磁传感器制造技术

第一导电体部(60)包括第一基部(61)以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第一基部(61)的外形面积小的第一狭小部(62)。第一基部(61)与第一狭小部(62)在与绝缘层正交的方向上排列设置。由与第一导电体部(60)不同的材料构成的构件(80)在从与绝缘层正交的方向观察时设置在被第一狭小部(62)的外形与第一基部(61)的外形包围的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器
本专利技术涉及磁传感器，尤其涉及包括磁阻元件的磁传感器。
技术介绍
作为公开了磁传感器的结构的现有文献，具有日本特开2013-44641号公报(专利文献1)、国际公开第2015/182365号(专利文献2)、国际公开第2016/013345号(专利文献3)、国际公开第2007/119569号(专利文献4)、以及日本特开2017-166925号公报(专利文献5)。专利文献1所记载的磁传感器具备相互连接而构成桥电路并且分别形成为蜿蜒状的第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件。第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件的表面被绝缘膜覆盖。在作为所谓的固定电阻的第三磁阻元件及第四磁阻元件的表面，隔着绝缘膜而形成有由磁性材料构成的磁通集磁膜。专利文献2及专利文献3所记载的磁传感器具备第一磁阻元件、以及电阻变化率比第一磁阻元件小的第二磁阻元件。作为所谓的磁敏元件的第一磁阻元件包括呈同心圆状配置的图案。专利文献4所记载的磁传感器具备设置有多个霍尔元件的半导体基板、以及设置在半导体基板上的具有磁放大功能的磁性体。在半导体基板上设置有成为磁性体的基底的基底层。基底层具有与多个霍尔元件不同的热膨胀率。基底层具有至少局部覆盖多个霍尔元件的区域的面积。磁性体具有比基底层的面积大的面积。专利文献5所记载的磁传感器具有设置有多个霍尔元件的半导体基板、以及设置在半导体基板上的具有磁收敛功能的磁性体。在半导体基板上的磁性体的规定纵截面外形形状的外周部，具有在外周部的至少一部分具有曲线形状的部分、以及与半导体基板大致平行的部分。在磁性体内部埋入有由非磁性物质构成的构造体的至少一部分。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-44641号公报专利文献2：国际公开第2015/182365号专利文献3：国际公开第2016/013345号专利文献4：国际公开第2007/119569号专利文献5：日本特开2017-166925号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在专利文献1所记载的磁传感器中，作为所谓的磁敏元件的第一磁阻元件及第二磁阻元件分别包括蜿蜒状的图案，因此，水平磁场的检测的各向同性较低。在专利文献2及专利文献3所记载的磁传感器中，第一磁阻元件包括呈同心圆状配置的图案，因此，水平磁场的检测的各向同性较高，但无法检测微弱的垂直磁场。在专利文献4及专利文献5所记载的磁传感器中，是具备霍尔元件的磁传感器，未考虑使用磁阻元件来检测水平磁场及垂直磁场。本专利技术是鉴于上述的问题点而完成的，其目的在于，提供一种磁传感器，该磁传感器使用磁阻元件，水平磁场的检测的各向同性较高，还能够检测微弱的垂直磁场，并且，能够抑制由于从设置于磁阻元件的上方的构造体作用于磁阻元件的应力而使输出精度下降。用于解决课题的手段本专利技术的第一方面的磁传感器具备：磁敏元件；绝缘层，其覆盖磁敏元件；第一导电体部，其位于绝缘层上；第一磁性体构件，其位于第一导电体部上，在从与绝缘层正交的方向观察时，覆盖第一导电体部；以及构件，其沿着第一导电体部的一部分而设置，由与第一导电体部不同的材料构成。第一导电体部包括第一基部、以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第一基部的外形面积小的第一狭小部。第一基部与第一狭小部在与绝缘层正交的方向上排列设置。由与第一导电体部不同的材料构成的上述构件在从与绝缘层正交的方向观察时，设置在被第一狭小部的外形与第一基部的外形包围的区域。在本专利技术的一方式中，第一导电体部的第一狭小部在与绝缘层正交的方向上位于第一导电体部的绝缘层侧的端部。由与第一导电体部不同的材料构成的上述构件被第一基部与绝缘层夹着而设置。在本专利技术的一方式中，第一导电体部的第一狭小部在与绝缘层正交的方向上位于第一导电体部的第一磁性体构件侧的端部。由与第一导电体部不同的材料构成的上述构件被第一基部与第一磁性体构件夹着而设置。在本专利技术的一方式中，第一导电体部的第一基部在与绝缘层正交的方向上分别位于第一导电体部的绝缘层侧的端部及第一磁性体构件侧的端部。第一导电体部的第一狭小部在与绝缘层正交的方向上被第一导电体部的第一基部彼此夹着而设置。由与第一导电体部不同的材料构成的上述构件被第一基部彼此夹着而设置。在本专利技术的一方式中，由与第一导电体部不同的材料构成的上述构件是应力缓和部。在本专利技术的一方式中，作为磁敏元件，具有第一磁阻元件。磁传感器还具备第二磁阻元件，该第二磁阻元件与第一磁阻元件电连接而构成桥电路。第二磁阻元件被绝缘层覆盖。在本专利技术的一方式中，磁敏元件具有外周缘。第一磁性体构件在从与绝缘层正交的方向观察时，位于比磁敏元件的外周缘靠内侧的区域。在本专利技术的一方式中，第一磁阻元件还具有内周缘。第二磁阻元件在从与绝缘层正交的方向观察时，位于比第一磁阻元件的内周缘靠内侧的区域，被第一磁性体构件覆盖。在本专利技术的一方式中，磁传感器还具备：第二导电体部，其位于绝缘层上，在从与绝缘层正交的方向观察时，与第一导电体部不同；以及第二磁性体构件，其位于第二导电体部上，在从与绝缘层正交的方向观察时，覆盖第二导电体部，且与第一磁性体构件不同。第二磁阻元件位于比第一磁阻元件的外周缘靠外侧的区域，被第二磁性体构件覆盖。在本专利技术的一方式中，第二导电体部包括第二基部、以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第二基部的外形面积小的第二狭小部。在第二导电体部中，第二基部与第二狭小部在与绝缘层正交的方向上排列设置。在本专利技术的一方式中，第二导电体部的第二狭小部在与绝缘层正交的方向上位于第二导电体部的绝缘层侧的端部。在本专利技术的一方式中，第二导电体部的第二狭小部在与绝缘层正交的方向上位于第二导电体部的第二磁性体构件侧的端部。在本专利技术的一方式中，第二导电体部的第二基部在与绝缘层正交的方向上分别位于第二导电体部的绝缘层侧的端部及第二磁性体构件侧的端部。第二导电体部的第二狭小部在与绝缘层正交的方向上被第二导电体部的第二基部彼此夹着而设置。本专利技术的第二方面的磁传感器具备：磁敏元件；绝缘层，其覆盖磁敏元件；第一磁性体构件，其位于绝缘层上；应力缓和部，其沿着第一磁性体构件的一部分而设置，由与第一磁性体构件不同的材料构成。磁敏元件具有外周缘。第一磁性体构件在从与绝缘层正交的方向观察时，位于比磁敏元件的外周缘靠内侧的区域。第一磁性体构件包括第一基部、以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第一基部的外形面积小的第一狭小部。在第一磁性体构件中，第一基部与第一狭小部在与绝缘层正交的方向上排列设置。第一磁性体构件的第一狭小部在与绝缘层正交的方向上位于第一磁性体构件的绝缘层侧的端部。应力缓和部在从与绝缘层正交的方向观察时，设置在被第一狭小部的外形与第一基部的外形包围的区域，被第一基部与绝缘层夹着而设置。在本专利技术的一方式中，作为磁敏元件，具有第一磁阻元件。磁传感器还具备第二磁阻元件，该第二磁阻元件与第一磁阻元件电连接而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感器，具备：/n磁敏元件；/n绝缘层，其覆盖所述磁敏元件；/n第一导电体部，其位于所述绝缘层上；/n第一磁性体构件，其位于所述第一导电体部上，在从与所述绝缘层正交的方向观察时，覆盖所述第一导电体部；以及/n构件，其沿着所述第一导电体部的一部分而设置，由与所述第一导电体部不同的材料构成，/n所述第一导电体部包括第一基部以及从与所述绝缘层正交的方向观察到的外形面积比所述第一基部的外形面积小的第一狭小部，/n所述第一基部与所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上排列设置，/n由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件，在从与所述绝缘层正交的方向观察时，设置在被所述第一狭小部的外形与所述第一二基部的外形包围的区域。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171204 JP 2017-2328551.一种磁传感器，具备：
磁敏元件；
绝缘层，其覆盖所述磁敏元件；
第一导电体部，其位于所述绝缘层上；
第一磁性体构件，其位于所述第一导电体部上，在从与所述绝缘层正交的方向观察时，覆盖所述第一导电体部；以及
构件，其沿着所述第一导电体部的一部分而设置，由与所述第一导电体部不同的材料构成，
所述第一导电体部包括第一基部以及从与所述绝缘层正交的方向观察到的外形面积比所述第一基部的外形面积小的第一狭小部，
所述第一基部与所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上排列设置，
由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件，在从与所述绝缘层正交的方向观察时，设置在被所述第一狭小部的外形与所述第一二基部的外形包围的区域。


