通风基座制造技术

一种基座可以包含大体上圆形形状并且可以包含内部基座和外部基座。所述外部基座可以包含：支撑区域，所述支撑区域具有一个或多个支撑机构；以及通道区域，所述通道区域从所述基座的外边缘径向向内地从区域边界延伸到外部径向边界，所述通道区域可以包含从所述区域边界径向延伸到所述外部径向边界的多个通道。所述内部基座可以包含从所述内部径向边界延伸到所述内部基座的边缘的第二多个通道。

【技术实现步骤摘要】
通风基座相关申请的交叉参考本申请要求2019年1月17日提交的标题为“通风基座(VENTEDSUSCEPTOR)”的第62/793,852号美国临时申请的优先权权益，所述申请特此以引用方式全文并入本文中。根据37CFR1.57，特此通过引用并入在与本申请一起提交的申请数据表中识别其国外或国内优先权要求的任何和所有申请。
本公开大体上涉及半导体处理，且更具体来说，涉及用于支撑处理室中的半导体衬底的基座。
技术介绍
通常在受控工艺条件下通过支撑在基座上的反应室内的衬底进行半导体制造工艺。对于多个工艺，在反应室内加热半导体衬底(例如，晶片)。在处理期间可能出现与衬底和基座之间的物理交互有关的多个质量控制问题。
技术实现思路
在一些实施例中，提供一种基座。所述基座可以包含：面，所述面被配置成将衬底支撑在其上；外边缘，所述外边缘在所述面周围形成外周边；后表面，所述后表面与所述面相对。所述面可以包含：通道区域，所述通道区域位于所述外边缘与所述面的中心之间；以及多个通道，所述多个通道安置于所述通道区域内并且相对于所述面的所述中心径向延伸。所述基座可以包含在所述面与所述后表面之间延伸的一个或多个孔口，所述一个或多个孔口被配置成允许销延伸穿过所述一个或多个孔口并且从所述基座的所述面提升衬底，所述一个或多个孔口安置于所述通道区域内。在一些实施例中，所述面还包括在所述外边缘与所述通道区域的外部径向边界之间径向延伸的基本上平坦且平滑的边沿区域。所述多个通道中的至少一个的横截面可以包含第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的每一个基本上是平坦的。所述第一侧壁和所述第二侧壁可以相对于彼此以锐角安置。在一些实施例中，所述多个通道中的每一个在径向方向上基本上是笔直的，并且其中所述多个通道中的第一通道与第二通道之间的角距大于所述多个通道中的所述第二通道与第三通道之间的角距，其中所述第一通道与所述第二通道径向连续并且所述第二通道与所述第三通道径向连续。在一些实施例中，所述第一通道与所述第二通道之间的所述角距比所述第二通道与所述第三通道之间的所述角距大至少约50％。在一些实施例中，所述一个或多个孔口安置于所述第一通道与所述第二通道之间。在一些实施例中，所述一个或多个孔口包括至少三个孔口，并且其中所述至少三个孔口中的每个径向连续孔口之间的角距基本上相等。在一些实施例中，所述通道区域包括外部通道区域和内部通道区域，其中所述外部通道区域相对于所述内部通道区域具有升高部分，所述外部通道区域被配置成支撑所述衬底。在一些实施例中，所述面的所述通道区域内的通道数目在15与30之间。在一些实施例中，基座包含：外部基座，所述外部基座被配置成支撑衬底，所述外部基座包括：大体上圆形边缘；孔口；以及第一通道区域，所述第一通道区域位于所述外部基座的所述边缘与所述孔口之间以形成大体上孔环，所述第一通道区域包括第一多个径向延伸通道；以及内部基座，所述内部基座被配置成在组装状态下由所述外部基座支撑，所述内部基座包括：大体上圆形边缘；以及第二通道区域，所述第二通道区域位于中心与所述内部基座的所述边缘之间，所述第二通道区域包括第二多个径向延伸通道。在一些实施例中，所述第一多个通道中的至少一个的横截面包括弧形侧壁。在一些实施例中，所述第一多个通道和所述第二多个通道中的每一个在径向方向上基本上是笔直的，并且其中在组装状态下，所述第一多个通道中的所述每一个与所述第二多个通道中的对应通道基本上共线。在一些实施例中，所述第一通道和所述第二通道中的径向连续通道之间的角距在约3°与35°之间。在一些实施例中，所述外部基座还包括位于所述第一通道区域与所述孔口之间的支撑区域，其中所述支撑区域包括外部支撑区域和内部支撑区域，其中所述外部支撑区域相对于所述内部支撑区域具有升高部分，其中所述外部支撑区域被配置成支撑所述内部基座。在一些实施例中，所述第一通道区域包括外部通道区域和内部通道区域，其中所述外部通道区域相对于所述内部通道区域具有升高部分，所述外部通道区域被配置成支撑所述衬底。在一些实施例中，所述支撑区域包括流体连接到所述第一多个通道的第三多个通道。在一些实施例中，一个或多个支撑元件包括延伸到所述孔口中的至少三个径向突起。在一些实施例中，所述内部基座包括一个或多个凹口，每个凹口被配置成在所述组装状态下与对应径向突起接合并且防止所述内部基座相对于所述外部基座移动。在一些实施例中，所述第一或第二多个通道中的至少一个包括在20个与30个之间的通道。在一些实施例中，所述第一或第二多个通道中的至少一个包括在30个与60个之间的通道。在一些实施例中，基座包含：面，所述面被配置成将衬底支撑在其上；外边缘，所述外边缘在所述面周围形成外周边；后表面，所述后表面与所述面相对，其中所述面包括：通道区域，所述通道区域位于外边缘与所述面的中心之间；以及多个通道，所述多个通道安置于所述通道区域内并且相对于所述面的所述中心径向延伸；以及径向延伸的基本上平坦且平滑的边沿区域，其处于所述外边缘与所述通道区域的外部径向边界之间。附图说明图1示出可以用于支撑衬底(例如，晶片)的实例基座。图2示出图1的实例基座的后表面。图3示出图1至2中所示的实例基座的横截面侧视图。图4示出实例通道的横截面图。图5示出基座的一部分的横截面的细节视图。图6示出可以与对应外部基座一起用于支撑衬底的实例内部基座。图7示出图6的实例内部基座的后视图。图8示出具有24个通道的另一实例内部基座。图9示出图8的实例内部基座的后视图。图10示出图6至9中所示的任何实例内部基座的一部分的横截面侧视图。图11示出可以用于支撑衬底的实例外部基座。图12示出图11的实例外部基座的后视图。图13示出具有24个通道的另一实例外部基座。图14示出图8的实例外部基座的后视图。图15示出图11至14中的任一个中所示的实例外部基座的横截面侧视图。图16示出实例通道的横截面图。图17示出一起具有内部基座和外部基座202的处于组装状态的基座。图18示出处于组装状态的基座的另一实例实施例。图19示出基座的一部分的横截面侧视图。图20示出具有处于组装状态的基座内的流体流指示的图19的横截面侧视图。具体实施方式通常通过将石墨机械加工成所需形状并且涂覆碳化硅(SiC)涂层来形成基座。基座可以以不同形状形成，但是许多基座是圆形的。如上所述，在处理期间可能出现与衬底和基座之间的物理交互有关的多个质量控制问题。例如，这些问题可以包含衬底滑动、粘附和卷曲以及背侧沉积。此类质量控制问题可能会降低衬底和半导体装置的总体质量，从而减少产量并增加成本。当过程气体流入衬底与基座之间的空间中并且沉积在衬底的后表面上时发生背侧沉积。由于过程气体在衬底与基座之间的流动不受控制，因此可以在衬底的背侧上发生随机沉积。这种随机沉积可能在背侧上形成厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基座，包括：/n面，所述面被配置成将衬底支撑在其上；/n外边缘，所述外边缘在所述面周围形成外周边；/n后表面，所述后表面与所述面相对，其中所述面包括：/n通道区域，所述通道区域位于所述外边缘与所述面的中心之间；以及/n多个通道，所述多个通道安置于所述通道区域内并且相对于所述面的所述中心径向延伸；以及/n一个或多个孔口，所述一个或多个孔口在所述面与所述后表面之间延伸，所述一个或多个孔口被配置成允许销延伸穿过所述一个或多个孔口并且从所述基座的所述面提升衬底，所述一个或多个孔口安置于所述通道区域内。/n

