研磨头施压参数的检测方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种研磨头施压参数的检测方法及系统，方法包括：提供一待检测研磨头；设定待检测研磨头的使用模式，以及基于使用模式和预先建立的数据库，设定待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值；在待检测研磨头上放置薄膜感测片，并利用待检测研磨头在使用模式下对薄膜感测片施压，以由薄膜感测片检测待检测研磨头的第一实际施压参数，并验证第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值；当第一实际施压参数与第一设定值相差小于预设值时，摘除薄膜感测片，并利用待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。所述方法可以确保晶圆的研磨效果，提高晶圆的良率。

【技术实现步骤摘要】
研磨头施压参数的检测方法及系统
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种研磨头施压参数的检测方法及系统。
技术介绍
在半导体制造工艺中，通常会利用化学机械设备中的研磨头来研磨晶圆。相关技术中，对于不同的晶圆，研磨头施压参数也不同(例如针对较厚的晶圆，研磨头的施压参数应较大，对于较薄的晶圆，研磨头的施压参数应较小)。因此，在研磨某一晶圆之前，工作人员会依据经验，预先将研磨头的施压参数设定为一设定值，之后控制研磨头基于所述设定值研磨晶圆。但是，相关技术中，会对化学机械研磨设备中的研磨头进行更换，则会使得研磨头的工艺参数发生变化，从而会造成更换后的研磨头研磨晶圆时的实际施压参数与预先设定的设定值之间存在较大误差，会影响晶圆的研磨效果，降低晶圆的良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种研磨头施压参数的检测方法及系统，以确保晶圆的研磨效果，提高晶圆的良率。本专利技术提供了一种研磨头施压参数的检测方法，所述方法包括：提供一待检测研磨头；设定所述待检测研磨头的使用模式，以及基于所述使用模式和预先建立的数据库，将所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数设定为第一设定值，其中，所述数据库包括研磨头的至少一种使用模式，以及与所述研磨头的使用模式对应的研磨头的合格施压参数范围；在所述待检测研磨头上放置薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值对所述薄膜感测片施压，以由所述薄膜感测片检测所述待检测研磨头的第一实际施压参数，并验证所述第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值；当所述第一实际施压参数与第一设定值相差小于预设值时，摘除所述薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。可选的，在设定所述待检测研磨头的使用模式之前，所述方法还包括：建立所述数据库；其中，所述数据库的建立方法包括：步骤一，设定所述研磨头的使用模式以及设定所述研磨头在所述使用模式下的施压参数为第二设定值，并在研磨头上放置薄膜感测片，利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第二设定值对所述薄膜感测片施压，以由所述薄膜感测片检测所述研磨头的第二实际施压参数；步骤二，摘除所述薄膜感测片，并利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第二设定值研磨晶圆，并记录研磨后的晶圆是否满足工艺要求；若满足，则所述第二实际施压参数为合格施压参数，并收集所述合格施压参数；以及，在同一使用模式下循环执行步骤一和步骤二，以获取多个合格施压参数，并在所述多个合格施压参数中确定出最大值和最小值，构成合格施压参数范围；将所述研磨头的使用模式与所述合格施压参数范围对应存储至数据库。可选的，基于所述使用模式和预先建立的数据库，设定所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值的方法包括：基于所述待检测研磨头的使用模式，从所述数据库中确定对应的合格施压参数范围；基于确定的所述对应的合格施压参数范围设定所述第一设定值，所述第一设定值介于所述对应的合格施压参数范围内。可选的，当所述第一实际施压参数与第一设定值相差不小于预设值时，调整所述研磨头的实际施压参数至与第一设定值相差小于预设值；摘除所述薄膜感测片，并利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。