一种氧化钼复合晶体材料的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氧化钼复合晶体材料的制备方法，包括如下步骤；首先，在惰性气体气氛下对钼源进行通电同时对钼源进行加热，并通入混有有机溶剂的惰性气体；然后，对钼源在预定的温度下加热预定的时间；最终，在空气气氛下对在上一步中得到的材料进行加热处理预定的时间。本发明专利技术提供的氧化钼复合晶体材料具有较大的比表面积以及良好的电化学性能。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化钼复合晶体材料的制备方法
本专利技术涉及一种晶体材料的
，具体地涉及一种晶体材料的制备方法。
技术介绍
目前已报道过的氧化钼开孔方法有：蒸发诱导自主装法，气相冷凝法，软模板法和硬模版法。其中蒸发诱导自主装法对仪器要求较高；气相冷凝法得到的孔径不够均匀；软模板法存在作为结构导向剂的表面活性剂难以移除的特点。若使用的表面活性剂不能去除干净，也就得不到较纯的材料物相，影响材料的电化学性能。与前三种方法比较，硬模版法相对容易实施，通过硬模版法合成的材料，孔径大小可以调节，制备出的介孔材料具有高的比表面积和大的孔容量。然而，硬模版法同样存在模板难以移除的问题，使得材料物相不纯。另外三氧化钼既可溶解于酸又可溶解于碱，限制了通常用于移除模板的氢氟酸和氢氧化钠溶液的使用，同样也限制了硬模版法在制备多孔氧化钼中的应用。人们急需专利技术一种能使氧化钼过渡金属具有产业化应用的大比表面积的多孔结构的制备方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶体材料的制备方法。一种氧化钼复合晶体材料的制备方法，包括如下步骤；首先，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化钼复合晶体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤；/n首先，在惰性气体气氛下对钼源进行通电同时对钼源进行加热，并通入混有有机溶剂的惰性气体；/n然后，对钼源在预定的温度下加热预定的时间；/n最终，在空气气氛下对在上一步中得到的材料进行加热处理预定的时间。/n

【技术特征摘要】
1.一种氧化钼复合晶体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤；
首先，在惰性气体气氛下对钼源进行通电同时对钼源进行加热，并通入混有有机溶剂的惰性气体；
然后，对钼源在预定的温度下加热预定的时间；
最终，在空气气氛下对在上一步中得到的材料进行加热处理预定的时间。


2.根据权利要求1所述的氧化钼复合晶体材料的制备方法，其特征在于，所述钼源钼丝。


3.根据权利要求1所述的氧化钼复合晶体材料的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为乙醇、丙酮或者苯类溶剂中的至少一种。


4.根据权利要求1所述的氧化钼复合晶体材料的制备方法，其特征在于，所述钼源在混有有机溶剂的惰性气体气氛中的加热温度介于200-1600℃之间，反应时间介于1-10小时之间。
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【专利技术属性】
技术研发人员：董学斌，任婕，木士春，董胜其，杨道合，朱军威，
申请(专利权)人：湖北省老兵新材料技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42