【技术实现步骤摘要】
阻性存储器单元和存储器器件
本公开总体地涉及存储器器件，并且更特别地，涉及诸如相变存储器器件之类的阻性存储器器件。
技术介绍
存储器通常的形式是阵列，其包括字线和位线，即行和列。包含二进制信息的存储器单元位于行与列的每个交叉处。在相变存储器单元中，例如，每个存储器单元包括相变材料层，相变材料层与阻性元件接触。相变材料是可以在晶相和非晶相之间转变的材料。这样的转变由阻性元件的温度上升引起，电流传导通过该阻性元件。材料的晶相和非晶相之间的电阻差异被用于定义至少两种存储器状态，任选地0和1。包含在相变存储器单元中的数据例如通过测量存储器单元的位线和字线之间的电阻，来被访问或读出。存储器单元通常地与选择元件(例如选择晶体管)相关联。在向单元写入，或者从单元读出时，选择元件使电流能够流过该单元的阻性元件。因此，选择元件能够限制流过其他存储器单元(未被选择)的电流，而这可能妨碍向该单元的写入或者从该单元的读出。选择元件通常地形成在半导体衬底的内部和/或上部。缺点是存储器单元在密度和位置方面，受制于衬底中选...
【技术保护点】
1.一种阻性存储器单元，其特征在于，包括：/n相变材料的相变层；/n阻性元件，与所述相变材料相接触；以及/n双向阈值开关，不具有与所述相变材料的物理接触，所述阻性元件被放置在所述双向阈值开关与所述相变层之间。/n
【技术特征摘要】
20180921 FR 18586021.一种阻性存储器单元，其特征在于，包括：
相变材料的相变层；
阻性元件，与所述相变材料相接触；以及
双向阈值开关，不具有与所述相变材料的物理接触，所述阻性元件被放置在所述双向阈值开关与所述相变层之间。
2.根据权利要求1所述的阻性存储器单元，其特征在于，所述阻性元件具有“L”型的截面。
3.根据权利要求1所述的阻性存储器单元，其特征在于，所述双向阈值开关至少部分地置于导电迹线上。
4.根据权利要求1所述的阻性存储器单元，其特征在于，所述双向阈值开关具有平面的形状。
5.根据权利要求1所述的阻性存储器单元，其特征在于，所述双向阈值开关包括层的堆叠，所述堆叠包括上层和下层，所述上层和所述下层是导电层。
6.根据权利要求5所述的阻性存储器单元，其特征在于，所述导电层由碳制成。
7.根据权利要求5所述的阻性存储器单元，其特征在于，所述双向阈值开关包括基于锗和硒的合金层。
8.一种存储器器件，其特征在于，包括：
包括层级的互连网络；以及
多个存储器单元，位于所述互连网络的所述层级之间，所述多个存储器单元包括相变材料的相变层，所述相变材料的相变层由所述存储器单元中的每个存储器单元所共享，每个存储器单元进一步包括：
阻性元件，与...
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