可选的，所述待检测研磨头包括多个同心环形区域，每一环形区域构成独立研磨区域，当利用所述待检测研磨头研磨晶圆时，所述独立研磨区域独立地向所述晶圆施压；所述研磨头的使用模式包括用于施压的独立研磨区域的位置和个数，所述研磨头的合格施压参数范围为用于施压的独立研磨区域施压参数的合格范围；所述研磨头的第一设定值包括各个用于施压的独立研磨区域的第一设定值。可选的，在设定所述待检测研磨头的使用模式之前，所述方法还包括：建立所述数据库；其中，所述数据库的建立方法包括：步骤一，设定所述研磨头的使用模式以确定所述研磨头中用于施压的独立研磨区域，以及预先将所述研磨头中各个用于施压的独立研磨片区域的施压参数对应设定一第二设定值，并在研磨头上放置薄膜感测片，利用所述用于施压的独立研磨区域对所述薄膜感测片施压，以利用所述薄膜感测片检测每个用于施压的独立研磨区域的第二实际施压参数；步骤二，摘除所述薄膜感测片，并利用所述研磨头在所述使用模式下研磨晶圆，并记录研磨后的晶圆是否满足工艺要求；若满足，则所述第二实际施压参数为合格施压参数，并收集所述合格施压参数；以及，在同一使用模式下循环执行步骤一和步骤二，以获取各个用于施压的独立研磨区域对应的多个合格施压参数，并在所述多个合格施压参数中确定出最大值和最小值，以构成各个用于施压的独立研磨区域对应的合格施压参数范围；将所述研磨头的使用模式与对应的每个用于施压的独立研磨区域的合格施压参数范围存储至数据库。可选的，基于所述使用模式和预先建立的数据库，设定所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值的方法包括：基于所述待检测研磨头的使用模式，从所述数据库中确定所述待检测研磨头的每个用于施压的独立研磨片区域的合格施压参数范围；基于各个用于施压的独立研磨片区域的合格施压参数范围，将所述研磨头中各个用于施压的独立研磨片区域的施压参数对应设定一第一设定值，其中，各个用于施压的独立研磨区域的第一设定值均介于对应的合格施压参数范围内。可选的，利用所述待检测研磨头在所述使用模式下对所述薄膜感测片施压，以由所述薄膜感测片检测所述待检测研磨头的第一实际施压参数的方法包括：利用所述待检测研磨头的用于施压的独立研磨区域对所述薄膜感测片施压，以由所述薄膜感测片检测得每个用于施压的独立研磨区域的第一实际施压参数。可选的，验证所述第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值的方法，包括；验证所述每个用于施压的独立研磨区域的第一实际施压参数与第一设定值是否均小于预设值；当所述每个用于施压的独立研磨片区域的第一实际施压参数与第一设定值相差均小于预设值时，摘除所述薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头的各个用于施压的独立研磨片区域依照对应的第一设定值研磨晶圆。可选的，当所述第一实际施压参数与第一设定值相差不小于预设值时，所述方法还包括：确定出故障独立研磨区域，并调整所述故障独立研磨区域的实际施压参数至与对应的第一设定值相差小于预设值；摘除所述薄膜感测片，并利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。可选的，在利用所述薄膜感测片检测出所述第一实际施压参数和第二实际施压参数后，还利用一显示装置显示所述第一实际施压参数和第二实际施压参数。进一步地，本专利技术还提供一种研磨头施压参数的检测系统，所述系统包括：待检测研磨头；设定模块，用于设定待检测研磨头的使用模式，以及基于所述使用模式和预先建立的数据库，设定所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值；薄膜感测片，放置在待检测研磨头上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨头施压参数的检测方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一待检测研磨头；/n设定所述待检测研磨头的使用模式，以及基于所述使用模式和预先建立的数据库，将所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数设定为第一设定值，其中，所述数据库包括研磨头的至少一种使用模式，以及与所述研磨头的使用模式对应的研磨头的合格施压参数范围；/n在所述待检测研磨头上放置薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值对所述薄膜感测片施压，以由所述薄膜感测片检测所述待检测研磨头的第一实际施压参数，并验证所述第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值；/n当所述第一实际施压参数与第一设定值相差小于预设值时，摘除所述薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。/n

