磁传感器制造技术

第一导电体部(60)包括第一基部(61)以及从与绝缘层正交的方向观察到的外形面积比第一基部(61)的外形面积小的第一狭小部(62)。第一基部(61)与第一狭小部(62)在与绝缘层正交的方向上排列设置。由与第一导电体部(60)不同的材料构成的构件(80)在从与绝缘层正交的方向观察时设置在被第一狭小部(62)的外形与第一基部(61)的外形包围的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器
本专利技术涉及磁传感器，尤其涉及包括磁阻元件的磁传感器。
技术介绍
作为公开了磁传感器的结构的现有文献，具有日本特开2013-44641号公报(专利文献1)、国际公开第2015/182365号(专利文献2)、国际公开第2016/013345号(专利文献3)、国际公开第2007/119569号(专利文献4)、以及日本特开2017-166925号公报(专利文献5)。专利文献1所记载的磁传感器具备相互连接而构成桥电路并且分别形成为蜿蜒状的第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件。第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件的表面被绝缘膜覆盖。在作为所谓的固定电阻的第三磁阻元件及第四磁阻元件的表面，隔着绝缘膜而形成有由磁性材料构成的磁通集磁膜。专利文献2及专利文献3所记载的磁传感器具备第一磁阻元件、以及电阻变化率比第一磁阻元件小的第二磁阻元件。作为所谓的磁敏元件的第一磁阻元件包括呈同心圆状配置的图案。专利文献4所记载的磁传感器具备设置有多个霍尔元件的半导体基板、以及设置在半导体基板上的具有磁放大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁传感器，具备：/n磁敏元件；/n绝缘层，其覆盖所述磁敏元件；/n第一导电体部，其位于所述绝缘层上；/n第一磁性体构件，其位于所述第一导电体部上，在从与所述绝缘层正交的方向观察时，覆盖所述第一导电体部；以及/n构件，其沿着所述第一导电体部的一部分而设置，由与所述第一导电体部不同的材料构成，/n所述第一导电体部包括第一基部以及从与所述绝缘层正交的方向观察到的外形面积比所述第一基部的外形面积小的第一狭小部，/n所述第一基部与所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上排列设置，/n由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件，在从与所述绝缘层正交的方向观察时，设置在被所述第一狭小部的外形与所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171204 JP 2017-2328551.一种磁传感器，具备：
磁敏元件；
绝缘层，其覆盖所述磁敏元件；
第一导电体部，其位于所述绝缘层上；
第一磁性体构件，其位于所述第一导电体部上，在从与所述绝缘层正交的方向观察时，覆盖所述第一导电体部；以及
构件，其沿着所述第一导电体部的一部分而设置，由与所述第一导电体部不同的材料构成，
所述第一导电体部包括第一基部以及从与所述绝缘层正交的方向观察到的外形面积比所述第一基部的外形面积小的第一狭小部，
所述第一基部与所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上排列设置，
由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件，在从与所述绝缘层正交的方向观察时，设置在被所述第一狭小部的外形与所述第一二基部的外形包围的区域。


2.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，
所述第一导电体部的所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上位于所述第一导电体部的绝缘层侧的端部，
由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件被所述第一基部与所述绝缘层夹着而设置。


3.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，
所述第一导电体部的所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上位于所述第一导电体部的第一磁性体构件侧的端部，
由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件被所述第一基部与所述第一磁性体构件夹着而设置。


4.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，
所述第一导电体部的所述第一基部在与所述绝缘层正交的方向上分别位于所述第一导电体部的绝缘层侧的端部及第一磁性体构件侧的端部，
所述第一导电体部的所述第一狭小部在与所述绝缘层正交的方向上被所述第一导电体部的所述第一基部彼此夹着而设置，
由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件被所述第一基部彼此夹着而设置。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁传感器，其中，
由与所述第一导电体部不同的材料构成的所述构件是应力缓和部。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的磁传感器，其中，
作为所述磁敏元件，具有第一磁阻元件，
所述磁传感器还具备第二磁阻元件，该第二磁阻元件与所述第一磁阻元件电连接而构成桥电路，
所述第二磁阻元件被所述绝缘层覆盖。


7.根据权利要求6所述的磁传感器，其中，
所述磁敏元件具有外周缘，
所述第一磁性体构件在从与所述绝缘层正交的方向观察时，位于比所述磁敏元件的所述外周缘靠内侧的区域。


8.根据权利要求7所述的磁传感器，其中，
所述第一磁阻元件还具有内周缘，
所述第二磁阻元件在从与所述绝缘层正交的方向观察时，位于比所述第一磁阻元件的所述内周缘靠内侧的区域，且被所述第一磁性体构件覆盖。


9.根据权利要求7所述的磁传感器，其中，
所述磁传感器还具备：
第二导电体部，其位于所述绝缘层上，在从与所述绝缘层正交的方向观察时，与所述第一导电体部不同；以及
第二磁性体构件，其位于所述第二导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：栃下光，坪川雅，堤弘毅，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP