一种大功率开关MOS管关断保护电路制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种大功率开关MOS管关断保护电路，包括开关电路和放电电路；所述开关电路包括第一控制信号发生器、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2和第一电阻R1，所述第一MOS管Q1的源极与电压输入端连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端连接，所述第二MOS管Q2的栅极与所述第一控制信号发生器的信号输出端连接，所述第二MOS管Q2的源极分别与所述第一电阻R1的第二端和第一参考地连接；所述放电电路连接在所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端之间，用于释放所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2存储的电能，能够实现MOS管的快速关断和导通，降低开关损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率开关MOS管关断保护电路
本技术涉及保护电路
，尤其涉及一种大功率开关MOS管关断保护电路。
技术介绍
在保护板工作过程中，功率MOS管的开关损耗一直是比较重要的问题，由于MOS管的容性特性，在MOS管作为开关管运行时，在其关断的过程中，常伴随着动作滞后的问题，“关”的过程变慢，相应的功耗也随之增加，因此容易烧坏开关管，保护板无法正常使用。针对这一问题，解决的办法是使元器件的内阻阻值足够小，甚至是没有阻值，由此，激励信号就能够提供足够的电流，MOS管的等效电容就能迅速的放电，从而达到保护MOS管的效果。但是，由于元器件本身的内阻不可能无限小，所以势必会发生开关滞后，充放电切换时，如果关断或者导通MOS管的延时较大，极有可能对MOS管造成损害甚至是烧毁，导致保护板控制失效。鉴于此，如何提供一种能够简单高效地使大功率开关MOS管迅速完成关断的保护电路，是目前亟待解决的技术问题之一。
技术实现思路
鉴于上述问题，本技术实施例提出了一种大功率开关MOS管关断保护电路，以加快开关MOS管的关断速度，缩短关断时间，进而降低开关损耗，避免开关MOS管损坏，保障保护板的有效控制。本技术实施例提供的一种大功率开关MOS管关断保护电路，包括开关电路和放电电路；所述开关电路包括第一控制信号发生器、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2和第一电阻R1，所述第一MOS管Q1的源极与电压输入端连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端连接，所述第二MOS管Q2的栅极与所述第一控制信号发生器的信号输出端连接，所述第二MOS管Q2的源极分别与所述第一电阻R1的第二端和第一参考地连接；所述放电电路连接在所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端之间，用于释放所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2存储的电能。可选地，所述放电电路包括第二控制信号发生器、第三MOS管Q3和第二电阻R2，所述第三MOS管Q3的栅极与所述第二控制信号发生器的信号输出端连接，所述第三MOS管Q3的源极与第二参考地连接，所述第三MOS管Q3的漏极与所述第二电阻R2的第一端连接，所述第二电阻R2的第二端与所述第一MOS管Q1的漏极连接。可选地，还包括第一稳压二极管D1和第二稳压二极管D2，所述第一稳压二极管D1的正向连接端与所述第二电阻R2的第二端连接，所述第一稳压二极管D1的反向连接端与所述第二稳压二极管D2的反向连接端连接，所述第二稳压二极管D2的正向连接端与第三参考地连接。可选地，所述开关电路还包括第三电阻R3和第四电阻R4，所述第三电阻R3的两端分别与所述第一MOS管Q1的栅极和所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第四电阻R4的两端分别与所述第一控制信号发生器的信号输出端和所述第二MOS管Q2的栅极连接。可选地，所述开关电路还包括第五电阻R5和第六电阻R6，所述第五电阻R5的两端分别与所述第一MOS管Q1的栅极和源极连接；所述第六电阻R6的两端分别与所述第二MOS管Q2的栅极和源极连接。可选地，所述开关电路还包括第七电阻R7，所述第七电阻R7的第一端与所述第一MOS管Q1的漏极连接，所述第七电阻R7的第二端分别与所述第一电阻R1的第一端和所述第二电阻R2的第二端连接。可选地，所述放电电路还包括第八电阻R8和第九电阻R9，所述第八电阻R8的两端分别与所述第二控制信号发生器的信号输出端和所述第三MOS管Q3的栅极连接，所述第九电阻R9的两端分别与所述第三MOS管Q3的栅极和第二参考地连接。本技术实施例提供的大功率开关MOS管关断保护电路，在保护板关断开关MOS管时，可以通过放电电路快速释放开关MOS管存储的电能，减少开关MOS管的关断时间，有效降低开关损耗，防止开关MOS管损坏。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术的具体实施方式。