阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法，其中，阻变式存储器包括顶电极、底电极层和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极层之间，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层，所述底电极层包括底电极本体和介电层，所述底电极本体呈锥形，所述锥形的尖端朝向所述阻变层并位于设定位置处，所述介电层包覆所述底电极本体以支撑所述阻变层。本发明专利技术可提高阻变式存储器的使用效果。

【技术实现步骤摘要】
阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法
本专利技术涉及电子设备技术，尤其涉及一种阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法。
技术介绍
随着科学技术的发展，阻变式存储器的应用越来越广泛。现有的阻变式存储器包括顶电极、底电极和阻变层，阻变层夹设于顶电极和底电极之间，通过对阻变式存储器外加电压，能够在阻变层中形成导电丝。然而，现有的阻变式存储器在阻变层中所形成的导电丝位置随机且大小差异较大，导致阻变式存储器的高阻态和低阻态的分布较大，从而使高阻态和低阻态存在重叠区域，造成高阻态和低阻态无法判断的情况，影响阻变式存储器的使用效果。
技术实现思路
本专利技术提供一种阻变式存储器以及阻变式存储器的制造方法，以提高阻变式存储器的使用效果。本专利技术一方面提供一种阻变式存储器，包括顶电极、底电极层和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极层之间，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层，所述底电极层包括底电极本体和介电层，所述底电极本体呈锥形，所述锥形的尖端朝向所述阻变层并位于设定位置处，所述介电层包覆所述底电极本体以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阻变式存储器，其特征在于，包括顶电极、底电极层和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极层之间，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层，所述底电极层包括底电极本体和介电层，所述底电极本体呈锥形，所述锥形的尖端朝向所述阻变层并位于设定位置处，所述介电层包覆所述底电极本体以支撑所述阻变层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阻变式存储器，其特征在于，包括顶电极、底电极层和阻变层，所述阻变层夹设在所述顶电极和底电极层之间，所述阻变层为金属氧化物层或固态电解质层，所述底电极层包括底电极本体和介电层，所述底电极本体呈锥形，所述锥形的尖端朝向所述阻变层并位于设定位置处，所述介电层包覆所述底电极本体以支撑所述阻变层。


2.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述底电极本体为多个，多个所述底电极本体沿设定方向间隔排列，相邻两个所述底电极本体之间具有设定距离。


3.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述底电极本体为氮化钛材质。


4.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述顶电极为氮化钛材质。


5.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述阻变层为二氧化铪材质。


6.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其特征在于，所述介电层为二氧化硅材质。


7.一种阻变式存储器的制造方法，其特征在于，包括：
在...

【专利技术属性】
技术研发人员：康赐俊，沈鼎瀛，刘宇，邱泰玮，王丹云，
申请(专利权)人：厦门半导体工业技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35