沉积掩模及其制造方法技术

一个实施方案涉及用于制造用于OLED像素沉积的沉积掩模的铁(Fe)‑镍合金的金属板，其中在从金属材料的表面起15nm的深度区域中，铁(Fe)原子浓度的最大值为40原子％或更小，镍(Ni)原子浓度的最大值为25原子％或更小，以及氧(O)原子浓度的最大值为55原子％至65原子％。此外，一个实施方案涉及用于OLED像素沉积的包含铁(Fe)‑镍(Ni)合金金属材料的沉积掩模，其中所述沉积掩模包括用于沉积的沉积区域和除沉积区域之外的非沉积区域，沉积区域包括复数个有效部分和除有效部分之外的非有效部分，有效部分包括形成在金属材料的一个表面上的复数个小面积孔、形成在金属材料的与所述一个表面相反的另一表面上的复数个大面积孔、连通小面积孔与大面积孔的复数个通孔、以及形成在金属材料的另一表面上且定位在通孔之间的岛状部分，非沉积区域、非有效部分和岛状部分中的至少一者在从金属材料的表面起15nm的深度区域处具有40原子％或更小的铁(Fe)原子浓度的最大值、25原子％或更小的镍(Ni)浓度的最大值、以及55原子％至65原子％的氧(O)原子浓度的最大值。此外，一个实施方案涉及用于OLED像素沉积的沉积掩模的制造方法，并且所述方法包括制备金属板的步骤，对金属板的表面进行处理的步骤，在金属板的一个表面上设置第一光致抗蚀剂层并使第一光致抗蚀剂层图案化的步骤，通过图案化的第一光致抗蚀剂层的开口部分在金属板的一个表面上形成第一凹槽的步骤，在金属板的与一个表面相反的另一表面上设置第二光致抗蚀剂层并使第二光致抗蚀剂层图案化的步骤，通过图案化的第二光致抗蚀剂层的开口部分形成第二凹槽并形成连通第一凹槽与第二凹槽的通孔的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】沉积掩模及其制造方法
本专利技术涉及能够在OLED像素沉积期间通过均匀形成的通孔来提高沉积效率的沉积掩模及其制造方法。
技术介绍
显示装置通过应用于各种设备来使用。例如，显示装置不仅通过应用于诸如智能电话和平板PC的小型设备，而且通过应用于诸如TV、监视器和公共显示器(PD)的大型设备来使用。特别地，近来，对500像素每英寸(PPI)或更大的超高清晰度(UHD)的需求增加，并且高分辨率显示装置已应用于小型设备和大型设备。因此，对用于实现低功率和高分辨率的技术的兴趣正在增加。根据驱动方法，通常使用的显示装置可以大致分为液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等。LCD是通过使用液晶驱动的显示装置，并且具有其中包括冷阴极荧光灯(CCFL)、发光二极管(LED)等的光源设置在液晶的下部处的结构。LCD是通过使用设置在光源上的液晶控制从光源发射的光的量来驱动的显示装置。此外，OLED是通过使用有机材料驱动的显示装置，并且不需要单独的光源，有机材料本身可以用作光源并且可以以低功耗驱动。此外，OLED作为可以表现出无限的对比本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于OLED像素沉积的铁(Fe)-镍(Ni)合金金属材料的沉积掩模，所述沉积掩模包括：/n用于沉积的沉积区域和除所述沉积区域之外的非沉积区域，/n其中所述沉积区域包括复数个有效部分和除所述有效部分之外的非有效部分，/n其中所述有效部分包括：/n形成在所述金属材料的一个表面上的复数个小表面孔；/n形成在所述金属材料的与所述一个表面相反的另一表面上的复数个大表面孔；/n连通所述小表面孔和所述大表面孔的复数个通孔；以及/n形成在所述金属材料的所述另一表面上且定位在所述通孔之间的岛状部分，/n其中在所述非沉积区域、所述非有效部分和所述岛状部分中的至少一者中，以及在从所述金属材料的表面到15nm...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171207 KR 10-2017-01677871.一种用于OLED像素沉积的铁(Fe)-镍(Ni)合金金属材料的沉积掩模，所述沉积掩模包括：
用于沉积的沉积区域和除所述沉积区域之外的非沉积区域，
其中所述沉积区域包括复数个有效部分和除所述有效部分之外的非有效部分，
其中所述有效部分包括：
形成在所述金属材料的一个表面上的复数个小表面孔；
形成在所述金属材料的与所述一个表面相反的另一表面上的复数个大表面孔；
连通所述小表面孔和所述大表面孔的复数个通孔；以及
形成在所述金属材料的所述另一表面上且定位在所述通孔之间的岛状部分，
其中在所述非沉积区域、所述非有效部分和所述岛状部分中的至少一者中，以及在从所述金属材料的表面到15nm的深度区域中，
所述铁(Fe)的原子浓度的最大值为40原子％或更小，
所述镍(Ni)的原子浓度的最大值为25原子％更小，以及
所述氧(O)的原子浓度的最大值为55原子％至65原子％。


2.根据权利要求1所述的沉积掩模，当通过X射线光电子能谱(XPS)分析所述表面时，在从所述表面到15nm至20nm的深度区域中，
其中所述沉积掩模具有：
第一峰强度，所述第一峰强度是在由706.4eV至707eV的结合能范围限定的第一范围内的最大峰强度值，以及
第二峰强度，所述第二峰强度是在由710.5eV至711.1eV的结合能范围限定的第二范围内的最大峰强度值，
其中所述第一峰强度相对于所述第二峰强度为0.7或更小。


3.根据权利要求1所述的沉积掩模，作为通过X射线光电子能谱分析所述表面的结果，在从所述表面到15nm至20nm的深度区域中，
其中所述沉积掩模具有：
第三峰强度，所述第三峰强度是在由852.3eV至852.9eV的结合能范围限定的第三范围内的最大峰强度值，以及
第四峰强度，所述第四峰强度是在由855.9eV至856.5eV的结合能范围限定的第四范围内的最大峰强度值，
其中所述第三峰强度相对于所述第四峰强度为1.3或更小。


4.根据权利要求3所述的沉积掩模，其中所述第三峰强度相对于所述第四峰强度为1.1或更小。


5.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中外部部分包括氧(O)原子浓度为5原子％或更大的氧化膜，并且
所述氧化膜的厚度为从所述金属材料的所述表面起40nm或更大。


6.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中在从所述表面到15nm至20nm的深度区域中，氧原子浓度的最大值为20原子％或更大。


7.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中通孔的分辨率为400PPI或更大，以及
所述金属材料的厚度为30μm或更小。


8.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中所述沉积掩模用于绿色有机材料沉积。


9.一种制造用于OLED像素沉积的沉积掩模的方法，所述方法包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：郭正敏，金海植，白智钦，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR