【技术实现步骤摘要】
量子点的图形化方法、量子点发光器件和显示装置
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种量子点的图形化方法、量子点发光器件和显示装置。
技术介绍
半导体量子点是一种重要的荧光纳米材料，近年来，以荧光量子点为发光层的量子点发光二极管(Quantum-DotsLightEmittingDiodes，QLED)逐渐一种极具潜力的显示和发光器件。随着喷墨打印机喷头的日益精密化，喷墨打印技术逐渐应用于制备高分辨的QLED器件，但是，当前采用喷墨技术制备QLED，喷墨打印难度大，难以控制量子点膜层的厚度，影响后续功能层材料的引入，从而影响像素的发光效果，最终影响QLED的显示效果。钙钛矿量子点是一种重要的荧光纳米材料，制备容易并且成本低，钙钛矿量子点荧光性能优越，半峰宽窄，发射光谱可调，已广泛应用于发光显示、激光、光电探测等领域。采用喷墨打印技术将钙钛矿墨水进行图形化，也存在较为严重的问题，由于钙钛矿量子点粒径较大，容易堵塞打印设备的喷头，钙钛矿量子点在不同试剂以及环境条件下的稳定性较差，难以通过现有的纳米制造技术来实现其图形化，影响
【技术保护点】
1.一种量子点的图形化方法，其特征在于，包括：/n在基板上的像素区域注入前驱体溶液；/n去除所述前驱体溶液中的溶剂；/n向所述像素区域注入气体化合物，以使所述前驱体与所述气体化合物形成量子点发光层；/n其中，所述量子点发光层包括ABX
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种量子点的图形化方法，其特征在于，包括：
在基板上的像素区域注入前驱体溶液；
去除所述前驱体溶液中的溶剂；
向所述像素区域注入气体化合物，以使所述前驱体与所述气体化合物形成量子点发光层；
其中，所述量子点发光层包括ABX3钙钛矿量子点，A包括：有机胺基团、甲脒、铯离子中的一种或多种；B包括：铅离子、锡离子、铋离子或银离子；卤素X包括：氯、溴、碘中的一种或多种；
当所述前驱体包括：AX时，所述气体化合物包括BX2；
当所述前驱体包括BX2时，所述气体化合物包括AX。
2.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述像素区域具有多个亚像素区域，至少两个所述亚像素区域中的前驱体的种类不同。
3.根据权利要求2所述的图形化方法，其特征在于，所述基板上的每个像素区域具有三个所述亚像素区域，每个所述亚像素区域中的前驱体的种类不同。
4.根据权利要求3所述的图形化方法，其特征在于，三个所述亚像素区域中的前驱体分别为氯化铯、溴化铯和碘化铯，所述气体化合物为溴化铅。
技术研发人员：张爱迪，张渊明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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