一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构制造技术

本发明专利技术公开一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构，属于集成电路技术领域。所述用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构包括Si及覆盖在其表面的SiO

【技术实现步骤摘要】
一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构。
技术介绍
MOS器件的栅氧质量直接影响到器件的电性能和可靠性，栅氧的可靠性变差会引起MOS器件电学参数不稳定，如阈值电压漂移、跨导下降、漏电流增加等，进而可引起栅氧的击穿等问题。通常在栅氧很薄的情况下，产生栅电流的主要原因是电子或空穴的隧穿。从机理上可以将隧穿分为两种：F-N（Fowler-Nordheim）隧穿和直接隧穿（DirectTunneling）。发生隧穿时，加在SiO2上的电压小于Φox，电子通过的SiO2的势垒是梯形势垒。一般通过采用恒定电流（constantcurrent）和斜坡电压法(voltageramp)测试专门设计的电容结构，由此表征超薄氧化层的可靠性程度。栅氧质量的评估测试结构设计一般包括大块电容结构、多晶硅栅多指结构、有源区多指结构等；其中有源区多指结构（FieldEdge）是将有源区通过浅沟道隔离(STI)来划分成多指结构，而此时的上极板多晶硅及栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构，包括Si及覆盖在其表面的SiO

【技术特征摘要】
1.一种用于薄硅膜SOI栅氧可靠性评估的有源区多指测试结构，包括Si及覆盖在其表面的SiO2，所述SiO2表面覆盖有薄硅，其特征在于，
还包括：
薄硅膜SOI，所述薄硅膜SOI包括有源区、多晶和栅氧；
STI隔离槽，刻蚀形成在所述有源区上。


2.如权利要求1所述的用于薄硅膜SOI栅氧可靠...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪旭明，顾祥，张庆东，谢儒彬，吴建伟，洪根深，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32