具有发光二极管封装体的电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术一些实施例提供一种发光二极管封装体。上述发光二极管封装体包含一透明基板。上述发光二极管封装体亦包含第一发光二极管，设置于该透明基板上，且具有第一多重量子阱结构。上述发光二极管封装体更包含第二发光二极管，其设置于透明基板上，且具有一第二多重量子阱结构。第一多重量子阱结构与第二多重量子阱结构设置来发出不同波长的光。

【技术实现步骤摘要】
具有发光二极管封装体的电子装置
本专利技术是有关于具有发光二极管封装体的电子装置，特别是关于一种具有透明基板的发光二极管封装体及使用此发光二极管封装体的电子装置。
技术介绍
发光二极管已被广泛地应用，且朝着大量生产或轻薄化的趋势迈进。因此，如何提升发光二极管封装体的良率或轻薄化，已成为重要的项目之一。
技术实现思路
本专利技术一些实施例提供一种发光二极管封装体。上述发光二极管封装体包含一透明基板。上述发光二极管封装体亦包含第一发光二极管，设置于该透明基板上，且具有第一多重量子阱结构。上述发光二极管封装体更包含第二发光二极管，设置于透明基板上，且具有一第二多重量子阱结构。第一多重量子阱结构与第二多重量子阱结构设置来发出不同波长的光。本专利技术一些实施例提供一种电子装置。上述电子装置包含电路基板。上述电子装置亦包含设置于电路基板上的发光二极管封装体。上述发光二极管封装体包含一透明基板。上述发光二极管封装体亦包含第一发光二极管，设置于该透明基板上，且具有第一多重量子阱结构。上述发光二极管封装体更包含第二发光二极管，设置于透明基板上，且具有一第二多重量子阱结构。第一多重量子阱结构与第二多重量子阱结构设置来发出不同波长的光。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：图1根据本专利技术的一些实施例，绘示发光二极管封装体的剖面示意图；图2根据本专利技术的一些实施例，绘示发光二极管封装体的剖面示意图；图3根据本专利技术的一些实施例，绘示发光二极管封装体的剖面示意图；图4根据本专利技术的一些实施例，绘示发光二极管封装体的剖面示意图；图5根据本专利技术的一些实施例，绘示发光二极管封装体的剖面示意图；图6根据本专利技术的一些实施例，绘示发光二极管封装体的剖面示意图；图7根据本专利技术的一些实施例，绘示发光单元的上视图；图8根据本专利技术的一些实施例，绘示发光单元的上视图；图9根据本专利技术的一些实施例，绘示电子装置的剖面示意图；图10根据本专利技术的一些实施例，绘示电子装置的剖面示意图；图11A-11E根据本专利技术的一些实施例，绘示制造电子装置的方法于不同阶段的剖面示意图；图12A-12D根据本专利技术的一些实施例，绘示制造电子装置的方法于不同阶段的剖面示意图；图13根据本专利技术的一些实施例，绘示电子装置的导电垫的放大剖面图。符号说明10A、10B、10C、10D、10E、10F发光二极管封装体20A、20B、20C、20D电子装置110透明基板120A、120B、120C发光二极管122A、122B、122C多重量子阱结构124导电垫1241导电层1242接附层1243阻障层1244金属互化物层126A、126B外延外延基板130粘着层140抗反射层150遮光层160保护层170厚度调整层180焊接层190导电垫192导电层194阻障层196金属互化物层210电路基板212导电垫214焊接层220保护层230遮光层240粘着层250导电元件260保护层DS下表面S1、S2、S3表面T1、T2、T3厚度O开口H1、H2厚度U1、U2、U3、U4、U5发光单元X第二方向Y第一方向Z法线方向具体实施方式以下针对本专利技术一些实施例的发光二极管封装体及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下提供不同的实施例，用以实施本专利技术的不同样态。以下所述特定的元件及元件排列方式仅为举例而非限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，仅为了简单清楚地叙述一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及第一层别设置于或位于第二层别上时，包括第一层别与第二层别直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一层别与第二层别之间可能不直接接触。在此，「约」、「大抵」、「大致」的用语可表示在一给定值或范围的20％之内、10％之内、5％之内、3％之内、2％之内、1％之内或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明「约」、「大抵」、「大致」的情况下，仍可隐含「约」、「大抵」、「大致」的含义。能理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」、「第三」等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本专利技术一些实施例的教示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇专利技术所属的一般技艺者所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本专利技术的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本专利技术实施例有特别定义。本专利技术一些实施例可配合图式一并理解，本专利技术实施例的图式亦被视为本专利技术实施例说明的一部分。需了解的是，本专利技术实施例的图式并未以实际装置及元件的比例绘示。在图式中可能夸大实施例中元件(或层别)的形状与厚度以便清楚表现其特征。在本专利技术一些实施例中，相对性的用语例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「顶部」、「底部」等应被理解为该段及相关图式中所绘示的方位。此相对性的用语仅为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。关于接合、连接的用语例如「连接」、「互连」等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或亦可指两个结构非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或两个结构都固定的情况。值得注意的是，在后文中「基板」或「面板」一词可包括基板上已形成的元件(例如晶体管元件或电路)与覆盖在基板上的膜层，不过此处为了简化图式，仅以平整的基板表示之。参阅图1，其根据本专利技术的一些实施例，绘示发光二极管封装体10A的剖面示意图。图1及以下其他实施例所示的发光二极管封装体为了简洁而省略一些元件，可根据需求增添额外的元件，且如下述实施例所描述的元件可选择性被取代或省略。在一些实施例，如图1所示，发光二极管封装体10A可包含透明基板110。透明基板110例如在一些波段的光(例如可见光的波段)下具有高穿透率，光的穿透率例如大于80％(或90％)，但不限于此。在一些实施例，透明基板110可包含玻璃、陶瓷、塑胶、聚酰亚胺(polyimine，PI)、蓝宝石(Sapphir本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管封装体，包括：/n一透明基板；/n一第一发光二极管，设置于该透明基板上，该第一发光二极管具有一第一多重量子阱结构；/n一第二发光二极管，设置于该透明基板上，该第二发光二极管具有一第二多重量子阱结构，/n其中该第一多重量子阱结构及该第二多重量子阱结构设置来发出不同波长的光。/n

【技术特征摘要】
20190118 US 62/793,9521.一种发光二极管封装体，包括：
一透明基板；
一第一发光二极管，设置于该透明基板上，该第一发光二极管具有一第一多重量子阱结构；
一第二发光二极管，设置于该透明基板上，该第二发光二极管具有一第二多重量子阱结构，
其中该第一多重量子阱结构及该第二多重量子阱结构设置来发出不同波长的光。


2.如权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该第一发光二极管及该第二发光二极管中的至少一者粘接至该透明基板上。


3.如权利要求1所述的发光二极管封装体，其特征在于，该透明基板为用来形成该第一发光二极管的一外延基板。


4.如权利要求1所述的发光二极管封装体，更包括：
一厚度调整层，设置于该透明基板与该第二发光二极管之间。


5.如权利要求1所述的发光二极管封装体，更包括：
一外延外延基板，是用来形成该第一发光二极管，且设置于该透明基板与该第一发光二极管之间。


6.如权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡顺源，丁景隆，高克毅，毛立维，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71