【技术特征摘要】
1.一种研磨头施压参数的检测方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一待检测研磨头；
设定所述待检测研磨头的使用模式，以及基于所述使用模式和预先建立的数据库，将所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数设定为第一设定值，其中，所述数据库包括研磨头的至少一种使用模式，以及与所述研磨头的使用模式对应的研磨头的合格施压参数范围；
在所述待检测研磨头上放置薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值对所述薄膜感测片施压，以由所述薄膜感测片检测所述待检测研磨头的第一实际施压参数，并验证所述第一实际施压参数与第一设定值相差是否小于预设值；
当所述第一实际施压参数与第一设定值相差小于预设值时，摘除所述薄膜感测片，并利用所述待检测研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。


2.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测方法，其特征在于，在设定所述待检测研磨头的使用模式之前，所述方法还包括：
建立所述数据库；
其中，所述数据库的建立方法包括：步骤一，设定所述研磨头的使用模式以及设定所述研磨头在所述使用模式下的施压参数为第二设定值，并在研磨头上放置薄膜感测片，利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第二设定值对所述薄膜感测片施压，以由所述薄膜感测片检测所述研磨头的第二实际施压参数；
步骤二，摘除所述薄膜感测片，并利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第二设定值研磨晶圆，并记录研磨后的晶圆是否满足工艺要求；若满足，则所述第二实际施压参数为合格施压参数，并收集所述合格施压参数；
以及，在同一使用模式下循环执行步骤一和步骤二，以获取多个合格施压参数，并在所述多个合格施压参数中确定出最大值和最小值，构成合格施压参数范围；
将所述研磨头的使用模式与所述合格施压参数范围对应存储至数据库。


3.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测方法，其特征在于，基于所述使用模式和预先建立的数据库，设定所述待检测研磨头在所述使用模式下的施压参数为第一设定值的方法包括：
基于所述待检测研磨头的使用模式，从所述数据库中确定对应的合格施压参数范围；
基于确定的所述对应的合格施压参数范围设定所述第一设定值，所述第一设定值介于所述对应的合格施压参数范围内。


4.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测方法，其特征在于，当所述第一实际施压参数与第一设定值相差不小于预设值时，调整所述研磨头的实际施压参数至与第一设定值相差小于预设值；
摘除所述薄膜感测片，并利用所述研磨头在所述使用模式下依照所述第一设定值研磨晶圆。


5.如权利要求1所述的研磨头施压参数的检测方法，其特征在于，所述待检测研磨头包括多个同心环形区域，每一环形区域构成独立研磨区域，当利用所述待检测研磨头研磨晶圆时，所述独立研磨区域独立地向所述晶圆施压；
所述研磨头的使用模式包括用于施压的独立研磨区域的位置和个数，所述研磨头的合格施压参数范围为用于施压的独立研磨区域施压参数的合格范围；所述研磨头的第一设定值包括各个用于施压的独立研磨区域的第一设定值。


6.如权利要求5所述的研磨头施压参数的检测方法，其特征在于，在设定所述待检测研磨头的使用模式之前，所述方法还包括：
建立所述数据库；
其中，所述数据库的建立方法包括：步骤一，设定所述研磨头的使用模式以确定所述研磨头中用于施压的独立研磨区域，以及预先将所述研磨头中各个用于施压的独立研磨片区域的施压参数对应设定一第二设定值，并在研磨头上放置薄膜感测片，利用所述用于施压的独立研磨区域对所述薄膜感测片施压，以利用所述薄膜感测片检测每个用于施压的独立研磨区域的第二实际施压参数；
步骤二，摘除所述薄膜感测片，并利用所述研磨头在所述使用模式下研磨晶圆，并记录研磨后的晶圆是否满足工艺要求；若满足，则所述第二实际施压参数为合格施压参数，并收集所述合格施压参数；
以及，在同一使用模式下循环执行步骤一和步骤二，以获取各个用于施压的独立研磨区域对应的多个合格施压参数，并在所述多个合格施压参数中确定出最大值和最小值，以构成各个用于施压的独立研磨区域对应的合...

【专利技术属性】
技术研发人员：古進忠，彭竑凯，宋受壮，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34