背侧晶圆对准方法技术

本发明专利技术题为“背侧晶圆对准方法”。本发明专利技术公开了一种用于晶圆对准的方法的实施方式，该实施方式可包括：提供具有第一侧和第二侧的晶圆，以及在晶圆的第二侧上形成种子层。该方法可包括在两个或更多个预先确定的点处将粘稠物施加到种子层，以及将金属层镀覆在种子层上方和粘稠物周围。该方法可包括移除粘稠物以暴露种子层，以及蚀刻种子层以暴露在晶圆的第二侧上的多个对准特征结构。

【技术实现步骤摘要】
背侧晶圆对准方法相关专利申请的交叉引用本申请要求授予Seddon等人的名称为“背侧晶圆对准方法(BACKSIDEWAFERALIGNMENTMETHODS)”的美国临时专利申请62/796,680的提交日期的权益，该申请提交于2019年1月25日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
本文档的各方面整体涉及用于对准衬底的系统和方法。更具体的实施方式涉及半导体衬底。
技术介绍
半导体衬底用于形成各种半导体器件。半导体器件通常分布在多个管芯中的半导体衬底的平坦表面上。使用分割工艺(比如锯切)将多个管芯彼此分开。
技术实现思路
用于晶圆对准的方法的实施方式可包括：提供具有第一侧和第二侧的晶圆，并且在该晶圆的第二侧上形成种子层。该方法可包括在两个或更多个预先确定的点处将粘稠物施加到种子层，以及将金属层镀覆在种子层上方和粘稠物周围。该方法可包括移除粘稠物以暴露种子层，以及蚀刻种子层以暴露晶圆中的多个对准特征结构。用于晶圆对准的方法的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任一者：>该方法还可包括使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶圆对准的方法，所述方法包括：/n提供包括第一侧和第二侧的晶圆；/n在所述晶圆的第二侧上形成种子层；/n在两个或更多个预先确定的点处将粘稠物施加到所述种子层；/n将金属层镀覆在所述种子层上方和所述粘稠物周围；/n移除所述粘稠物以暴露所述种子层；/n蚀刻所述种子层以暴露所述晶圆中的多个对准特征结构。/n

【技术特征摘要】
20190125 US 62/796,680;20190709 US 16/505,9671.一种用于晶圆对准的方法，所述方法包括：
提供包括第一侧和第二侧的晶圆；
在所述晶圆的第二侧上形成种子层；
在两个或更多个预先确定的点处将粘稠物施加到所述种子层；
将金属层镀覆在所述种子层上方和所述粘稠物周围；
移除所述粘稠物以暴露所述种子层；
蚀刻所述种子层以暴露所述晶圆中的多个对准特征结构。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述多个对准特征结构来对准所述晶圆以用于分割。


3.一种用于晶圆对准的方法，所述方法包括：
提供晶圆，所述晶圆包括在所述晶圆的第一侧上的一个或多个管芯通道，以及在所述晶圆的第二侧上的种子金属层；
将粘稠物施加到所述晶圆的所述第二侧的与所述晶圆的所述第一侧上的所述一个或多个管芯通道对应的区域；
在所述种子金属层上形成金属层；以及
蚀刻所述种子金属层以暴露所述一个或多个管芯通道中的两个管芯通道，所述一个或多个管芯通道中的所述两个管芯通...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·塞登，野间崇，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US