对半导体样本中的缺陷进行分类的方法及其系统技术方案

一种用于对缺陷进行分类的系统、方法和计算机可读介质，所述方法包括：接收经分类的第一缺陷和潜在缺陷，每个第一缺陷和潜在缺陷具有属性值；处理第一缺陷和潜在缺陷以选择将第一缺陷与潜在缺陷区分开的属性的子集；分别基于第一缺陷和潜在缺陷获得第一函数和第二函数；获得用于第一函数的第一阈值，以及用于第一函数和第二函数的组合的第二阈值；分别将第一函数和第二函数应用于每个潜在缺陷以获得第一得分和第二得分；以及确定第一得分和第二得分的组合得分；以及当第一得分低于所述第一阈值或者组合得分超过第二阈值时，将潜在缺陷指示为潜在新类别缺陷。

【技术实现步骤摘要】
对半导体样本中的缺陷进行分类的方法及其系统
目前公开的主题大致涉及样本检查领域，并且更具体地涉及能够自动检测属于新类别缺陷的方法和系统。
技术介绍
当前对与制造器件的超大规模集成相关的高密度和性能的需求，要求亚微米特征、增加的晶体管和升高的电路速度以及改良的可靠性。这些需求要求形成具有高精度和均匀性的器件特征，继而需要对制造过程进行仔细监控，包括在器件仍为半导体样本形式时频繁且详细地检查器件。在本说明书中使用的术语“样本”应被广义地解释为涵盖用于制造半导体集成电路、磁头、平板显示器和其他半导体制品的任何种类的晶片、掩模以及其他结构、上述的组合和/或部件。在本说明书中使用的术语“缺陷”应被广义地解释为涵盖在样本上或样本内形成的任何种类的异常或不期望的特征。样本的复杂制造工艺并非是没有错误的，并且此类错误可能会导致制造的器件出现故障。这些故障可包括可能损害器件操作的缺陷，以及可能是缺陷但不会对制造的器件造成任何损害或使制造的器件失灵的危害。作为非限制性示例，由于原材料中的故障、机械、电气或光学错误、人为错误或其他原因，可能在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种能够将样本中的缺陷分类为多个类别的系统，所述系统包括处理和存储器电路(PMC)，所述PMC被配置为：/n接收被分类为多个类别的第一多个第一缺陷和第二多个潜在第二缺陷，每个第一缺陷和每个潜在第二缺陷与多个属性中的每个属性的相应值相关联，所述第一多个第一缺陷表征为第一属性空间，并且所述第二多个潜在第二缺陷表征为第二属性空间；/n处理所述第一多个第一缺陷和第二多个潜在第二缺陷以从所述多个属性中选择属性子集，包括：/n针对每种属性：/n确定来自所述第一多个第一缺陷的缺陷的属性值的第一分布；/n确定来自所述第二多个潜在第二缺陷的缺陷的属性值的第二分布；以及/n确定所述第一分布与所述第二分布之间的...

【技术特征摘要】
20190116 US 16/249,8521.一种能够将样本中的缺陷分类为多个类别的系统，所述系统包括处理和存储器电路(PMC)，所述PMC被配置为：
接收被分类为多个类别的第一多个第一缺陷和第二多个潜在第二缺陷，每个第一缺陷和每个潜在第二缺陷与多个属性中的每个属性的相应值相关联，所述第一多个第一缺陷表征为第一属性空间，并且所述第二多个潜在第二缺陷表征为第二属性空间；
处理所述第一多个第一缺陷和第二多个潜在第二缺陷以从所述多个属性中选择属性子集，包括：
针对每种属性：
确定来自所述第一多个第一缺陷的缺陷的属性值的第一分布；
确定来自所述第二多个潜在第二缺陷的缺陷的属性值的第二分布；以及
确定所述第一分布与所述第二分布之间的差异；
选择所述属性子集作为在所述第一分布与所述第二分布之间具有最大差异的属性；
基于分配给来自所述第一多个第一缺陷的缺陷的所述属性子集的值来获得第一密度估计函数；以及基于分配给所述第二多个潜在第二缺陷的缺陷的所述属性子集的值来确定第二密度估计函数；
获得与所述第一密度估计函数相关联的第一阈值，以及与所述第一密度估计函数和所述第二密度估计函数的组合相关联的第二阈值；
将所述第一密度估计函数应用于所述第二多个潜在第二缺陷的每个缺陷，以获得第一得分；
将所述第二密度估计函数应用于所述第二多个潜在第二缺陷的每个缺陷以获得第二得分；
确定所述第一得分和所述第二得分的组合得分；以及
当所述第一得分低于所述第一阈值或所述组合得分超过所述第二阈值时，将来自所述第二多个潜在第二缺陷的缺陷指示为潜在新类别缺陷。


2.如权利要求1所述的系统，其中当所述第一得分大于所述第一阈值时，将所述潜在缺陷指示为离群值。


3.如权利要求1所述的系统，其中当所述第二得分超过所述第二阈值时，将所述潜在缺陷指示为偏移。


4.如权利要求1所述的系统，其中所述第一密度估计函数和所述第二密度估计函数的组合是所述第一密度估计函数中的缺陷的第一得分与所述第二密度估计函数中的缺陷的第二得分之间的比率。


5.一种使用可操作地连接到存储器的处理器对多个缺陷进行分类的方法，所述方法包括：
接收被分类为多个类别的第一多个第一缺陷和第二多个潜在第二缺陷，每个第一缺陷和每个潜在第二缺陷与多个属性中的每个属性的相应值相关联，所述第一多个第一缺陷表征为第一属性空间，并且所述第二多个潜在第二缺陷表征为第二属性空间；
由所述处理器处理所述第一多个第一缺陷和第二多个潜在第二缺陷以从所述多个属性中选择属性子集，所述步骤包括：
针对每种属性：
由所述处理器确定来自所述第一多个第一缺陷的缺陷的属性值的第一分布；
由所述处理器确定来自所述第二多个潜在第二缺陷的缺陷的属性值的第二分布；以及
由所述处理器确定所述第一分布与所述第二分布之间的差异；
由所述处理器选择所述属性子集作为在所述第一分布与所述第二分布之间具有最大差异的属性；
由所述处理器基于分配给来自所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：基里尔·萨文科，阿萨夫·阿斯巴克，波阿斯·科恩，
申请(专利权)人：应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：以色列;IL