基于编织型的柔性忆阻器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种基于编织型的柔性忆阻器及其制备方法。该柔性忆阻器包括：纵横编织的横线(10)和纵线(20)，所述横线(10)和所述纵线(20)均包括棉线，所述横线(10)和所述纵线(20)的所述棉线镀有彼此不同的金属作为电极；和半导体‑离子凝胶复合材料(3)，其位于所述横线(10)和所述纵线(20)的交叉点处且使横纵交叉的所述横线(10)和所述纵线(20)被隔开。

【技术实现步骤摘要】
基于编织型的柔性忆阻器及其制备方法
本专利技术涉及柔性电子器件领域，具体地涉及一种基于编织纤维的柔性忆阻器及其制备方法。
技术介绍
忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻器件，通过控制电流的变化可改变其阻值。如果把高阻值定义为“1”，低阻值定义为“0”，则这种电阻就可以实现存储数据的功能。基于非易失逻辑运算技术的忆阻器，是电阻、电容、电感之外的第四种电路基本元件，并且具有高速、低功耗、高集成度、兼具信息存储与计算功能等特点。鉴于此，广大科研工作者致力于基于忆阻器模拟人类大脑的深度学习机器研究，从而打造一个由神经元和忆阻器突触构成的神经网络计算机。神经网络计算机的构建，要求高速度、低功耗、高集成度等特点。高速度由具有长自由程与高态密度的半导体新材料、近弹道输运机制，以及器件技术来实现。低功耗由新材料的引入和界面态优化实现。高集成度则需要材料尺度的微型化(由块体材料到纳米线、量子点等)和微纳加工技术的提升来实现，但是，加工工艺却十分复杂，并且成本高。当前，编织型电子器件有很多报道。编织纤维型电子器件以其质轻、柔性、可贴合性，在能量存储、传感器、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于编织型的柔性忆阻器，其特征在于，所述柔性忆阻器包括：/n纵横编织的横线(10)和纵线(20)，所述横线(10)和所述纵线(20)均包括棉线，所述横线(10)和所述纵线(20)的所述棉线镀有彼此不同的金属作为电极；和/n半导体-离子凝胶复合材料(3)，其位于所述横线(10)和所述纵线(20)的交叉点处且使横纵交叉的所述横线(10)和所述纵线(20)被隔开。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于编织型的柔性忆阻器，其特征在于，所述柔性忆阻器包括：
纵横编织的横线(10)和纵线(20)，所述横线(10)和所述纵线(20)均包括棉线，所述横线(10)和所述纵线(20)的所述棉线镀有彼此不同的金属作为电极；和
半导体-离子凝胶复合材料(3)，其位于所述横线(10)和所述纵线(20)的交叉点处且使横纵交叉的所述横线(10)和所述纵线(20)被隔开。


2.根据权利要求1所述的柔性忆阻器，其特征在于，在所述横线(10)和所述纵线(20)上施加电压时会引起离子凝胶中离子的运动，从而形成双电层来改变半导体中的电子传输，实现高低阻态的切变。


3.根据权利要求1所述的柔性忆阻器，其特征在于，所述彼此不同的金属分别作为铜电极(A)和银电极(B)。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的柔性忆阻器，其特征在于，所述半导体是PEDOT:PSS。


5.一种基于编织型的柔性忆阻器的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
提供加入了离子液体的半导体原料的溶胶液体；
提供纵横编织的横线(10)和纵线(20)，所述横线(10)和所述纵线(20)均包括棉线，所述横线(10)和所述纵线(20)的所述棉线镀有彼此不同的金属作为电极；以及

【专利技术属性】
技术研发人员：冯雪，孟艳芳，马寅佶，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11