SiC基板的分割方法以及分割装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种以优异的品质分割SiC基板的方法以及装置。一种SiC基板的分割方法(装置)，具有：刻划工序(单元)，在所述SiC基板的一个主面通过沿预先确定的预定分割位置以100mm/s至300mm/s的扫描速度一边扫描一边照射激光，从而形成深度为12μm至30μm、宽度为1μm至10μm的剖视呈U字形的槽状的刻划线；裂片工序(单元)，将形成有刻划线的SiC基板以与一个主面相向的另一个主面作为上表面的姿态水平地载置于以规定的间隔分离的一对裂片板上，在该状态下通过使劈刀从SiC基板的上表面侧抵接于预定分割位置，并进一步下压劈刀来使裂纹自刻划线伸展，由此在预定分割位置将SiC基板分割。

【技术实现步骤摘要】
SiC基板的分割方法以及分割装置
本专利技术涉及SiC基板的分割方法以及分割装置，特别涉及使用激光进行的分割。
技术介绍
作为分割玻璃基板、陶瓷基板等硬脆基板(脆性材料基板)的方法，已经公知有一种在该基板的一个主面的预定分割位置预先进行了形成刻划线的刻划处理的基础上，通过进行使裂片棒从另一个主面侧抵接于预定分割位置进而将该裂片棒压入(三点弯折)的裂片处理，来使裂纹自刻划线伸展而将基板分割的方法。此外，还已经公知有一种使用单模激光在透明材料的表面进行烧蚀加工的方法(例如，参考专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-66687号公报。专利技术要解决的问题SiC(碳化硅)基板作为一种脆性材料基板被广为所知，并被用于各种半导体基板的基材等。除了被用于作为这样的基材的情况以外，还存在想要将所述SiC基板分割并制成规定的尺寸(例如想要小片化)这种通常的需求。然而，由于SiC的硬度、耐热性、化学稳定性等优异，所以要进行高品质的分割并不容易。具体来说，要得到平滑且无毛刺的分割面并不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC基板的分割方法，其特征在于，具有：/n刻划工序，在所述SiC基板的一个主面通过沿预先确定的预定分割位置以100mm/s至300mm/s的扫描速度一边扫描一边照射激光，从而形成深度为12μm至30μm、宽度为1μm至10μm的剖视呈U字形的槽状的刻划线；/n裂片工序，将形成有所述刻划线的所述SiC基板以与所述一个主面相向的另一个主面作为上表面的姿态水平地载置于以规定的间隔分离的一对裂片板上，在该状态下通过使劈刀从所述SiC基板的上表面侧抵接于所述预定分割位置，并进一步下压所述劈刀来使裂纹自所述刻划线伸展，由此在所述预定分割位置将所述SiC基板分割。/n

【技术特征摘要】
20181228 JP 2018-2479501.一种SiC基板的分割方法，其特征在于，具有：
刻划工序，在所述SiC基板的一个主面通过沿预先确定的预定分割位置以100mm/s至300mm/s的扫描速度一边扫描一边照射激光，从而形成深度为12μm至30μm、宽度为1μm至10μm的剖视呈U字形的槽状的刻划线；
裂片工序，将形成有所述刻划线的所述SiC基板以与所述一个主面相向的另一个主面作为上表面的姿态水平地载置于以规定的间隔分离的一对裂片板上，在该状态下通过使劈刀从所述SiC基板的上表面侧抵接于所述预定分割位置，并进一步下压所述劈刀来使裂纹自所述刻划线伸展，由此在所述预定分割位置将所述SiC基板分割。


2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：庭山博，宮崎宇航，
申请(专利权)人：三星钻石工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP