得到解决。但由于其高频区尺寸太小,对电子束的聚焦提出了新的挑战,经仿真计算,传统周期永磁聚焦系统聚焦磁场磁感应强度存在瓶颈,很难满足特大功率雷达系统和电子对抗需求。因此,本领域亟需寻找一种新结构的永磁磁场技术与之匹配。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太赫兹行波管用磁场发生装置,其特征在于:由磁轭、永磁体和保护套组成,其中,/n所述磁轭为薄壁圆环结构,分为对称的左磁轭(2)和右磁轭(6)两部分;/n所述永磁体为异形磁环结构,所述异形磁环分为左异形磁环(1)和右异形磁环(5);所述左异形磁环(1)紧贴所述左磁轭(2)内表面并与左磁轭(2)固定;所述右异形磁环(5)紧贴所述右磁轭(6)内表面并与右磁轭(6)固定;/n所述保护套分为左保护套和右保护套;所述左保护套分为左外保护套(3)和左内保护套(4);所述右保护套分为右外保护套(7)和右内保护套(8);所述左内保护套(4)和左外保护套(3)分别固定于所述左异形磁环(1)的两侧,形成左磁系...

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹行波管用磁场发生装置,其特征在于:由磁轭、永磁体和保护套组成,其中,
所述磁轭为薄壁圆环结构,分为对称的左磁轭(2)和右磁轭(6)两部分;
所述永磁体为异形磁环结构,所述异形磁环分为左异形磁环(1)和右异形磁环(5);所述左异形磁环(1)紧贴所述左磁轭(2)内表面并与左磁轭(2)固定;所述右异形磁环(5)紧贴所述右磁轭(6)内表面并与右磁轭(6)固定;
所述保护套分为左保护套和右保护套;所述左保护套分为左外保护套(3)和左内保护套(4);所述右保护套分为右外保护套(7)和右内保护套(8);所述左内保护套(4)和左外保护套(3)分别固定于所述左异形磁环(1)的两侧,形成左磁系统;所述右内保护套(8)和右外保护套(7)分别固定于所述右异形磁环(5)两侧,形成右磁系统;所述左异形磁环(1)和右异形磁环(5)径向磁化,并且沿径向极性相反,同轴对中固定。


2.根据权利要求1所述的一种太赫兹行波管用磁场发生装置,其特征在于:所述左保护套和右保护套平面相对、内孔对中固定,左内保护套(4)和右内保护套(8)...

【专利技术属性】
技术研发人员:王少杰王林梅程玲莉王喜鑫王敬东叶建袁涛王磊
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第九研究所
类型:发明
国别省市:四川;51

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