【技术实现步骤摘要】
制造具有光学检测特征的模制的半导体封装体的方法本申请是申请日为2017年3月1日、申请号为201710116951.9、专利技术名称为“制造具有光学检测特征的模制的半导体封装体的方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本申请涉及模制的半导体封装体，更特别地涉及具有光学检测特征的模制的半导体封装体。
技术介绍
许多类型的模制的半导体封装体在模制的封装体的边缘处具有所谓的LTI(leadtipinspection：引线末端检测)特征，以允许对模制的封装体的金属焊垫之间的接合部或结合部进行光学检测，并且所述模制的半导体封装体具有诸如电路板的衬底，模制的封装体附接至所述衬底。所述LTI特征是模制的封装体的外围处的金属焊垫的一部分，所述部分延伸至模制的封装体的边缘并且未被模制化合物覆盖，因而允许从侧面进行光学检测。单个的模制的封装体通常由模制的衬底形成，所述模制的衬底包括多个半导体芯片以及电连接至所述芯片的金属焊垫。所述半导体芯片和所述金属焊垫嵌入在模制化合物中。金属焊垫在模制化合物的底部表面处露出。相邻的封装体的金属焊...
【技术保护点】
1.一种制造模制的半导体封装体的方法，所述方法包括：/n提供包括模制化合物的模制的半导体衬底，半导体芯片和金属焊垫嵌入在所述模制化合物中，每个金属焊垫电连接至所述半导体芯片中的相应的一个并且在所述模制化合物的第一主表面处未被所述模制化合物覆盖；/n将所述模制的半导体衬底单个化成单个的模制的封装体，所述单个的模制的封装体中的每个均包括一个或一个以上的半导体芯片以及相应的金属焊垫，每个金属焊垫均具有在所述第一主表面处未被所述模制化合物覆盖的底面，设置在每个模制的封装体的周边的所述金属焊垫还具有在单个化所述模制的封装体所沿的边缘处未被所述模制化合物覆盖的侧面；/n将所述模制的封装...
【技术特征摘要】
20160303 US 15/059,8271.一种制造模制的半导体封装体的方法，所述方法包括：
提供包括模制化合物的模制的半导体衬底，半导体芯片和金属焊垫嵌入在所述模制化合物中，每个金属焊垫电连接至所述半导体芯片中的相应的一个并且在所述模制化合物的第一主表面处未被所述模制化合物覆盖；
将所述模制的半导体衬底单个化成单个的模制的封装体，所述单个的模制的封装体中的每个均包括一个或一个以上的半导体芯片以及相应的金属焊垫，每个金属焊垫均具有在所述第一主表面处未被所述模制化合物覆盖的底面，设置在每个模制的封装体的周边的所述金属焊垫还具有在单个化所述模制的封装体所沿的边缘处未被所述模制化合物覆盖的侧面；
将所述模制的封装体浸渍于化学浴中，所述化学浴使每个金属焊垫的所述底面变粗糙并从设置在每个模制的封装体的周边的所述金属焊垫的所述侧面去除毛刺；以及
在将所述模制的封装体浸渍于所述化学浴中之后，对所述金属焊垫的未被所述模制化合物覆盖的面进行镀覆。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学浴选自以下组：过氧化氢溶液；氯化铁溶液；盐溶液；硫酸铜；和硫酸铁。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学浴包括过硫酸钠。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属焊垫的未被所述模制化合物覆盖的面通过非电解镀覆来镀覆。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述非电解镀覆包括非电解镀镍浸金(ENIG)工艺，在所述非电解镀镍浸金工艺中，将镍-磷或镍-硼合金层沉积在所述金属焊垫的未被所述模制化合物覆盖的所述表面上，然后用金层覆盖。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
在沉积所述镍-磷或镍-硼合金层之前，引入用于非电解镀覆的催化剂。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述金属焊垫包括铜，所述催化剂包括钯，且在沉积所述镍-磷或镍-硼合金层之前，所述金属焊垫的未被所述模制化合物覆盖...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·H·张，S·L·吴，S·K·李，F·M·卢姆，M·穆罕默特萨努西，M·C·吴，A·索里亚诺，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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