近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法技术

本发明专利技术涉及一种近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法，属于纳米技术领域。该方法包括以下步骤：S1：近零厚度纳米孔制备；S2：近零厚度纳米孔DNA单碱基识别。本发明专利技术基于近零厚度纳米孔具有亚纳米孔的高空间分辨率，而且可以通过大规模半导体的生产工艺来实现，所以其具有很强的创新性和实用性，能够极大地推动基于纳米孔的DNA测序技术和蛋白质检测技术开发，有着很大的基础研究价值和潜在的实际应用前景。

【技术实现步骤摘要】
近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法
本专利技术属于纳米
，涉及近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法。
技术介绍
DNA(Deoxyribonucleicacid，脱氧核糖核酸)序列因其蕴含生物体遗传信息，被喻为生命的“蓝图”。正确解读DNA序列中的遗传信息，对人类健康和疾病诊断、生命探索、分子育种等领域具有重要意义。因此，发展准确、快速、低成本、高通量和高精度的DNA测序技术，能够帮助人们加深对生物体遗传信息的解读和有效利用。到目前为止，DNA测序已经历了三代技术变革。最早使用的DNA测序方法是双脱氧核苷酸链终止法(桑格法)。此外，边合成边测序的二代测序技术和利用零模波导的单分子第三代测序技术涌现出来，但是还不能够满足日益增长的个人医疗需求。纳米孔测序法是第四代DNA测序的主流技术之一，主要包含生物纳米孔和固体纳米孔。理论上，A、T、C、G四种不同的碱基化学性质的差异会导致它们穿越纳米孔时引起的电学参数的变化量也不同，通过这些变化得到相应碱基的类型。与其他方法相比，由于纳米孔测序不需要对DNA进行生物或化学处理，可以采用物理办法直接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：/nS1：近零厚度纳米孔制备；/nS2：近零厚度纳米孔DNA单碱基识别。/n

【技术特征摘要】
1.近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
S1：近零厚度纳米孔制备；
S2：近零厚度纳米孔DNA单碱基识别。


2.根据权利要求1所述的近零厚度纳米孔制备及DNA测序方法，其特征在于：所述S1具体为：
准备好氮化硅绝缘薄膜衬底；
利用电子束光刻技术，采用灰化工艺或侧墙工艺在氮化硅绝缘薄膜上形成硅纳米线，硅纳米线的尺寸将决定纳米孔的大小；其中，硅纳米线的厚度10-20纳米，宽度为5-10纳米，长度为50纳米-200纳米；
然后，在形成了硅纳米线的淡化硅绝缘薄膜上生长一层二氧化硅薄膜，将硅纳米线覆盖住，二氧化硅薄膜厚度15-25纳米；利用化学机械抛光法将硅纳米线曝露出来；
在暴露出来的硅纳米线垂直方向，利用前述电子束光刻技术形成第二层硅纳米线；其中，该硅纳米线的厚度10-20纳米，宽度为5-10纳米，长度为50纳米-...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德强，何石轩，周大明，
申请(专利权)人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：重庆;50