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1为本技术实施例提供的一种大功率开关MOS管关断保护电路；图2为本技术实施例提供的另一种大功率开关MOS管关断保护电路。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。图1为本技术实施例提供的一种大功率开关MOS管关断保护电路。如图1所示，本技术实施例提供的大功率开关MOS管关断保护电路，包括开关电路10和放电电路20；所述开关电路20包括第一控制信号发生器11、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2和第一电阻R1，所述第一MOS管Q1的源极与电压输入端VCC连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端连接，所述第二MOS管Q2的栅极与所述第一控制信号发生器11的信号输出端连接，所述第二MOS管Q2的源极分别与所述第一电阻R1的第二端和第一参考地连接；所述放电电路20连接在所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端之间，用于释放所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2存储的电能。本实施例中的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2分别采用P型MOS管和N型MOS管。具体的，在实际应用中，第一控制信号发生器11输出高电平信号DIS_ON，第二MOS管Q2导通，第二MOS管Q2的漏极为低电平，此时第一MOS管Q1的栅极为低电平，第一MOS管Q1导通，电压输入端VCC经第一MOS管Q1、第一电阻R1分压控制所述第二MOS管Q2，保护板开始工作。相应的，当保护板停止工作时，第一控制信号发生器11输出低电平信号，第一MOS管Q1和第二MOS管Q2关断。需要说明的是，针对不同的MOS管，因其容性特性所产生的电能不同，并且，为满足不同的过流能力的要求，有时需要将多个MOS管并联使用，相应的寄生电容随之增大，产生的电能也增大。所以，在实际应用中，根据电路的实际情况，适应于电路中的电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率开关MOS管关断保护电路，其特征在于，包括开关电路和放电电路；/n所述开关电路包括第一控制信号发生器、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2和第一电阻R1，所述第一MOS管Q1的源极与电压输入端连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端连接，所述第二MOS管Q2的栅极与所述第一控制信号发生器的信号输出端连接，所述第二MOS管Q2的源极分别与所述第一电阻R1的第二端和第一参考地连接；/n所述放电电路连接在所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端之间，用于释放所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2存储的电能。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率开关MOS管关断保护电路，其特征在于，包括开关电路和放电电路；
所述开关电路包括第一控制信号发生器、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2和第一电阻R1，所述第一MOS管Q1的源极与电压输入端连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端连接，所述第二MOS管Q2的栅极与所述第一控制信号发生器的信号输出端连接，所述第二MOS管Q2的源极分别与所述第一电阻R1的第二端和第一参考地连接；
所述放电电路连接在所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一电阻R1的第一端之间，用于释放所述第一MOS管Q1和所述第二MOS管Q2存储的电能。


2.根据权利要求1所述的关断保护电路，其特征在于，所述放电电路包括第二控制信号发生器、第三MOS管Q3和第二电阻R2，所述第三MOS管Q3的栅极与所述第二控制信号发生器的信号输出端连接，所述第三MOS管Q3的源极与第二参考地连接，所述第三MOS管Q3的漏极与所述第二电阻R2的第一端连接，所述第二电阻R2的第二端与所述第一MOS管Q1的漏极连接。


3.根据权利要求2所述的关断保护电路，其特征在于，还包括第一稳压二极管D1和第二稳压二极管D2，所述第一稳压二极管D1的正向连接端与所述第二电阻R2的第二端连接，所述第一稳压二极管D1...

【专利技术属性】
技术研发人员：马有镇，黄攀，赵永松，
申请(专利权)人：珠海广通汽车有限公司，银隆新能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44