一种曝光机、其制备方法以及其使用方法技术

本发明专利技术提供一种曝光机、其制备方法以及其使用方法。所述曝光机包括位于同一平面的第一挡板和第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板对应于所述曝光机的遮光区，所述第一挡板与所述第二挡板之间的区域对应于所述曝光机的曝光区；其中，所述第一挡板和所述第二挡板靠近所述曝光区的侧面均设置有吸光层，所述吸光层材料的最大禁带宽度为2.8eV。本发明专利技术通过在挡板靠近曝光区的侧面增加吸光层，能有效地将挡板边缘的杂散光吸收掉，从而减弱挡板边缘的漫反射现象，提高曝光精度。

【技术实现步骤摘要】
一种曝光机、其制备方法以及其使用方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种曝光机、其制备方法以及其使用方法。
技术介绍
目前，曝光机中的挡板的作用为遮挡曝光区域以外不需要曝光的区域，可以根据面板的排版以及需要曝光的区域来调整挡板的位置，从而达到曝光部分区域的目的。由于曝光光线在向下照射曝光时，在挡板边缘处存在一些杂散光，杂散光会发生漫反射，从而使得实际曝光图形失真，现有的佳能曝光机的挡板精度为1mm，相对较低，对于紧密排列的面板，难以实现精准的曝光，会导致实际曝光的图形失真。故，有必要改善这一缺陷。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种曝光机，用于解决现有技术的曝光机，其挡板边缘处的杂散光发生漫反射，导致实际曝光图形失真的技术问题。本专利技术实施例提供一种曝光机，包括位于同一平面的第一挡板和第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板对应于所述曝光机的遮光区，所述第一挡板与所述第二挡板之间的区域对应于所述曝光机的曝光区；其中，所述第一挡板和所述第二挡板靠近所述曝光区的侧面均设置有吸光层，所述吸光层材料的最大禁带宽度为2.8eV。进一步的，所述吸光层材料为硒化镉、或硫化镉、或磷化镓。进一步的，所述吸光层的厚度范围为0.1微米至1微米。本专利技术实施例提供一种曝光机的制备方法，包括步骤：提供第一挡板和第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板位于同一平面，所述第一挡板和所述第二挡板对应于所述曝光机的遮光区，所述第一挡板与所述第二挡板之间的区域对应于所述曝光机的曝光区；以及在所述第一挡板和所述第二挡板靠近所述曝光区的侧面均制备吸光层，所述吸光层材料的最大禁带宽度为2.8eV。进一步的，制备所述吸光层的方法为离子注入或者电镀。进一步的，所述吸光层材料为硒化镉、或硫化镉、或磷化镓。进一步的，所述吸光层的厚度范围为0.1微米至1微米。本专利技术实施例提供一种如上述的曝光机的使用方法，包括步骤：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上涂布光阻；将所述曝光机与所述玻璃基板对位；以及使用曝光光线照射所述玻璃基板。进一步的，所述将所述曝光机与所述玻璃基板对位的步骤具体包括：将所述玻璃基板需要保留光阻的区域与所述曝光机的遮光区对位，将所述玻璃基板需要去除光阻的区域与所述曝光机的曝光区对位。进一步的，所述曝光光线的波长为365纳米、405纳米、436纳米。有益效果：本专利技术实施例提供的一种曝光机，通过在挡板靠近曝光区的侧面增加吸光层，能有效地将挡板边缘的杂散光吸收掉，从而减弱挡板边缘的漫反射现象，提高曝光精度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的曝光机的基本结构示意图。图2是本专利技术实施例提供的曝光机的制备方法流程图。图3是本专利技术实施例提供的曝光机的使用方法流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术实施例提供的曝光机的基本结构示意图，从图中可以很直观地看到本专利技术的各组成部分，以及各组成部分之间的相对位置关系，所述曝光机包括位于同一平面的第一挡板101和第二挡板102，所述第一挡板101和所述第二挡板102对应于所述曝光机的遮光区A1，所述第一挡板101与所述第二挡板102之间的区域对应于所述曝光机的曝光区A2；其中，所述第一挡板101和所述第二挡板102靠近所述曝光区A2的侧面均设置有吸光层103，所述吸光层103材料的最大禁带宽度为2.8eV。需要说明的是，所述曝光机用于对玻璃基板进行曝光制程，具体地，先在所述玻璃基板表面涂布光阻，然后将所述曝光机的遮光区A1与所述玻璃基板需要保留光阻的区域对位，将所述曝光机的曝光区A2与所述玻璃基板需要去除光阻的区域对位，即可实现部分区域曝光。对位完成后，使用曝光光线垂直向下照射所述第一挡板101、所述第二挡板102、以及所述第一挡板101与所述第二挡板102之间的区域，即所述曝光机的曝光区A2，其中，当所述曝光光线通过所述曝光区A2时，经过所述第一挡板101和所述第二挡板102靠近所述曝光区A2的侧面的光子会向四面八方辐射能量，从而在所述第一挡板101和所述第二挡板102靠近所述曝光区A2的侧面产生漫反射，从而会影响曝光图形的实际大小，而本专利技术实施例通过在所述第一挡板101和所述第二挡板102靠近所述曝光区A2的侧面均设置吸光层103，能有效地将所述第一挡板101和所述第二挡板102靠近所述曝光区A2的侧面的杂散光吸收掉，从而减弱所述第一挡板101和所述第二挡板102靠近所述曝光区A2的侧面的漫反射现象，提高了曝光精度。需要说明的是，所述曝光光线包括波长为365纳米的光线、波长为405纳米的光线、以及波长为436纳米的光线。需要说明的是，所述吸光层103材料吸收所述第一挡板101和所述第二挡板102靠近所述曝光区A2的侧面的杂散光的原理是：由于不同物质的分子组成和分子结构不同，所具有的特征能级也就不同，其能级差不同，而各物质只能吸收与它们分子内部能级差相当的光辐射，所以不同物质对不同波长光的吸收具有选择性。即所述吸光层103材料的选择，需要考虑能将所述曝光光线全部吸收掉的材料。需要说明的是，所述吸光层103材料的吸收边界λ(波长/纳米)＝1240(hc/h为普朗克常量，c为光速)/禁带宽度(Eg)。即所述禁带宽度(Eg)越大，所述吸光层103材料的吸收边界越小。即所述禁带宽度(Eg)越大，所述吸光层103材料吸收光的能力越差，效果越差。本专利技术实施例通过限定所述吸光层103材料的最大禁带宽度为2.8eV，即所述吸光层103材料的最小吸收边界为442纳米(λ＝1240/2.8＝442>436纳米)，即满足能将所述曝光光线全部吸收掉的要求。在一种实施例中，所述吸光层103材料为硒化镉、或硫化镉、或磷化镓。具体地，当所述吸光层103材料为硒化镉时，其禁带宽度(Eg)为1.7eV，故其吸收边界λ为729纳米，即波长小于729纳米的光线均能被所述硒化镉吸收，即可以实现对所有曝光光线的吸收。具体地，当所述吸光层103材料为硫化镉时，其禁带宽度(Eg)为2.4eV，故其吸收边界λ为516纳米，即波长小于516纳米的光线均能被所述硫化镉吸收，即可以实现对所有曝光光线的吸收。具体地，当所述吸光层103材料为磷化镓时，其禁带宽度(Eg)为2.25eV，故其吸收边界λ为551纳米，即波长小于551纳米的光线均能被所述磷化镓吸收，即可以实现对所有曝光光线的吸收。...