2.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，
所述第一导电体部的所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上位于所述第一导电体部的绝缘层侧的端部，
由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件被所述第一基部与所述绝缘层夹着而设置。


3.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，
所述第一导电体部的所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上位于所述第一导电体部的第一磁性体构件侧的端部，
由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件被所述第一基部与所述第一磁性体构件夹着而设置。


4.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，
所述第一导电体部的所述第一基部在与所述绝缘层正交的方向上分别位于所述第一导电体部的绝缘层侧的端部及第一磁性体构件侧的端部，
所述第一导电体部的所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上被所述第一导电体部的所述第一基部彼此夹着而设置，
由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件被所述第一基部彼此夹着而设置。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁传感器，其中，
由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件是应力缓和部。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的磁传感器，其中，
作为所述磁敏元件，具有第一磁阻元件，
所述磁传感器还具备第二磁阻元件，该第二磁阻元件与所述第一磁阻元件电连接而构成桥电路，
所述第二磁阻元件被所述绝缘层覆盖。


7.根据权利要求6所述的磁传感器，其中，
所述磁敏元件具有外周缘，
所述第一磁性体构件在从与所述绝缘层正交的方向观察时，位于比所述磁敏元件的所述外周缘靠内侧的区域。


8.根据权利要求7所述的磁传感器，其中，
所述第一磁阻元件还具有内周缘，
所述第二磁阻元件在从与所述绝缘层正交的方向观察时，位于比所述第一磁阻元件的所述内周缘靠内侧的区域，且被所述第一磁性体构件覆盖。


9.根据权利要求7所述的磁传感器，其中，
所述磁传感器还具备：
第二导电体部，其位于所述绝缘层上，在从与所述绝缘层正交的方向观察时，与所述第一导电体部不同；以及
第二磁性体构件，其位于所述第二导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：栃下光，坪川雅，堤弘毅，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP