晶圆刻号及其形成方法技术

一种晶圆刻号及其形成方法，将晶圆刻号形成在晶圆的侧面而不是晶圆的正面表面，后续在晶圆正面表面上进行相关半导体工艺形成半导体器件以及多层金属连线时，或者后续将形成有集成电路的晶圆用于3D IC堆叠工艺时，所述晶圆侧面形成的晶圆刻号不会被覆盖，有利于晶圆在各个不同制程或者3D IC堆叠制程的管理和信息的追踪，特别是当晶圆存在异常需要工艺人员进行处理时，通过读取或识别经验侧面上的刻号可以直接获得晶圆的信息，防止对产品批次错误判断的风险，从而导致低良率甚至报废。并且由于所述晶圆刻号包括若干交替排布的凹槽和凸起，这样的晶圆刻号易于形成在晶圆的侧面，并且读取或识别过程比较简便。

【技术实现步骤摘要】
晶圆刻号及其形成方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆刻号及其形成方法。
技术介绍
晶圆打刻号(或标记)是半导体制造过程中不可缺少的一步，其目的主要是为了标记晶圆的ID(IDentity)，方便在后面的制作、测试和封装工艺中追踪晶圆。典型的半导体制程中，一般是在制程刚开始或者制程结束时给晶圆打上刻号(或标记)。一般给晶圆打标记或标记，是采用激光在晶圆正面的边缘打出晶圆的批号和晶圆的编号(如ABC123)，通过所述批号和编号以方便的管理晶圆的制造、控制和处理。但是随着也可以解决3DIC堆叠工艺的发展，通常会将多片晶圆进行堆叠。多片晶圆进行堆叠时，晶圆正面的晶圆批号和晶圆编号被覆盖会看不见，不利于晶圆的管理和信息的追踪，特别是对异常晶圆进行处理时，工艺人员只能间接地获得晶圆的信息，因而存在对产品批次错误判断的风险，从而导致低良率甚至报废。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种新的晶圆刻号，方便在3DIC堆叠工艺中对晶圆进行管理和追踪，降低人工处理的风险。本专利技术提供了一种晶圆刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆刻号的形成方法，其特征在于，包括：/n提供晶圆，所述晶圆包括相对的正面和背面以及位于正面和背面之间的侧面；/n刻蚀所述晶圆的侧面，在所述晶圆的侧面形成晶圆刻号，所述晶圆刻号包括若干交替排布的凹槽和凸起。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻号的形成方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆包括相对的正面和背面以及位于正面和背面之间的侧面；
刻蚀所述晶圆的侧面，在所述晶圆的侧面形成晶圆刻号，所述晶圆刻号包括若干交替排布的凹槽和凸起。


2.如权利要求1所述的晶圆刻号的形成方法，其特征在于，所述晶圆刻号至少用于表示晶圆的产品批次和晶圆编号，所述晶圆刻号至少包括第一刻号和第二刻号，所述第一刻号用于表示晶圆的产品批次，所述第二刻号用于表示晶圆编号。


3.如权利要求1或2所述的晶圆刻号的形成方法，其特征在于，所述若干凹槽和凸起的宽度不等，若干凹槽和凸起按一定的编码规则交替排布，所述一定的编码规则为条形码编码规则，所述凹槽代表条形码中的黑条，所述凸起代表条形码中的白条。


4.如权利要求3所述的晶圆刻号的形成方法，其特征在于，每一个凹槽的宽度范围为5-100微米，每一个凹槽的深度范围为50-500微米，每一个凸起的宽度范围为5-100微米，每一个凸起的深度范围为50-500微米。


5.如权利要求1所述的晶圆刻号的形成方法，其特征在于，所述晶圆的侧面还具有缺口，所述晶圆刻号位于缺口的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶莹，毕迪，
申请(专利权)人：上海果纳半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31