【技术特征摘要】
20190117 US 62/793,8521.一种基座，包括：
面，所述面被配置成将衬底支撑在其上；
外边缘，所述外边缘在所述面周围形成外周边；
后表面，所述后表面与所述面相对，其中所述面包括：
通道区域，所述通道区域位于所述外边缘与所述面的中心之间；以及
多个通道，所述多个通道安置于所述通道区域内并且相对于所述面的所述中心径向延伸；以及
一个或多个孔口，所述一个或多个孔口在所述面与所述后表面之间延伸，所述一个或多个孔口被配置成允许销延伸穿过所述一个或多个孔口并且从所述基座的所述面提升衬底，所述一个或多个孔口安置于所述通道区域内。


2.根据权利要求1所述的基座，其中所述面还包括在所述外边缘与所述通道区域的外部径向边界之间径向延伸的基本上平坦且平滑的边沿区域。


3.根据权利要求1所述的基座，其中所述多个通道中的至少一个的横截面包括：
第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的每一个基本上是平坦的，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁相对于彼此以锐角安置。


4.根据权利要求1所述的基座，其中所述多个通道中的每一个在径向方向上基本上是笔直的，并且其中所述多个通道中的第一通道与第二通道之间的角距大于所述多个通道中的所述第二通道与第三通道之间的角距，其中所述第一通道与所述第二通道径向连续并且所述第二通道与所述第三通道径向连续。


5.根据权利要求4所述的基座，其中所述第一通道与所述第二通道之间的所述角距比所述第二通道与所述第三通道之间的所述角距大至少约50％。


6.根据权利要求5所述的基座，其中所述一个或多个孔口安置于所述第一通道与所述第二通道之间。


7.根据权利要求1所述的基座，其中所述一个或多个孔口包括至少三个孔口，并且其中所述至少三个孔口中的每个径向连续孔口之间的角距基本上相等。


8.根据权利要求1所述的基座，其中所述通道区域包括外部通道区域和内部通道区域，其中所述外部通道区域相对于所述内部通道区域具有升高部分，所述外部通道区域被配置成支撑所述衬底。


9.根据权利要求1所述的基座，其中所述面的所述通道区域内的通道数目在15与30之间。


10.一种基座，包括：
外部基座，所述外部基座被配置成支撑衬底，所述外部基座包括：
大体上圆形边缘；
孔口；以及
第一通道区域，所述第一通道区域位于所述外部基座的所述边缘与所述孔口之间，以形成大体上孔环，所述第一通道区域包括第一多个径向延伸通道；以及<...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗肯姆乌戴奇兰，金山姆，拉提沙奇特，卞大凯，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL