【技术实现步骤摘要】
三维堆叠的全透明微处理器
本专利技术涉及电子产品等具有数字智能化的设备的全透明微处理器，特别是一种采用三维堆叠结构的全透明微处理器。
技术介绍
1971年，英特尔公司推出了世界上第一款微处理器4004。自此以后的四十多年间，微处理器技术特别是个人电脑终端的CPU发展迅速，到如今技术已经十分成熟。但传统硅基CMOS与金属互连线技术使得现有的微处理器技术再继续按照既定思路发展下去时遇到了很大的瓶颈，一方面随着沟道长度的不断减小，摩尔定律即将失效，另一方面片外与片内的低速度数据交互严重制约了CPU的高速度工作，使得微处理器没法发挥出极致的性能。在追求性能和速度的今天，这样的技术妥协的弊端越来越多的展现在我们面前，因此提高数据传输速率成为关键。同样，在微处理器作为核心模块的智能家电、IOT设备以及个人穿戴设备等消费电子领域，传统CMOS技术的高成本使得现有的智能设备不得不在成本和性能的博弈上做出妥协，制约了其市场占有率。而且现有的移动端微处理器体积大、不透明，难于集成在穿戴设备上，进而厂商很难进一步缩小其产品体积，也很难进一步提高穿...
【技术保护点】
1.一种三维堆叠的全透明微处理器，其部分或全部电路可执行指令控制及算术逻辑的功能，其特征在于，三维堆叠的全透明微处理器由多个不同功能的透明电路层直接堆叠构成，每层电路层均由透明薄膜晶体管构成，不同透明电路层之间通过绝缘层屏蔽，并通过开设通孔及沉积透明导电材料实现层间互连。/n
【技术特征摘要】
1.一种三维堆叠的全透明微处理器，其部分或全部电路可执行指令控制及算术逻辑的功能，其特征在于，三维堆叠的全透明微处理器由多个不同功能的透明电路层直接堆叠构成，每层电路层均由透明薄膜晶体管构成，不同透明电路层之间通过绝缘层屏蔽，并通过开设通孔及沉积透明导电材料实现层间互连。
2.如权利要求1所述的三维堆叠的全透明微处理器，其特征在于，所述的微处理器中包含反相器，所述的反相器由四个薄膜晶体管构成，其中两个为增强型，两个为耗尽型；第一耗尽型晶体管漏极接电源，第二增强型晶体管栅极接输入，源极接地，漏极接第一耗尽型晶体管源极，第三耗尽型晶体管漏极接电源，栅极接第一耗尽型晶体管源极和第二增强型晶体管的漏极，源极接第一耗尽型晶体管栅极、第四增强型晶体管漏极共同接输出，第四增强型晶体管栅极接输入，源极接地。
3.如权利要求2所述三维堆叠的全透明微处理器，其特征在于，所述的增强型薄膜晶体管的有源层为以下元素中的一种组成的氧化物或多种复合组成的氧化物：锌、锡、铟、铝、铜、镓、银。
4.如权利要求2所述三维堆叠的全透明微...
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