使用高分子膜制成的石墨膜及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种使用高分子膜制成的石墨膜，该膜使用穿透式X光衍射光谱分析该图谱的(100)结晶面讯号的半高宽倒数大于60埃，且(002)及(100)结晶面衍射峰强度比值I

【技术实现步骤摘要】
使用高分子膜制成的石墨膜及其制备方法
本专利技术为关于一种使用高分子膜制成的石墨膜及其制备方法，该石墨膜具有高结晶顺向性，使其热扩散性较优异。
技术介绍
轻薄化的行动装置开发已是目前电子产品的发展趋势，电子组件缩减体积使组件做紧密的堆积，因此芯片、背光模块及电池等的散热问题成为重要的议题。在导热、散热效能要求逐渐严苛时，人造软性石墨膜的问市让这些问题得以有解决方案。人造石墨膜相较于传统金属铜或铝散热材料，具有更好的热传导性、柔软性及较低的密度(轻量化)，让石墨膜在行动装置上被大量地使用。高导热人造石墨膜在制造上是将高芳香结构高分子薄膜经过一串的高温裂解反应与原子重新排列过程而成，这些高温处理过程被称为碳化与石墨化。碳化制程的主要功能为热裂解非碳元素，处理温度约在500-1500℃之间。石墨化的功用则是透过高温来推动碳原子，使碳原子重新排列而形成连续有序的层状结构，在过程中会扮随着发泡的现象，而形成发泡石墨层结构，其操作温度发生在2000-3000℃间。对所得到的发泡石墨膜进行轧延处理后可获得具有柔软性的石墨膜，以适合于电子设备中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用高分子膜烧结的石墨膜，其特征在于，该石墨膜以穿透式X光衍射分析结晶面(100)衍射峰的半高宽倒数大于60埃，且结晶面(002)与结晶面(100)衍射峰强度比值I

【技术特征摘要】
1.一种使用高分子膜烧结的石墨膜，其特征在于，该石墨膜以穿透式X光衍射分析结晶面(100)衍射峰的半高宽倒数大于60埃，且结晶面(002)与结晶面(100)衍射峰强度比值I002/I100小于0.5。


2.根据权利要求1所述石墨膜，其特征在于，该石墨膜以穿透式X光衍射分析结晶面(100)衍射峰的半高宽倒数大于67埃，且结晶面(002)与结晶面(100)衍射峰强度比值I002/I100小于0.43。


3.根据权利要求1或2所述石墨膜，其特征在于，该石墨膜热扩散系数大于600mm2/sec。


4.根据权利要求3所述石墨膜，其特征在于，该石墨膜由具有芳香结构的高分子薄膜制备而来。


5.根据权利要求4所述石墨膜，其特征在于，该石墨膜高分子膜为聚酰亚胺膜。


6.根据权利要求5所述石墨膜，其特征在于，该石墨膜高分子膜为均苯型聚酰亚胺薄膜或联苯型聚酰亚胺薄膜。


7.根据权利要求5所述石墨膜，其特征在于，该石墨膜的厚度为10μm～125μm。


8.根据权利要求6或7所述石墨膜，其特征在于，该石墨膜以穿透式X光衍射分析结晶面(100)衍射峰的半高宽倒数为67埃，且结晶面(002)与结晶面(100)衍射峰强度比值I0...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴家浩，林志维，金进兴，赖昱辰，苏康扬，庄伟综，王建隆，黄彦之，
申请(专利权)人：达迈科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71