半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包括：半导体芯片(30)，其包含半导体基板(29)、半导体基板(29)的上表面的上表面电极(31‑1、31‑2)、选择性地覆盖上表面电极(31‑1、31‑2)的上表面的端部的绝缘膜(34)以及覆盖上表面电极(31‑1、31‑2)的上表面的在绝缘膜(34)的开口部暴露的部分的镀层(33‑1、33‑2)；金属布线板(60)，其包含位于绝缘膜(34)的上方和镀层(33‑1、33‑2)的上方的接合部(61)，并自接合部(61)的下表面向上方设有槽部(66‑1)；以及软钎料部(25)，其填满槽部(66‑1)，将接合部(61)的下表面与镀层(33‑1、33‑2)接合，在俯视时，绝缘膜(34)与镀层(33‑1、33‑2)之间的边界线A

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及一种能够作为功率半导体模块使用的半导体装置。
技术介绍
在功率半导体模块中，公知有在具有主电极和分割主电极的绝缘膜的半导体芯片使用软钎料接合金属布线板的情况。例如，专利文献1公开有一种利用软钎料连接半导体芯片的电极部和作为金属片的框架的半导体装置。专利文献2公开有一种将形成为波形的引线的与波谷相当的部分同半导体基板表面的电极接合并使与波峰相当的部分位于壳体的表面附近的电力用半导体装置。专利文献3中公开有一种利用借助凸块与半导体芯片的电极接合的接合构件和散热板夹着半导体芯片的半导体装置。专利文献4中公开有一种与发射极连接的构件在与保护膜相对的位置具有狭缝的半导体装置。专利文献5公开有一种为了防止栅极-发射极之间的短路故障而除栅电极的布线的保护膜之外还包括配置在栅电极的布线与软钎料之间的绝缘层的半导体装置。在这样的半导体模块中，在实施温度循环试验时，有时会由于金属布线板、软钎料而引起主电极产生裂纹。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-216736号公报<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，/n该半导体装置包括：/n半导体芯片，其包含具有上表面的半导体基板、配置于所述半导体基板的上表面的上表面电极、选择性地覆盖所述上表面电极的上表面的端部的绝缘膜以及覆盖所述上表面电极的上表面的在所述绝缘膜的开口部暴露的部分的镀层；/n金属布线板，其包含位于所述绝缘膜的上方和所述镀层的上方的接合部，并自所述接合部的下表面朝向所述上方设有槽部；以及/n软钎料部，其填满所述槽部，将所述接合部的下表面与所述镀层接合，/n在俯视时，所述绝缘膜与所述镀层之间的边界线配置于所述槽部的内侧，/n所述软钎料部在所述边界线上的厚度厚于在所述镀层上的厚度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180618 JP 2018-1153271.一种半导体装置，其中，
该半导体装置包括：
半导体芯片，其包含具有上表面的半导体基板、配置于所述半导体基板的上表面的上表面电极、选择性地覆盖所述上表面电极的上表面的端部的绝缘膜以及覆盖所述上表面电极的上表面的在所述绝缘膜的开口部暴露的部分的镀层；
金属布线板，其包含位于所述绝缘膜的上方和所述镀层的上方的接合部，并自所述接合部的下表面朝向所述上方设有槽部；以及
软钎料部，其填满所述槽部，将所述接合部的下表面与所述镀层接合，
在俯视时，所述绝缘膜与所述镀层之间的边界线配置于所述槽部的内侧，
所述软钎料部在所述边界线上的厚度厚于在所述镀层上的厚度。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田教文，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP