【技术实现步骤摘要】
功率用半导体装置的制造方法、功率用半导体装置及电力转换装置
本专利技术涉及功率用半导体装置的制造方法、功率用半导体装置及电力转换装置。
技术介绍
日本特开平5-283449号公报公开了裸芯片的焊接方法。根据该方法，首先，在回流焊工序中对裸芯片和散热器进行焊接。接着，进行检查工序。接着，进行气泡除去工序。具体而言，一边通过安装有超声波振动器的加热板台施加微振动，一边使焊料再次熔融。根据上述公报，提出了通过进行上述气泡除去工序，由此除去焊料的气泡，从而裸芯片所产生的热的散热性提高。根据日本特开2018-026417号公报，指出了如下问题，即，由于由SiC构成的半导体芯片与由Si构成的半导体芯片相比刚性高，因此在高温动作时，在焊料接合部产生大的热应变，产生劣化。并且，公开了以下内容，即，考虑到该问题，作为接合部的材料，使用Ag(银)等金属烧结体来替代焊料。在该接合部的形成工序中，将具有有机溶剂、扩散到其中的Ag颗粒的膏状接合材料印刷于基板之上。接着，使有机溶剂挥发。接着，在接合材料之上载置半导体芯片。接着，一边向基...
【技术保护点】
1.一种功率用半导体装置的制造方法，其具有以下工序：/n隔着中间构造将功率用半导体元件和支撑部件层叠，该中间构造包含第一金属膏层和至少一个第一贯穿部件，该第一金属膏层包含多个第一金属颗粒，该至少一个第一贯穿部件贯穿所述第一金属膏层；/n使安装于将所述第一金属膏层贯穿的所述至少一个第一贯穿部件的至少一个第一振动件振动；以及/n对所述第一金属膏层进行加热，以使得所述多个第一金属颗粒烧结或熔解。/n
【技术特征摘要】
20190118 JP 2019-0065101.一种功率用半导体装置的制造方法，其具有以下工序：
隔着中间构造将功率用半导体元件和支撑部件层叠，该中间构造包含第一金属膏层和至少一个第一贯穿部件，该第一金属膏层包含多个第一金属颗粒，该至少一个第一贯穿部件贯穿所述第一金属膏层；
使安装于将所述第一金属膏层贯穿的所述至少一个第一贯穿部件的至少一个第一振动件振动；以及
对所述第一金属膏层进行加热，以使得所述多个第一金属颗粒烧结或熔解。
2.根据权利要求1所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
对所述第一金属膏层进行加热的工序包含以比所述多个第一金属颗粒的熔点低的温度使所述多个第一金属颗粒烧结的工序。
3.根据权利要求1或2所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
使所述至少一个第一振动件振动的工序包含以下工序：使用通过所述至少一个第一贯穿部件的电流路径而向所述至少一个第一振动件施加电信号。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
在使所述至少一个第一振动件振动的工序中，所述至少一个第一贯穿部件具有从所述第一金属膏层凸出的第一端部及第二端部。
5.根据权利要求4所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
所述至少一个第一振动件包含：第一端部振动件，其安装于所述第一贯穿部件的所述第一端部；以及第二端部振动件，其安装于所述第一贯穿部件的所述第二端部。
6.根据权利要求5所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
在使所述至少一个第一振动件振动的工序中，至少暂时仅使所述第一端部振动件和所述第二端部振动件中的一个振动。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
使所述至少一个第一振动件振动的工序是以所述至少一个第一贯穿部件的振幅小于或等于所述第一金属膏层的厚度的方式进行的。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
所述至少一个第一贯穿部件由金属构成。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
将所述功率用半导体元件和所述支撑部件层叠的工序，是以层叠方向上的所述第一贯穿部件的一侧及另一侧分别面向所述第一金属膏层的方式进行的。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
在将所述功率用半导体元件和所述支撑部件层叠的工序中，所述至少一个第一贯穿部件沿所述功率用半导体元件的对角线方向配置。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
所述至少一个第一贯穿部件为多个贯穿部件。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
在使所述至少一个第一振动件振动的工序中，所述至少一个第一贯穿部件具有中空形状。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的功率用半导体装置的制造方法，其中，
对...
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