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本申请涉及电子芯片技术领域，具体涉及一种逆流式均温型热沉及电子芯片，所述热沉包括热沉主体以及分别位于热沉主体两端的第一联箱和第二联箱；所述第一联箱设置有联箱进口区和联箱出口区，所述联箱进口区和所述联箱出口区相互隔绝；所述第二联箱和所述第一联...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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