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本发明题为“背侧晶圆对准方法”。本发明公开了一种用于晶圆对准的方法的实施方式,该实施方式可包括:提供具有第一侧和第二侧的晶圆,以及在晶圆的第二侧上形成种子层。该方法可包括在两个或更多个预先确定的点处将粘稠物施加到种子层,以及将金属层镀覆在种...该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。
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本发明题为“背侧晶圆对准方法”。本发明公开了一种用于晶圆对准的方法的实施方式,该实施方式可包括:提供具有第一侧和第二侧的晶圆,以及在晶圆的第二侧上形成种子层。该方法可包括在两个或更多个预先确定的点处将粘稠物施加到种子层,以及将金属层镀覆在种...