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一种晶圆刻号及其形成方法,将晶圆刻号形成在晶圆的侧面而不是晶圆的正面表面,后续在晶圆正面表面上进行相关半导体工艺形成半导体器件以及多层金属连线时,或者后续将形成有集成电路的晶圆用于3D IC堆叠工艺时,所述晶圆侧面形成的晶圆刻号不会被覆盖,...该专利属于上海果纳半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海果纳半导体技术有限公司授权不得商用。
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一种晶圆刻号及其形成方法,将晶圆刻号形成在晶圆的侧面而不是晶圆的正面表面,后续在晶圆正面表面上进行相关半导体工艺形成半导体器件以及多层金属连线时,或者后续将形成有集成电路的晶圆用于3D IC堆叠工艺时,所述晶圆侧面形成的晶圆刻号不会被覆盖,...