【技术实现步骤摘要】
一种逆流式均温型热沉及电子芯片
本申请涉及电子芯片
，具体而言，涉及一种逆流式均温型热沉及电子芯片。
技术介绍
随着半导体制造工艺的不断进步，电子芯片拥有更高晶体管集成度与更快的运算速度，导致芯片的释热功率不断增加。从上世纪70年代至今，微处理器的功耗增加了数百倍，释热强度也已接近100W/cm2，未来可能超过1000W/cm2，因此对电子芯片的冷却技术也提出非常苛刻的要求，这也成为了制约电子芯片发展的的主要瓶颈问题之一。电子芯片冷却技术一直是相关领域的研究热点，微通道热沉是目前高功率电子芯片最主要的冷却技术，虽然微通道热沉拥有优异的换热性能，但其内部存在换热不均、热点温度过高等弊端，导致热沉应用受限。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本申请第一方面在于提供一种逆流式均温型热沉。本申请第二方面在于提出一种具有上述逆流式均温型热沉的电子芯片。本申请第一方面所采用的技术方案为：一种逆流式均温型热沉，包括热沉主体以及分别设置于热沉主体两端的第一联箱和第二联箱；所述第一联箱设置有...
【技术保护点】
1.一种逆流式均温型热沉，其特征在于，包括热沉主体（1）以及分别设置于热沉主体（1）两端的第一联箱（2）和第二联箱（3）；/n所述第一联箱（2）设置有联箱进口区（2.1）和联箱出口区（2.2），所述联箱进口区（2.1）和所述联箱出口区（2.2）相互隔绝；/n所述第二联箱（3）和所述第一联箱（2）呈对称设置；/n所述热沉主体（1）的内部设置有两套相互交错的冷却系统，其中一套冷却系统的进口与第一联箱（2）的联箱进口区（2.1）连通，出口与第二联箱（3）的联箱出口区（2.2）连通；/n另一套冷却系统的进口与第二联箱（3）的联箱进口区（2.1）连通，出口与第一联箱（2）的联箱出口区（2.2）连通。/n
【技术特征摘要】
1.一种逆流式均温型热沉，其特征在于，包括热沉主体（1）以及分别设置于热沉主体（1）两端的第一联箱（2）和第二联箱（3）；
所述第一联箱（2）设置有联箱进口区（2.1）和联箱出口区（2.2），所述联箱进口区（2.1）和所述联箱出口区（2.2）相互隔绝；
所述第二联箱（3）和所述第一联箱（2）呈对称设置；
所述热沉主体（1）的内部设置有两套相互交错的冷却系统，其中一套冷却系统的进口与第一联箱（2）的联箱进口区（2.1）连通，出口与第二联箱（3）的联箱出口区（2.2）连通；
另一套冷却系统的进口与第二联箱（3）的联箱进口区（2.1）连通，出口与第一联箱（2）的联箱出口区（2.2）连通。
2.根据权利要求1所述的一种逆流式均温型热沉，其特征在于，所述冷却系统由多个微通道组成，两套所述冷却系统呈中心对称设置，且两套所述冷却系统的微通道交错设置。
3.根据权利要求2所述的一种逆流式均温型热沉，其特征在于，所述热沉主体（1）包括盖板（1.1）、底板（1.2）和肋板（1...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜敏，冯一，唐继国，刘洪涛，莫政宇，杨伟，鲍静静，孙立成，可汗，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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