【技术保护点】
1.一种曝光机，其特征在于，包括位于同一平面的第一挡板和第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板对应于所述曝光机的遮光区，所述第一挡板与所述第二挡板之间的区域对应于所述曝光机的曝光区；/n其中，所述第一挡板和所述第二挡板靠近所述曝光区的侧面均设置有吸光层，所述吸光层材料的最大禁带宽度为2.8eV。/n

【技术特征摘要】
1.一种曝光机，其特征在于，包括位于同一平面的第一挡板和第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板对应于所述曝光机的遮光区，所述第一挡板与所述第二挡板之间的区域对应于所述曝光机的曝光区；
其中，所述第一挡板和所述第二挡板靠近所述曝光区的侧面均设置有吸光层，所述吸光层材料的最大禁带宽度为2.8eV。


2.如权利要求1所述的曝光机，其特征在于，所述吸光层材料为硒化镉、或硫化镉、或磷化镓。


3.如权利要求1所述的曝光机，其特征在于，所述吸光层的厚度范围为0.1微米至1微米。


4.一种曝光机的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供第一挡板和第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板位于同一平面，所述第一挡板和所述第二挡板对应于所述曝光机的遮光区，所述第一挡板与所述第二挡板之间的区域对应于所述曝光机的曝光区；以及
在所述第一挡板和所述第二挡板靠近所述曝光区的侧面均制备吸光层，所述吸光层材料的最大禁带宽度为2.8eV。


5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭钊，吴思嘉，刘文波，黄远科，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44