用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具，包括空心支架和刚性狭缝，所述刚性狭缝由平行设置的两块矩形板限定、且所述刚性狭缝水平放置在所述空心支架上方。本实用新型专利技术的载具，由空心支架支撑刚性狭缝组成，放置在CVD炉的冷端的等离子体区域，石墨烯生长衬底平行穿过所述刚性狭缝，利用刚性狭缝的上矩形板可以有效地对冷端产生的非碳沉积物进行遮挡，提高石墨烯薄膜质量。石墨烯生长衬底水平通过刚性狭缝，可以防止生长衬底发生偏移或倾斜，得到表面生长均匀的高质量石墨烯薄膜产品。该载具结构简单，操作方便，适用于不同尺寸大小的CVD装备，解决现有石墨烯制备过程中由于衬底污染导致的石墨烯薄膜质量差的问题。

【技术实现步骤摘要】
用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具
本技术涉及石墨烯制备领域，具体涉及在等离子体增强化学气相沉积工艺中对冷端污染物沉积防护的载具。
技术介绍
石墨烯是一种碳原子构成的单原子层的二维原子晶体材料，具有优异的光电特性，在材料、能源等诸多领域有着广泛的应用前景。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备方法是采用射频等离子体辅助进行化学气相沉积制备石墨烯的方法，该方法利用等离子体对前驱体分子进行有效裂解，降低了化学反应的势垒，使整个反应体系在较低温度条件下实现成膜反应。在利用等离子增强化学气相沉积法制备石墨烯过程中，由于碳源气体在等离子体区域会发生裂解，形成多种非碳污染物沉积在衬底表面，会对生长衬底造成污染，进而影响石墨烯薄膜的质量。
技术实现思路
本技术的一个主要目的在于利用载具对等离子体增强工艺冷端污染物进行防护。本技术提供一种用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具，包括空心支架和刚性狭缝，所述刚性狭缝由平行设置的两块矩形板限定、且所述刚性狭缝水平放置在所述空心支架上方。根据本技术的一实施方式，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具，其特征在于，包括空心支架和刚性狭缝，所述刚性狭缝由平行设置的两块矩形板限定、且所述刚性狭缝水平放置在所述空心支架上方。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体增强化学气相沉积工艺中的载具，其特征在于，包括空心支架和刚性狭缝，所述刚性狭缝由平行设置的两块矩形板限定、且所述刚性狭缝水平放置在所述空心支架上方。


2.根据权利要求1所述的载具，其特征在于，所述空心支架为截面为半圆形的底部和连接所述半圆形两侧边的水平上表面构成的中空装置，所述半圆形的弧度与等离子体增强化学气相沉积工艺中使用的石英管内表面的弧度相匹配。


3.根据权利要求2所述的载具，其特征在于，所述空心支架的上表面设置有缺口，所述刚性狭缝的、紧邻所述空心支架上表面的所述矩形板在与所述缺口相对的位置设置有与所述缺口配合的凸台。


4.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭海琳，王雄彪，杨皓，王可心，曹风，武钦慈，刘忠范，
申请(专利权)人：北京石墨烯研究院，北京大学，
类型：新型
国别省市：北京;11