【技术实现步骤摘要】
通风基座相关申请的交叉参考本申请要求2019年1月17日提交的标题为“通风基座(VENTEDSUSCEPTOR)”的第62/793,852号美国临时申请的优先权权益，所述申请特此以引用方式全文并入本文中。根据37CFR1.57，特此通过引用并入在与本申请一起提交的申请数据表中识别其国外或国内优先权要求的任何和所有申请。
本公开大体上涉及半导体处理，且更具体来说，涉及用于支撑处理室中的半导体衬底的基座。
技术介绍
通常在受控工艺条件下通过支撑在基座上的反应室内的衬底进行半导体制造工艺。对于多个工艺，在反应室内加热半导体衬底(例如，晶片)。在处理期间可能出现与衬底和基座之间的物理交互有关的多个质量控制问题。
技术实现思路
在一些实施例中，提供一种基座。所述基座可以包含：面，所述面被配置成将衬底支撑在其上；外边缘，所述外边缘在所述面周围形成外周边；后表面，所述后表面与所述面相对。所述面可以包含：通道区域，所述通道区域位于所述外边缘与所述面的中心之间；以及多个通道，所述多个通道安置于所述通道区域内...
【技术保护点】
1.一种基座，包括：/n面，所述面被配置成将衬底支撑在其上；/n外边缘，所述外边缘在所述面周围形成外周边；/n后表面，所述后表面与所述面相对，其中所述面包括：/n通道区域，所述通道区域位于所述外边缘与所述面的中心之间；以及/n多个通道，所述多个通道安置于所述通道区域内并且相对于所述面的所述中心径向延伸；以及/n一个或多个孔口，所述一个或多个孔口在所述面与所述后表面之间延伸，所述一个或多个孔口被配置成允许销延伸穿过所述一个或多个孔口并且从所述基座的所述面提升衬底，所述一个或多个孔口安置于所述通道区域内。/n
【技术特征摘要】
20190117 US 62/793,8521.一种基座，包括：
面，所述面被配置成将衬底支撑在其上；
外边缘，所述外边缘在所述面周围形成外周边；
后表面，所述后表面与所述面相对，其中所述面包括：
通道区域，所述通道区域位于所述外边缘与所述面的中心之间；以及
多个通道，所述多个通道安置于所述通道区域内并且相对于所述面的所述中心径向延伸；以及
一个或多个孔口，所述一个或多个孔口在所述面与所述后表面之间延伸，所述一个或多个孔口被配置成允许销延伸穿过所述一个或多个孔口并且从所述基座的所述面提升衬底，所述一个或多个孔口安置于所述通道区域内。
2.根据权利要求1所述的基座，其中所述面还包括在所述外边缘与所述通道区域的外部径向边界之间径向延伸的基本上平坦且平滑的边沿区域。
3.根据权利要求1所述的基座，其中所述多个通道中的至少一个的横截面包括：
第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的每一个基本上是平坦的，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁相对于彼此以锐角安置。
4.根据权利要求1所述的基座，其中所述多个通道中的每一个在径向方向上基本上是笔直的，并且其中所述多个通道中的第一通道与第二通道之间的角距大于所述多个通道中的所述第二通道与第三通道之间的角距，其中所述第一通道与所述第二通道径向连续并且所述第二通道与所述第三通道径向连续。
5.根据权利要求4所述的基座，其中所述第一通道与所述第二通道之间的所述角距比所述第二通道与所述第三通道之间的所述角距大至少约50％。
6.根据权利要求5所述的基座，其中所述一个或多个孔口安置于所述第一通道与所述第二通道之间。
7.根据权利要求1所述的基座，其中所述一个或多个孔口包括至少三个孔口，并且其中所述至少三个孔口中的每个径向连续孔口之间的角距基本上相等。
8.根据权利要求1所述的基座，其中所述通道区域包括外部通道区域和内部通道区域，其中所述外部通道区域相对于所述内部通道区域具有升高部分，所述外部通道区域被配置成支撑所述衬底。
9.根据权利要求1所述的基座，其中所述面的所述通道区域内的通道数目在15与30之间。
10.一种基座，包括：
外部基座，所述外部基座被配置成支撑衬底，所述外部基座包括：
大体上圆形边缘；
孔口；以及
第一通道区域，所述第一通道区域位于所述外部基座的所述边缘与所述孔口之间，以形成大体上孔环，所述第一通道区域包括第一多个径向延伸通道；以及<...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗肯姆乌戴奇兰，金山姆，拉提沙奇特，卞大凯，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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