薄膜倒装封装结构及在封装结构上读取含代码图案的方法技术

本发明专利技术公开一种薄膜倒装封装结构及在封装结构上读取含代码图案的方法，其中该薄膜倒装封装结构包括可挠薄膜、图案化金属层、芯片、图案化阻焊层以及含代码图案。可挠薄膜包括芯片配置区及围绕芯片配置区的外围区。图案化金属层位于可挠薄膜上。芯片配置于芯片配置区上且电连接至图案化金属层。图案化阻焊层暴露芯片配置区且覆盖部分的图案化金属层。含代码图案位于可挠薄膜的外围区上，其中含代码图案包括多个机器可读数据。

【技术实现步骤摘要】
薄膜倒装封装结构及在封装结构上读取含代码图案的方法
本专利技术涉及一种电子装置和方法，且特别是涉及一种薄膜倒装封装结构及在封装结构上读取含代码图案的方法。
技术介绍
随着封装技术的进步，薄膜倒装结合(chiponfilmbonding；COFbonding)技术已成为当今主要的封装技术之一。对产品信息的误判或误读可能会降低生产线或装配线的产量或产率。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜倒装封装结构及在封装结构上读取含代码图案的方法，其可以降低误判或误读。本专利技术的一种薄膜倒装封装结构包括可挠薄膜、图案化金属层、芯片、图案化阻焊层以及含代码图案。可挠薄膜包括芯片配置区及围绕芯片配置区的外围区。图案化金属层位于可挠薄膜上。芯片配置于芯片配置区上且电连接至图案化金属层。图案化阻焊层暴露芯片配置区且覆盖部分的图案化金属层。含代码图案位于可挠薄膜的外围区上，其中含代码图案包括多个机器可读数据。在本专利技术的一实施例中，含代码图案包括条码图案。在本专利技术的一实施例中，机器可读数据适于从含代码图案的图像中提取。在本专利技术的一实施例中，多个机器可读数据包含芯片及薄膜倒装封装结构中的至少其中之一的产品信息。在本专利技术的一实施例中，产品信息包括生产日期、零件号、批号及/或料号。在本专利技术的一实施例中，图案化金属层包括电连接至芯片的电路图案。在本专利技术的一实施例中，含代码图案与电路图案电性绝缘。在本专利技术的一实施例中，图案化阻焊层覆盖含代码图案。在本专利技术的一实施例中，图案化阻焊层覆盖由含代码图案暴露出的部分可挠薄膜。在本专利技术的一实施例中，图案化阻焊层透光。在本专利技术的一实施例中，图案化阻焊层包括直接位于可挠薄膜的外围区上的覆盖图案。在本专利技术的一实施例中，含代码图案暴露出部分的可挠薄膜。本专利技术的一种在封装结构上读取含代码图案的方法包括以下步骤：提供封装结构，封装结构具有位于封装结构的外围区上的含代码图案，其中含代码图案包括多个机器可读数据；提取含代码图案的图像；显示含代码图案的放大图像于显示器上，其中放大图像为经由预定的放大倍率以放大含代码图案的图像而获得；扫描含代码图案的放大图像；以及读取从含代码图案的放大图像中所提取的多个机器可读数据。在本专利技术的一实施例中，含代码图案的图像是由电荷耦合元件所提取。在本专利技术的一实施例中，在封装结构上读取含代码图案的方法还包括以下步骤：将多个机器可读数据与存储于存储设备中且有关于封装结构的产品信息的数据进行比较。在本专利技术的一实施例中，在封装结构上读取含代码图案的方法还包括以下步骤：处理比较的结果，以将含代码图案与封装结构的至少一个产品信息进行配对。基于上述，在本专利技术的薄膜倒装封装结构中，位于封装结构的外围区上的含代码图案包括多个机器可读数据。如此一来，可以降低误判或误读，或是可以提升对薄膜倒装封装结构的产线或装配线的产量或产率。附图说明图1是本专利技术第一实施例的一种薄膜倒装封装结构的局部剖视示意图；图2是本专利技术第一实施例的一种薄膜倒装封装结构的透视上视示意图；图3是本专利技术第一实施例的一种薄膜倒装封装结构的局部透视上视示意图；图4是本专利技术第一实施例的一种薄膜倒装封装结构的透视上视示意图；图5是本专利技术第二实施例的一种薄膜倒装封装结构的局部透视上视示意图；图6是本专利技术第二实施例的一种薄膜倒装封装结构的透视上视示意图；图7是本专利技术第三实施例的一种薄膜倒装封装结构的局部剖视示意图；图8是本专利技术第三实施例的一种薄膜倒装封装结构的透视上视示意图；图9是本专利技术一实施例的一种用于读取封装结构上的含代码图案的系统示意图。符号说明100、200、300：薄膜倒装封装结构110：可挠薄膜112：第一表面114：第二表面116：传输孔120、320：图案化金属层122：电路图案124、244、324：含代码图案126：虚设图案130：芯片140、240、340：图案化阻焊层142：侧壁150：底部填充剂242：覆盖图案410：影像提取装置420：显示器430：扫描器440：处理器R1：芯片配置区R2：外围区OP1、OP2、OP3：开口具体实施方式有关本专利技术所揭露的
技术实现思路
、特点或功效，在以下配合参照附图的各实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。并且，在下列各实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号。以下实施例中所提到的方向用语，如：「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。此外，在本文的讨论和权利要求中，关于两种元件之间所使用的术语，如：“在...上”，或一个元件在另一个元件“上”，意味着两种元件之间的可能具有至少一些接触，而“在...上方”和“覆盖”意味着两种元件接近，但可能具有一个或多个附加的元件介于两种元件之间，而使得两种元件之间可以但不限于物理性地接触。“在...上”或“在...上方”于本文中都不表示具有方向性。除非另有限制，否则本文中的术语“设置”、“连接”、“耦合”、“安装”、“配置”、“位于”或其类似用语被广泛使用并且包括直接地或间接地设置、连接、耦合、安装、配置、位于或其类似用语。类似地，本文中术语“面对”、“面向”或其类似用语被广泛地使用并且包括直接地和间接地面对、面向或其类似用语，并且本文中的“相邻”或其类似用语被广泛地使用并且直接和间接地包含相邻或其类似用语。因此，附图和描述基本上将被视为说明性的而非限制性。图1是根据本专利技术第一实施例的一种薄膜倒装封装结构的局部剖视示意图。图2是根据本专利技术第一实施例的一种薄膜倒装封装结构的透视上视示意图。图3是根据本专利技术第一实施例的一种薄膜倒装封装结构的局部透视上视示意图。图4是根据本专利技术第一实施例的一种薄膜倒装封装结构的透视上视示意图。请参照图1至图4，薄膜倒装(chiponfilm；COF)封装结构100包括可挠薄膜110、图案化金属层120、芯片130、图案化阻焊层140以及含代码图案124。可挠薄膜110包括芯片配置区R1和围绕芯片配置区R1的外围区R2。可挠薄膜110具有第一表面112以及相对于第一表面112的第二表面114。图案化金属层120可位于可挠薄膜110的第一表面112上。芯片130配置在芯片配置区R1上，且电连接至图案化金属层120相对应的部分。图案化阻焊层140暴露出芯片配置区R1并且覆盖部分的图案化金属层120。含代码图案124可以根据设计需求而设置在可挠薄膜110的外围区R2或任何区域上。含代码图案124包括或呈现出多个机器可读数据。换句话说，可以经由含代码图案124或将其解码，以获得或提取与薄膜倒装封装结构100相关的机器可读数据或讯息。在一实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜倒装封装结构，其特征在于，该薄膜倒装封装结构包括：/n可挠薄膜，包括芯片配置区及围绕所述芯片配置区的外围区；/n图案化金属层，位于所述可挠薄膜上；/n芯片，配置于所述芯片配置区上且电连接至所述图案化金属层；/n图案化阻焊层，暴露所述芯片配置区且覆盖部分的所述图案化金属层；以及/n含代码图案，位于所述可挠薄膜的所述外围区上，其中所述含代码图案包括多个机器可读数据。/n

