在实施例中，一种封装装置包括封装组件，所述封装组件包括：第一集成电路管芯；包封体，至少局部地环绕第一集成电路管芯；重布线结构，位于包封体上，所述重布线结构与第一集成电路管芯进行实体耦合及电耦合；第一模块插座，贴合到重布线结构；中介层，与第一模块插座相邻地贴合到重布线结构，所述中介层的最外界限延伸超出重布线结构的最外界限；以及外部连接件，贴合到中介层。
【技术实现步骤摘要】
封装装置
本专利技术的实施例是有关于一种封装装置。
技术介绍
随着半导体技术持续演化，集成电路管芯(integratedcircuitdies)变得越来越小。此外，越来越多的功能被集成到管芯中。因此，管芯所需要的输入/输出(input/output，I/O)焊盘的数目增加，同时输入/输出焊盘可用的面积减小。输入/输出焊盘的密度随着时间迅速上升，从而增加了进行管芯封装的难度。在一些封装技术中，集成电路管芯在被封装之前从晶片单体化。此种封装技术的有利特征是可形成扇出型封装(fan-outpackages)，所述扇出型封装使得管芯上的输入/输出焊盘能够被重布线到更大的面积。因此管芯的表面上的输入/输出焊盘的数目可增加。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种封装装置，包括封装组件。封装组件包括第一集成电路管芯、包封体、重布线结构、第一模块插座、中介层以及外部连接件。包封体至少局部地环绕第一集成电路管芯。重布线结构与第一集成电路管芯进行实体耦合及电耦合。第一模块插座贴合到重布线结构。中介层与第一模块插座相邻地贴合到重布线结构。中介层的最外界限延伸超出重布线结构的最外界限。外部连接件贴合到中介层。本专利技术实施例提供一种封装方法，包括提供封装组件，封装组件包括第一集成电路管芯、重布线结构及导电连接件，重布线结构实体耦合到及电耦合到第一集成电路管芯，导电连接件实体耦合到及电耦合到重布线结构。在封装组件周围组装夹具。将中介层放置在封装组件及夹具之上。调整夹具以减小夹具与中介层的第一部分之间的间隙。对导电连接件进行回流焊，以将中介层实体耦合到及电耦合到重布线结构。以及，移除夹具。本专利技术实施例提供一种封装方法，包括将集成电路管芯放置在载体衬底上。使用包封体包封集成电路管芯。在包封体及集成电路管芯之上形成重布线结构，重布线结构的最外界限被设置成与重布线结构的中心相距第一距离。将模块插座贴合到重布线结构。将中介层相邻于模块插座贴合到重布线结构，中介层的内边缘被设置成与重布线结构的中心相距第二距离，中介层的外边缘被设置成与重布线结构的中心相距第三距离，第二距离小于第一距离，第三距离大于第一距离。以及，将外部连接件贴合到中介层。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1示出根据一些实施例的集成电路管芯的剖视图。图2到图11示出根据一些实施例的用于形成封装组件的工艺期间的中间步骤的剖视图。图12是根据一些实施例的封装组件的俯视图。图13示出根据一些实施例的系统晶片(system-on-wafer)总成的剖视图。图14示出根据一些实施例的系统晶片总成中的模块安装的剖视图。图15A、图15B、图15C及图15D示出根据其他实施例的系统晶片总成的剖视图。图16A到图19B是根据一些实施例的用于将中介层贴合到封装组件的工艺期间的中间步骤的各种视图。[符号的说明]50：集成电路管芯50A：系统芯片(SoC)管芯50B：输入/输出(I/O)接口管芯52：半导体衬底54：内连结构56：管芯连接件58、114、118、122、126、130、134、138：介电层100：封装组件102、102A、102B：计算部位104、104A、104B：连接部位106：载体衬底108：粘合层110：包封体112：重布线结构112A：精细特征部分112B：粗特征部分116、120、124、128、132、136：金属化图案140：凸块下金属(UBM)142：条带144：螺栓孔146、162、402：导电连接件148：模块插座150：中介层152、156、160：焊盘154：底部填充胶158：外部连接件164：装置模块166：无源装置200：热模块202：螺栓204：紧固件208：热界面材料(TIM)300：机械支架400：模块502：底部夹具部分504：中间夹具部分506：顶部夹具部分508：磁体510：开口D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9：距离G1：间隙L1、L2、L3、L4：长度P1、P2：节距T1：第一厚度T2：第二厚度T3：第三厚度T4：第四厚度W1、W2、W3、W4：宽度具体实施方式以下公开提供用于实施本专利技术的不同特征的许多不同实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且并非旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征从而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在...之下(beneath)”、“在...下方(below)”、“下部的(lower)”、“在...上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。根据一些实施例，将扇出型中介层整合在系统晶片(例如超大扇出型晶片级封装(fan-outwafer-levelpackage，FOWLP))上，从而使得系统晶片可用的输入/输出引脚数得到扩大。扇出型中介层被贴合在晶片的边缘处且延伸超出晶片的边缘。接着将外部连接件贴合到中介层。因此外部连接件可延伸超出晶片的最外界限，从而增大外部连接件可用的表面积。因此更多的外部连接件可包括在系统晶片内。图1示出根据一些实施例的集成电路管芯50的剖视图。集成电路管芯50将在后续的处理中被封装以形成集成电路封装组件。集成电路管芯50可为逻辑管芯(例如，中央处理器(centralprocessingunit，CPU)、图形处理单元(graphicsprocessingunit，GPU)、系统芯片(system-on-a-chip，SoC)、应用处理器(applicationprocessor，AP)、微控制器等)、存储器管芯(例如，动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRA本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装装置，包括：/n封装组件，包括：/n第一集成电路管芯；/n包封体，至少局部地环绕所述第一集成电路管芯；/n重布线结构，位于所述包封体上，所述重布线结构与所述第一集成电路管芯进行实体耦合及电耦合；/n第一模块插座，贴合到所述重布线结构；/n中介层，与所述第一模块插座相邻地贴合到所述重布线结构，所述中介层的最外界限延伸超出所述重布线结构的最外界限；以及/n外部连接件，贴合到所述中介层。/n
【技术特征摘要】
20190130 US 62/798,600;20190801 US 16/529,1191.一种封装装置，包括：
封装组件，包括：
第一集成电路管芯；
包封体，至少局部地环绕所述第一集成电路管...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖季晖，余振华，刘重希，蔡豪益，潘国龙，郭庭豪，郑淑蓉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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