可调电阻元件制造技术

技术编号:25089890 阅读:28 留言:0更新日期:2020-07-31 23:34
可调电阻元件包括第一端子、第二端子和具有可调电阻材料的电阻层。电阻层布置在第一端子和第二端子之间。电阻元件进一步包括具有压电材料的压电层。压电层适于向电阻层施加应力。可调电阻材料的电阻取决于施加到第一端子和第二端子的第一电控制信号以及取决于由压电层施加到电阻层的应力。由压电层施加的应力取决于施加到压电层的第二电控制信号。

【技术实现步骤摘要】
可调电阻元件主导该申请的项目已根据资助协议第[H2020-ICT-2015-688282]号获得来自欧盟的Horizon2020研究与创新计划[PETMEM(PiezoElectronicTransductionMEMory设备),2015年12月1日至2019年5月31日]的资助。
本专利技术特别涉及可调电阻元件。本专利技术进一步涉及包括可调电阻元件的相关设备、包括可调电阻元件的神经形态网络以及设计结构。
技术介绍
纳米级存储器设备的电阻取决于所施加的电信号的历史,纳米级存储器设备可能成为新的计算范式(诸如脑启发式计算和内存计算)中的关键构建块。纳米级存储器设备的一个有前途的示例是相变存储(PCM)设备。PCM是一种非易失性固态存储技术,该技术是在具有不同电阻的状态之间利用相变材料(特别是硫族化合物,诸如GST(锗-锑-碲))的可逆的热辅助切换。可以将基本存储单元(“单元”)编程为表现不同电阻特性的许多不同状态或级别。可编程单元状态可用于表示不同的数据值,从而允许存储信息。另一个领先的解决方案是电阻RAM(RR本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可调电阻元件,其包括:/n第一端子;/n第二端子;/n电阻层,其包括可调电阻材料,所述电阻层被布置在所述第一端子和所述第二端子之间;以及/n压电层,其包括压电材料,所述压电层适于向所述电阻层施加应力。/n其中,所述可调电阻材料的电阻是取决于被施加到所述第一端子和所述第二端子的第一电控制信号以及取决于由所述压电层施加到所述电阻层的所述应力;以及/n其中,由所述压电层施加的所述应力是取决于被施加到所述压电层的第二电控制信号。/n

【技术特征摘要】
20190123 US 16/2550851.一种可调电阻元件,其包括:
第一端子;
第二端子;
电阻层,其包括可调电阻材料,所述电阻层被布置在所述第一端子和所述第二端子之间;以及
压电层,其包括压电材料,所述压电层适于向所述电阻层施加应力。
其中,所述可调电阻材料的电阻是取决于被施加到所述第一端子和所述第二端子的第一电控制信号以及取决于由所述压电层施加到所述电阻层的所述应力;以及
其中,由所述压电层施加的所述应力是取决于被施加到所述压电层的第二电控制信号。


2.根据权利要求1所述的可调电阻元件,进一步包括:机械夹持层,其中,所述机械夹持层适于固定所述电阻层相对于所述压电层的位置,以便于由所述压电层向所述电阻层施加应力。


3.根据权利要求2所述的可调电阻元件,进一步包括:
基板;
其中,所述电阻层和所述压电层被布置在所述机械夹持层和所述基板之间;以及
其中,所述机械夹持层被机械地固定到所述基板。


4.根据权利要求1所述的可调电阻元件,进一步包括:
第三端子;
其中,所述压电层被布置在所述第二端子和所述第三端子之间;以及
其中,所述可调电阻元件被配置为在所述第二端子和所述第三端子之间接收所述第二电控制信号。


5.根据权利要求1所述的可调电阻元件,进一步包括:
第三端子;
第四端子;以及
介电层,其被布置在所述第二端子和所述第四端子之间;
其中,所述压电层被布置在所述第三端子和所述第四端子之间;以及
其中,所述可调电阻元件被配置为在所述第三端子和所述第四端子之间接收所述第二电控制信号。


6.根据权利要求1所述的可调电阻元件,其中,所述可调电阻材料包括电阻RAM材料。


7.根据权利要求1所述的可调电阻元件,其中,所述可调电阻材料包括相变材料。


8.根据权利要求1所述的可调电阻元件,其中,所述可调电阻材料包括铁电材料。


9.根据权利要求1所述的可调电阻元件,其中,所述电阻元件被配置为在施加设置脉冲和复位脉冲作为第一控制信号时提供双向电阻曲线。


10.一种设备,包括多个根据权利要求1所述的可调电阻元件,所述设备包括控制单元,所述控制单元被配置为将第一电控制信号和第二电控制信号施加到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·丰佩伊里内Y·波普夫S·亚伯
申请(专利权)人:国际商业机器公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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