【技术特征摘要】
20190102 US 62/787,745;20190716 US 16/512,4041.一种薄膜倒装封装结构，其特征在于，该薄膜倒装封装结构包括：
可挠薄膜，包括芯片配置区及围绕所述芯片配置区的外围区；
图案化金属层，位于所述可挠薄膜上；
芯片，配置于所述芯片配置区上且电连接至所述图案化金属层；
图案化阻焊层，暴露所述芯片配置区且覆盖部分的所述图案化金属层；以及
含代码图案，位于所述可挠薄膜的所述外围区上，其中所述含代码图案包括多个机器可读数据。


2.如权利要求1所述的薄膜倒装封装结构，其中所述含代码图案包括条码图案。


3.如权利要求1所述的薄膜倒装封装结构，其中所述机器可读数据适于从所述含代码图案的图像中提取。


4.如权利要求3所述的薄膜倒装封装结构，其中所述多个机器可读数据包含所述芯片及所述薄膜倒装封装结构中的至少其中之一的产品信息。


5.如权利要求4所述的薄膜倒装封装结构，其中所述产品信息包括生产日期、零件号、批号及/或料号。


6.如权利要求1所述的薄膜倒装封装结构，其中所述图案化金属层包括电连接至所述芯片的电路图案。


7.如权利要求6所述的薄膜倒装封装结构，其中所述含代码图案与所述电路图案电性绝缘。


8.如权利要求1所述的薄膜倒装封装结构，其中所述图案化阻焊层覆盖所述含代码图案。


9....

【专利技术属性】
技术研发人员：郭德献，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71