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本发明提供一种以优异的品质分割SiC基板的方法以及装置。一种SiC基板的分割方法(装置)，具有：刻划工序(单元)，在所述SiC基板的一个主面通过沿预先确定的预定分割位置以100mm/s至300mm/s的扫描速度一边扫描一边照射激光，从而形成...
该专利属于三星钻石工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星钻石工业株式会社授权不得商用。

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